【課題】 交流磁場で電流を誘起でき、または電気分極の強度と方向を制御できるマルチフェロイック電子装置を提供する。
【解決手段】 マルチフェロイックナノ発電機は、金属電極２に挟まれたマルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５を印加するように配置し、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗材料薄膜を製造する際に、生産性よく良質な結晶性を有する巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜することを可能にする。
【解決手段】対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。第１の段階で良質なエピタキシャル薄膜を成膜でき、の後の段階で、成膜速度を大きくして生産性を高めた状態で良質の高結晶性薄膜を成膜できる。 （もっと読む）

【課題】 発振線幅が狭く、発振周波数が安定した磁性発振素子を提供する。
【解決手段】 磁性発振素子においては、磁化Ｍ１を有する第１の強磁性層１１、非磁性層１２、及び磁化Ｍ２を有する第２の強磁性層１３を順次積層した積層構造に形成され、第２の強磁性層１３が、一軸磁気異方性を有する面内磁化膜で形成される。電流Ｉの通電により歳差運動が誘起される磁化Ｍ２は、磁化Ｍ２の向きが強磁性層に作用する反磁場の効果と一軸異方性の効果とが互いに打ち消すような向きとなるように外部から磁場が印加されて制御される。 （もっと読む）

【課題】 本件は、強磁性材料からなり、磁壁の有無による情報を記憶するとともに移動電流の供給を受けて磁壁を移動させるメモリ線を備えた磁壁移動型ストレージデバイスに関し、低コストの読出方式を採用する。
【解決手段】 メモリ線上の情報読出点でメモリ線と交差する読出線を形成し、メモリ線に形成されている磁壁が情報読出点を通過する際に生じる誘導起電力をピックアップすることにより、メモリ線の、磁壁の有無による情報を読み出す。 （もっと読む）

【課題】予期できない磁化反転を防止すること。
【解決手段】磁壁移動型ストレージデバイスは、強磁性金属（例えば、ＮｉＦｅ）に不純物元素（例えば、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ；強磁性金属細線の保磁力を変調する元素）を添加することにより磁場に対する磁壁の動き易さを調整した強磁性金属細線（例えば、ＮｉＦｅＰｔ細線）を有し、かかる強磁性金属細線に電位パルスを印加することで情報を記録することで、予期できない磁化反転を防止する。 （もっと読む）

本発明は、量子力学トンネル効果に基づくトリプルゲート又はマルチゲート素子に関する。本素子は、電子がトンネリング可能なギャップによって隔てられた少なくとも二つのトンネル電極を基質上に有する。本発明による素子は、ギャップに電界を印加して、その電界による偏向によって、トンネル電極の間をトンネリングする電子の経路を延ばすための手段を有する。一般的に、トンネル電極の間のトンネル電流の方向に対して垂直で、かつ基質に対して平行に延びる電界成分を有する電界をギャップに印加するための手段を配備することができる。トンネル電極の間のトンネル電流は、電子がギャップ内を進む経路長に対して指数関数的に依存するので、そのような電界は、トンネリング確率に対して、、そのため制御すべきトンネル電流に対して大きな逆増幅率を有する。そのような素子は、例えば、大きな増幅率の非常に速いスイッチングトランジスタとして動作することができ、そのため半導体であってはならない。
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【課題】金属細線への形状加工に伴う、情報の記録／再生の信頼性低下を回避する磁壁移動型メモリ素子を提供する。
【解決手段】強磁性材料で形成されて線状に延び、結晶磁気異方性が相対的に大きな特異点が所定間隔で形成されることにより、互いに異なる２つの磁化方向のうちのいずれの磁化方向にも磁化し得る区画が該特異点を挟んで配列されてなるメモリラインと、上記区画のうちの１つの記録区画に磁場を印加し、該記録区画を上記２つの磁化方向のうちの任意の一方の磁化方向に磁化する記録素子と、上記区画のうちの１つの読取区画の磁化方向を検出する読取素子と、上記メモリラインに電流を流して、互いに異なる方向に磁化された隣接する２つの区画の間に形成された磁壁を一区画分移動させる電流路とを備えている。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を可及的に低減させるとともに高速に書き込むことができ、かつ大容量化を実現することのできる磁気抵抗効果素子及び磁気メモリを提供することを可能にする。
【解決手段】磁化が膜面に対して略垂直で不変の第１の強磁性層２と、磁化が膜面に対して略垂直でかつ可変の第２の強磁性層６と、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間に設けられる第１の非磁性層４と、第２の強磁性層に対して第１の非磁性層と反対側に設けられ、磁化が膜面に略平行でかつ可変の第３の強磁性層１０と、第２の強磁性層と第３の強磁性層との間に設けられる第２の非磁性層８と、を備え、第１の強磁性層と第３の強磁性層との間で膜面に略垂直な方向に電流を流すことにより、スピン偏極した電子を前記第２の強磁性層に作用させるとともに、第２の強磁性層から第２の非磁性層を通って第３の強磁性層に作用させて第３の強磁性層の磁化に歳差運動を誘起し、この歳差運動に応じた周波数のマイクロ波磁場が第２の強磁性層に印加される。 （もっと読む）

【課題】 数１００ガウス程度の磁場強度で電流を誘起でき、また電気分極の強度や方向を制御できるマルチフェロイック素子を提供する。
【解決手段】 マルチフェロイックナノ発電機は、金属電極２に挟まれたマルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５が印加するように配置し、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】電子回路に用いられるマイクロ波発振素子およびマイクロ波検出素子を高効率化、小型化する。
【解決手段】マイクロ波発生素子は磁化固着層4と、電流を狭窄する機能とスピン偏極電流によりマイクロ波を発振させる機能を有する領域を複数個有する層5と、電流を狭窄する機能とスピン偏極電流によりマイクロ波を発振させる機能を有する領域の磁化の向きを空間的に非一様にする機能を有する層6とを備えており、積層方向に電流を流すことにより空間的に非一様な磁化の向きを有する領域にスピン偏極電流が流れるため、電流狭窄構造薄膜中の磁化に対してスピントランスファートルクが働き、マイクロ波を発振する。 （もっと読む）

【課題】出力直流電圧のピークの半値幅が十分に小さいスピントルクダイオード効果を利用した磁気デバイス、及び、このような磁気デバイスを利用した周波数検出器を提供する。
【解決手段】 磁化固定層３、磁化自由層５、及び磁化固定層３と磁化自由層５とに挟まれた非磁性層４を有する磁気抵抗効果素子１４と、磁気抵抗効果素子１４に対して、その積層方向に交流信号ｉを流すための入力端子ＩＮＰＵＴ１，ＩＮＰＵＴ２と、磁気抵抗効果素子１４から出力電圧を取り出す出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２とを備え、非磁性層４は、絶縁体からなる絶縁層部４ｂと、絶縁層部４ｂをその膜厚方向に貫通する導電体からなる電流狭窄層部４ａとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁場安定性及び熱安定性を保持しつつ、微細化かつ省電力化ができる光アシスト型磁気記録装置を提供する。
【解決手段】半導体から構成され発光する発光素子層を有する発光素子基板と前記発光素子基板上にモノリシックに形成され、光照射で磁化が誘起される強磁性体からなる光誘起磁性体層とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の磁化の向きの共振現象を工業的に利用した磁気デバイス及び周波数検出器を提供する。
【解決手段】 固定層３及びフリー層５を有する磁気抵抗効果素子１４と、自発的に静磁場１８Ｍ２を発生し、静磁場１８Ｍ２がフリー層５に印加されるように設けられたバイアス磁界印加層１８と、磁気抵抗効果素子１４に交流信号ｉを供給する入力端子ＩＮＰＵＴ１，ＩＮＰＵＴ２と、磁気抵抗効果素子１４から出力電圧を取り出す出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の磁化の向きの共振現象を工業的に利用した磁気デバイス及び周波数検出器を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気デバイスは、固定層３及びフリー層５を有する磁気抵抗効果素子１４と、フリー層５に交換結合磁界７Ｍを印加するように設けられたバイアス磁界印加層７と、磁気抵抗効果素子１４に交流信号ｉを供給する入力端子ＩＮＰＵＴ１，ＩＮＰＵＴ２と、磁気抵抗効果素子１４から出力電圧Ｖを取り出す出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 より偏光度の高い円偏光の光を発する素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とが活性層を介して接合されており、順方向のバイアスを印加することで発光する半導体発光素子であって、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層がそれぞれ強磁性体である構成である。再結合する正孔および電子の両方がスピン偏極しているため、正孔のみがスピン偏極している場合と比較して発生する光の偏光度が高くなる。したがって、より偏光度の高い円偏光の光を発生する発光素子を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気シフト・レジスタ・メモリ・デバイスで使用するためにサブリソグラフィ・データ・トラックを形成するための方法および装置を提供する。
【解決手段】メモリ・デバイスの一実施形態は、第１の誘電材料で形成される第１の誘電材料スタックと、第１の誘電材料スタックを取り囲み、少なくとも第２の誘電材料で形成される、第２の誘電材料スタックと、第１の誘電材料スタックと第２の誘電材料スタックとの間に位置する、情報を格納するための少なくとも１つのデータ・トラックであって、高いアスペクト比およびほぼ矩形の断面を有するデータ・トラックと、を含む。 （もっと読む）

【課題】構成要素であるナノマグネットの形状を選択することで磁気特性を設計可能な磁性論理素子を提供すること。
【解決手段】 ３次又は５次の回転対称性を有するナノマグネットを有し、前記ナノマグネットが超常磁性となりかつ実質的に磁気ヒステリシスをなくし、その結果前記ナノマグネットの磁化は適用された磁場の現在値のみに依存し、前記磁場の履歴には依存しなくなるように前記回転対称性が選択されている。単純な材料に対して、単に構成要素であるナノマグネットの対称性を変化させることにより、新規で多様な特性を付与でき、桁外れに広い範囲を有する人工磁性材料をつくり出すことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、交互する異なった材料組成の第一強磁性層と第二強磁性層とを包含する構造を形成する方法に関する。
【解決手段】最初に、少なくとも一つの開孔を有する支持マトリックスと、導電ベース層とを包含する基材が形成される。次いで、少なくとも一つの強磁性金属元素と、さらなる一つ以上の異なった金属元素を包含する電気メッキ液の中で該基材の電気メッキが行われる。交互する高電位と低電位とを有するパルス電流を基材構造の導電ベース層に印加し、これにより、支持マトリックスの開孔中に、交互する異なった材料組成の層を形成する。 （もっと読む）

【課題】メモリセル中に形成された磁壁を移動させ記録状態消去状態を実現する磁壁移動型メモリセルに於いて、情報記録層となる磁性体の磁化を低減させ記録電流、記録磁界の低減をはかることにより、高速・低電流で動作し、高密度なＭＲＡＭ実現可能であることを提供する。
【解決手段】磁壁を生成する磁性層に非金属元素を添加する、あるいは磁性層と非金属元素を周期的あるいは非周期的に積層させた多層構造を作製することにより磁化を低減し、記録電流を抑制する。 （もっと読む）

【課題】負のＭＲ比を有し、常温での使用が可能な、磁気メモリ等の実用品への利用を可能にするトンネル磁気抵抗効果膜を提供する。
【解決手段】トンネルバリア層１３を挟む配置に磁性層１２、１４ａが形成されたトンネル磁気抵抗効果膜３０であって、前記トンネルバリア層１３の一方の側の磁性層１２がFeN層であることを特徴とする。前記トンネルバリア層１３を挟む他方の側の磁性層１４ａは、磁化の向きが固定された固定磁性層として設けられている。 （もっと読む）