【課題】 均質な性能のＣＣＰ−ＣＰＰ ＧＭＲデバイスを得る。
【解決手段】 磁気センサ構造は、ピンド層１４と、フリー層１９と、ピンド層１４およびフリー層１９の間に形成されたＣＣＰスペーサ１８とを有する。ＣＣＰスペーサ１８は、ピンド層１４上に形成された第１の銅層１５と、上面を有するように第１の銅層１５上に形成され、アモルファス金属もしくはアモルファス合金の酸化物を含むと共に分結した(segregated)銅金属電流路を内部に有する一以上の金属酸化物テンプレート層からなるＣＣＰ層１６と、ＣＣＰ層１６の上に形成され、フリー層１９と接する第２の銅層１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁気記録装置における多層記録・多値記録を実現する解決手段を提供する。
【解決手段】複数層の記録層からなる媒体を異なる磁気共鳴周波数になるように設定し、高周波発振素子を具備する記録ヘッドの高周波発振周波数を変えることによって、記録を行う記録層を選択し、情報を記録する。また、再生時には、複数層からなる媒体層の磁化状態によって、媒体層外部に漏れ出る磁界が異なるようにし、多値状態によって異なる外部磁界を磁気抵抗効果素子で異なる抵抗値として検知することで、多値状態の識別を行う。 （もっと読む）

【課題】線記録密度方向の高い再生分解能及び安定した応答特性を有する差動動作型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。
【解決手段】第一の磁気抵抗効果膜（固定層／中間層／自由層）１００／導電性ギャップ層１１０／第二の磁気抵抗効果膜（自由層／中間層／固定層）１２０からなる差動動作型の磁気抵抗効果膜において、導電性ギャップ層を、第一の自由層及び第二の自由層に対して、トラック方向に縦バイアス磁界を印加する為の、バイアス磁界付与層で構成する。バイアス磁界付与層は、２層の非磁性層に挟まれた、トラック幅方向に磁化が固定された強磁性層からなる。 （もっと読む）

【課題】銅フィラメントの酸素汚染が少ないＣＣＰ層の形成方法、ＣＣＰ−ＣＰＰ素子およびその製造方法を得る。
【解決手段】 基板上に形成した銅層１１の上に、Ａｌ，Ｍｇ，ＡｌＭｇ等の窒化性材料に銅を混入させてなる混合材料層を形成する。次に、銅層１１を１５０°Ｃ以上に保って銅層１１が窒化銅に変換されないようにしつつ、混合材料層に対して窒化処理を行う。これにより、窒化性材料が窒化されて絶縁層としての窒化物領域１３が形成されると共に、この窒化物領域１３によって囲まれるようにして銅が分結した導電パス（銅フィラメント１２）が複数形成される。この銅フィラメント１２は、銅層１１から窒化物領域１３を膜厚方向に貫通してその上面に達する。こうして、窒化物領域１３および銅フィラメント１２を含むＣＣＰ層２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】ノイズの抑制とスピントルクの影響の抑制とを可能とする抵抗値を有し、且つ大きなＭＲ比を得ることのできる磁気抵抗効果素子を実現する。
【解決手段】ＭＲ素子は、信号磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層２５と、磁化の方向が固定された固定層２３と、これらの間に配置されたスペーサ層２４とを備えている。スペーサ層２４は、それぞれ層状をなしＭＲ素子の各層の面と交差する方向に並ぶ第１の領域４１、第２の領域４２および第３の領域４３を有している。第２の領域４２は、第１の領域４１と第３の領域４３に挟まれている。第１の領域４１および第３の領域４３は酸化物半導体によって構成され、第２の領域４２は、非磁性導体相と酸化物半導体相のうち少なくとも非磁性導体相を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高い分解能と高い製造安定性を実現することのできる１素子型の差動磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果積層膜10は、下地膜14、反強磁性膜11、強磁性固定層15、非磁性中間層12、軟磁性自由層13、長距離反平行結合積層膜17、差動軟磁性自由層16を積層してなる。長距離反平行結合積層膜17は、軟磁性自由層13と差動軟磁性自由層16を３ナノメートル〜２０ナノメートル離して反平行状態に交換結合させる。この磁気抵抗効果積層膜10を用いた１素子型の差動磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製することによって、GMR効果を損なうことなく、高い分解能と高い製造安定性を実現することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】電流直接駆動による磁化反転の際に、磁化反転のバラツキを小さくすること、あるいは磁化反転を高速化すること、あるいは反転電流を低減させること、ができる磁気記録装置を提供する。
【解決手段】磁化が第１の方向に実質的に固定された第１の強磁性層と、磁化の方向が可変の第２の強磁性層と、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に設けられた第１の非磁性層と、磁化の方向が可変の第３の強磁性層と、を含む積層体を備え、前記積層体の各層の膜面に対して略垂直な方向に電流を流すことによりスピン偏極した電子を前記第２の強磁性層に作用させ、且つ前記第３の強磁性層の磁化を歳差運動させることにより発生する磁場を前記第２の強磁性層に作用させることにより、前記第２の強磁性層の磁化の方向を前記電流の向きに応じた方向に決定可能としたことを特徴とする磁気記録素子が提供される。 （もっと読む）

本発明は第１の磁化が固定された磁気層（４１０）と磁気脱共役のために第１の分離層（４２０）によって分離されている高感度層である第２のフリー磁化磁気層（４３０）とを備える磁気抵抗センサに関する。前記センサは磁気脱共役のために第２分離層（４４０）によって前記高感度層から分離された第２の磁化が固定された磁気層（４５０）を更に備え、前記第１および第２の分離層は前記高感度層の両側に位置し、外部磁場がない場合、前記第１の磁化が固定された磁気層および前記高感度層の各磁化は実質的に垂直である。前記第２ピン層の磁化配向は選択される。 （もっと読む）

本発明は、ピン層である第１の磁化が固定された磁気層（４１０）と、外部磁場がない場合、前記ピン層の磁化に対して実質的に垂直な磁化を有し、磁気脱共役のために第１の分離層（４２０）によって前記ピン層から分離されている高感度層であるフリー磁化磁気層（４３０）とを備える磁気抵抗センサに関する。前記センサは、横方向のスピン移動を制御する役割を果たし、前記分離層の反対側で前記高感度層の横に位置する横結合層（４４０）を更に備える。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッド浮上面保護層の薄膜化と同時に、再生素子のＳＮ比の劣化を抑制することで、高密度記録に適した磁気ヘッドを高歩留まりで提供する。
【解決手段】磁気ヘッド１の再生素子１２は、下部磁気シールド層１４と上部磁気シールド層１６の間に磁気抵抗効果膜（TMR膜）２が設けられ、TMR膜２の両脇にはリフィル膜１８と磁区制御膜１９が設けられている。TMR膜２は、下部金属層３、反強磁性層４、強磁性固定層５、中間層６、強磁性自由層７、上部金属層８により構成されている。TMR膜２の記録媒体対向面９には、膜厚が約２．０ｎｍの窒化珪素膜からなる浮上面保護層１００が形成される。窒化珪素膜中の珪素は、窒素によって不活性化されるので、TMR膜２に対して損傷を与えることはない。したがって、再生素子１２のノイズを低レベルに抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比を低減することなく、ＡＦＭ層とＡＰ２ピンド層との間のＨｅｘ／Ｈｃ比を増加させることができ、ＡＰ２層の磁化を一定方向に安定して保持することのできる交換結合膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】ＡＦＭ層１２とピンド層１７を構成するＡＰ２層１４との間に交換結合膜１３を設ける。この交換結合膜１３は、Ｃｏ，ＦｅおよびＮｉからなる群から選択された少なくとも１種の元素と、Ｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種のアモルファス性の元素とを含むアモルファス磁性層、またはＣｕ，Ｒｕ，Ｍｎ，ＨｆおよびＣｒからなる群から選択された元素を含む非磁性層である。具体的には、ＣｏＦｅＢ，ＣｏＦｅＺｒ，ＣｏＦｅＮｂ，ＣｏＦｅＨｆ，ＣｏＦｅＮｉＺｒ，ＣｏＦｅＮｉＨｆ，またはＣｏＦｅＮｉＮｂＺｒにより構成される。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を実現できる磁気抵抗効果素子などの磁性多層膜通電素子を提供する。
【解決手段】第１の開口部を有する第１の絶縁層、第２の開口部を有する第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の間に位置した導電体を含み、前記第２の絶縁層の、前記第２の開口部及び前記第１の絶縁層間の距離Ａが、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層間の最近接距離Ｂよりも大きくなっており、バレル形状を呈する少なくとも１つの薄膜構造体を、第１の磁性層、第２の磁性層、及び前記第１および第２の磁性層間に形成されたスペーサ層の少なくとも一部に配置する。 （もっと読む）

【課題】簡易にかつ正確に酸化時間を求めて酸化制御を行うことができる薄膜の酸化制御方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】過去の酸化処理における酸化時間Ｔ_ＯＸとＭＲ素子の面抵抗ＲＡとの複数セットの対応関係を関係式ＲＡ＝ａ×ｌｎ（Ｔ_ＯＸ）＋ｂに代入することによって得られたこの関係式の傾きａ及び切片ｂの複数の組から、傾きａ及び切片ｂ間の相関式ｂ＝Ａ×ａ＋Ｂを求めておき、同一の酸化装置によって酸化処理を行う際に、この酸化装置で実際に酸化処理して酸化時間Ｔ_ＯＸとＭＲ素子面抵抗ＲＡとの１セットの対応関係を測定し、測定で得られた酸化時間Ｔ_ＯＸＭＥとＭＲ素子面抵抗ＲＡ_ＭＥとを上述の関係式に代入して得たＲＡ＝ａ_０×ｌｎ（Ｔ_ＯＸ）＋ｂ_０を用いて所望のＭＲ素子面抵抗に対する酸化時間を求め、求めた酸化時間で酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】磁化反転に必要な電流密度をより低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、スピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する第１の自由層１５と、スピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する第２の自由層１３と、磁化の方向が固定された固定層１１と、第１の自由層１５と第２の自由層１３との間に設けられた第１の非磁性層１４と、第２の自由層１３と固定層１１との間に設けられた第２の非磁性層１２とを具備する。そして、第１の自由層１５の磁気異方性定数Ｋｕ１と活性化体積Ｖ１との積Ｋｕ１×Ｖ１と、第２の自由層１３の磁気異方性定数Ｋｕ２と活性化堆積Ｖ２との積Ｋｕ２×Ｖ２との関係が、Ｋｕ１×Ｖ１＞Ｋｕ２×Ｖ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】磁化反転に必要な書き込み電流をより低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、磁化の方向が固定された固定層１１と、膜面に垂直方向への通電により磁化の方向が変化可能な自由層１３と、膜面に垂直方向への通電により磁化の方向が変化可能であり、かつ自由層１３の磁化の方向の変化をアシストするアシスト層１５と、固定層１１と自由層１３との間に設けられ、かつ非磁性体からなる中間層１２と、自由層１３とアシスト層１５との間に設けられ、かつ非磁性体からなる中間層１４とを具備する。そして、アシスト層１５の磁化反転のためのエネルギー障壁は、自由層１３の磁化反転のためのエネルギー障壁よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】高MR比で高S/N比を得ることができるとともに、出力変動を抑えた新規な構成の再生素子を提供する。
【解決手段】磁化固着層、磁化自由層、及び前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含む複合スペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁化自由層を安定化させるためのバイアス機構と、再生分解能を確保するためのシールド機構と、前記磁気抵抗効果素子の面内垂直方向に通電するための上下電極とを具える垂直通電型再生素子において、面積抵抗（RA：単位 Ω×μｍ²）が前記磁気抵抗効果素子のトラック幅（TW：単位nm）とギャップ長さ（GAP：単位nm）に対して0.00062×√(GAP)×TW+0.06以下、又は面積抵抗（RA：単位Ω×μｍ²）が、使用する線記録密度(kBPI：単位 kBPI)と前記磁気抵抗効果素子のトラック幅（TW：単位nm）に対して0.14×TW(nm)/√(kBPI)+0.06 以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】スピン注入ノイズ（ＳＴＩＮ）の低減を図った磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、及び磁気再生装置を提供する。
【解決方法】磁化自由層、磁化固着層、及び前記磁化自由層と前記磁化固着層の間に配置される中間層を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の前記磁化固着層上に配置される磁気結合層と、前記磁気結合層上に配置される強磁性層と、前記強磁性層上に配置される反強磁性層と、前記磁化自由層に対して、前記磁気抵抗効果膜の膜面に略平行かつ前記磁化固着層の磁化方向に略垂直な方向のバイアス磁界を加える磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に、前記磁化自由層から前記磁化固着層に向かう方向の電流を通電するための一対の電極とを具備し、アシンメトリが正であり、前記電流の流れる方向における素子抵抗ＲＡが１．５Ωμｍ^２以下であるように磁気抵抗効果素子を構成する。
（もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗効果が得られるポイントコンタクトを有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁体層と、前記絶縁体層を挟んで積層された第１及び第２の強磁性体層と、前記第２の強磁性体層と積層された磁性バイアス層と、前記絶縁体層の側面に不連続に形成され、前記第２の強磁性体層と前記磁性バイアス層との間に介在せず、強磁性体からなり、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層とを電気的に接続する接続部と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子が提供される。絶縁体層を挟んで積層された第１及び第２の強磁性体層と前記第２の強磁性体層と積層された磁性バイアス層とを形成する工程と、前記絶縁体層の側面に強磁性体を不連続に形成して前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層とを電気的に接続する接続部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ変化率を実現することのできる磁性薄膜を提供する。
【解決手段】磁性薄膜１５は、外部磁界に対し磁化方向が固定されたピンド層７と、外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層９と、ピンド層７とフリー層９との間に挟まれたスペーサ層８と、を有し、センス電流がピンド層７、スペーサ層８、およびフリー層９の膜面に対して直交方向に流れるようにされている。スペーサ層８は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｍｇのいずれかの酸化物からなる酸化物領域を含むＣｕＺｎ合金を有している。 （もっと読む）

【課題】 ばらつきの少ない電流路狭窄層およびその形成方法、ならびにそれを用いたＣＣＰ−ＣＰＰ型ＧＭＲ素子等を得る。
【解決手段】 Ｃｕ層３１の上に第１のＡｌ（ＡｌＣｕ）層を形成し、第１のＰＩＴ／ＩＡＯ処理を行ったのち、その上に第２のＡｌ（ＡｌＣｕ）層を形成し、第２のＰＩＴ／ＩＡＯ処理を行う。これにより、２層の酸化アルミニウム層２６，５６と、それらの内部を膜厚方向に貫く複数の導電パス６５とを含む電流路狭窄（ＣＣＰ）層１１６が形成される。このＣＣＰ層１１６の上にＣｕ層を形成することにより、ＣＣＰ−ＣＰＰ型ＧＭＲ素子におけるＣＣＰスペーサが出来上がる。２つの酸化アルミニウム層の界面位置において直径が臨界値を下回るような銅フィラメントはその界面で終端し、比較的太いフィラメントだけが上隣の酸化アルミニウム層の導電パスに連結する。これにより、同一ウェハ上に同時に形成された複数の素子のばらつきが少なくなる。 （もっと読む）