【課題】スピントランスファートルクに起因するノイズの低減を図った磁気抵抗効果素子
、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁化固着層、非磁性層、磁化自由層を有する磁気抵抗効果素子の磁化固着層
、または磁化自由層内にＺｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ
，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかを含む層を配置する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 キャップ層と、磁化固着層と、前記キャップ層と前記磁化固着層との間に設けられた磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられたスペーサ層と、Ｚｎ、Ｉｎ、ＳｎおよびＣｄから選択される少なくとも１つの元素並びにＦｅ、ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも１つの元素を含む酸化物を有する機能層とを備えた積層体と、前記積層体の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを備えた磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記機能層の母材料から成る膜を成膜し、前記膜に、酸素の分子、イオン、プラズマおよびラジカルから成る群から選択される少なくとも１つを含むガスを用いた酸化処理を施し、前記酸化処理が施された膜に対して還元性ガスを用いた還元処理を施すことを含む磁気抵抗効果素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気異方性（ＰＭＡ）を持つフリー層を有し、フリー層の磁化を固定し、シールド−フリー層間相互作用を最小化するためのハードバイアス構造を必要としない磁気抵抗効果センサを提供する。
【解決手段】
下部シールド２１の上にシード層２４、フリー層２５、接合層２６、リファレンス層２７および交換ピンニング層２８をこの順に形成する。パターニング後、センサ積層体の側壁３３に沿って、共形の絶縁層２３を形成する。その後、絶縁層２３の上に上部シールド２２ｔを形成する。上部シールド２２ｔは、狭いリードギャップによってフリー層２５から分離されている。ＰＭＡがフリー層２５の自己減磁界よりも大きい場合、センサは、幅５０ｎｍ未満まで拡大可能である。有効バイアス磁界は、センサのアスペクト比に対してあまり反応しないため、ストライプが高く、幅の狭いセンサにより、高いＲＡ値を有するＴＭＲ構造が実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入層の強固さを向上させ、より大きな発振磁界を生成可能なＳＴＯ構造を提供する。
【解決手段】 Ｔａ層と、ｆｃｃ［１１１］またはｈｃｐ［００１］結晶配向構造を有する金属層Ｍ１とを含む複合シード層２１の上に、高い垂直磁気異方性（ＰＭＡ）を示す多層構造（磁性層Ａ１／磁性層Ａ２）_x を含むスピン注入層２２を形成する。さらに、スピン注入層２２の上に、非磁性スペーサ層２３、高飽和磁束密度層（高Ｂｓ層）を含む磁界発生層（ＦＧＬ）２４およびキャップ層２５を順次形成する。薄いシード層であってもスピン注入層２２の強固さを向上させ得る。高いＰＭＡの多層構造（Ａ１／Ａ２）_x と高Ｂｓ層との結合を含む複合ＳＩＬを用いれば、スピン注入層をより強固にできる。高いＰＭＡの多層構造（Ａ１／Ａ２）_Y と高Ｂｓ層との結合を含む複合ＦＧＬを用いれば、高Ｂｓ層内部に部分的ＰＭＡを確立でき、容易なＦＧＬ発振が可能になる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比の低下や再生分解能の劣化を発生させることなく、スピントランスファトルクに起因する磁気ノイズを抑制する。
【解決手段】本発明は、第１磁気シールド７２ａと、第２磁気シールド７２ｂと、第１磁気シールド７２ａと、第２磁気シールド７２ｂと、の間に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第１磁化自由層１０３を含む磁気抵抗効果膜７１と、磁気抵抗効果膜７１と、第１磁気シールド７２ａと、の間に設けられ、第１磁気シールド７２ａよりも飽和磁束密度が高い第３磁気シールド７２ｃと、を有する再生ヘッド部７０を備えた磁気ヘッド１１０である。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率を向上した磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１磁性層と第２磁性層との間に設けられ、絶縁層１６１と、絶縁層を貫通する導電部１６２と、を含む中間層１６と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法が提供される。本製造方法は、絶縁層と、絶縁層を貫通する導電部１６ｐと、を含む構造体を形成する工程（ステップＳ１１０）と、構造体に、希ガスを含むイオン及びプラズマの少なくともいずれかの照射を行う第１処理工程（ステップＳ１２０）と、第１処理工程が施された構造体に対して、酸素及び窒素の少なくともいずれかのガスへの曝露、イオンビーム照射及びプラズマ照射の少なくともいずれかを行う第２処理工程（ステップＳ１３０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い抵抗を有するＣＰＰ構造で、低電流で大きな出力信号を生成するスピンバルブ素子を提供すること。
【解決手段】少なくとも１つの強磁性層42aを含むピンド層構造、少なくとも１つの強磁性層41を含み、ピンド層よりも磁気的に軟らかいフリー層構造、フリー層とピンド層を隔てて、フリー層構造とピンド層構造の間の磁気結合を妨げ、電流がそこを通って流れることができるように構成された薄いスペーサー層構造43、導電性が著しく異なる少なくとも２つの部分を含む少なくとも２つの磁性又は非磁性の第１及び第２の電流狭窄（ＣＣ）層構造44,44’を含み、第１のＣＣ層44は、フリー層構造と隣接してまたはフリー層構造の内部に配置され、第２のＣＣ層44’は、ピンド層と隣接して、または、ピンド層の内部で中央部または中央部よりフリー層構造側に配置されるＣＰＰスピンバルブ素子。 （もっと読む）

【課題】
積層された反強磁性層と固定層からなる交換結合膜、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、反強磁性層と固定層間の交換結合エネルギーを増大し、固定層の磁化の安定性を高める。
【解決手段】
反強磁性層１２と固定層１３とが積層され、前記反強磁性層１２により前記固定層１３の磁化方向が一方向に磁気的に固定されている交換結合膜１０、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、前記反強磁性層１２をMn-X（X＝Ir,Rh,Ru）で構成するとともに、前記固定層１３の主成分をCo-Fe-Mnで構成する。 （もっと読む）

【課題】磁区壁を利用した発振器及びその動作方法を提供する。
【解決手段】磁区壁の磁気モーメントの歳差運動を利用して信号を発生させる装置である発振器を提供する。該発振器は、磁区壁を持つ自由層とその磁区壁に対応するように備えられた固定層とを備えることができる。自由層と固定層との間に非磁性分離層が備えられうる。自由層は、垂直磁気異方性を持ち、固定層は、水平磁気異方性を持ち、分離層は、絶縁層または導電層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）値と中程度に低い抵抗面積積（ＲＡ）とを有する磁気抵抗装置を提供する。
【解決手段】この装置は、第１の磁性層と、第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に位置する電流狭窄（ＣＣＰ）スペーサ層とを含む。スペーサ層は、第１の磁性層と第２の磁性層との間に延在する銅電流狭窄を酸化マグネシウムの母材中に含む。スペーサ層は、銅と酸化マグネシウムとの混合物によって形成され、この混合物は、銅電流狭窄を酸化マグネシウム母材内に形成するために熱処理される。 （もっと読む）

【課題】スピン消極を引き起こすことなく、また、加熱処理を必要とせずに、［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層構造の十分な垂直磁気異方性を確保する。
【解決手段】このスピンバルブ構造は、上部の［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層リファレンス層２３の垂直磁気異方性を向上させるため、Ｔａ層と、ｆｃｃ［１１１］またはｈｃｐ［００１］構造を有する金属層とを含む複合シード層２２を備える。［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層リファレンス層２３は、ＣｏとＮｉとの界面の損傷を防止し、これにより垂直磁気異方性を保つため、低いパワーと高圧のアルゴンガスとを用いたプロセスにより成膜する。その結果、薄いシード層を用いることが可能となる。垂直磁気異方性は２２０℃の温度で１０時間にわたって熱処理を行った後であっても維持される。この構造は、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子やＣＰＰ−ＴＭＲ素子に適用できるほか、スピントランスファー発振器やスピントランスファーＭＲＡＭにも適用できる。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスおよび製造方法を開示する。ある特定の実施形態では、ＭＴＪデバイスを含む装置が開示される。このＭＴＪデバイスは、自由層およびスピントルク強化層を含む。スピントルク強化層は、ナノ酸化物層を含む。
（もっと読む）

【課題】スピン蓄積磁気センサのための三端子設計を提供する。
【解決手段】自由層をエアベアリング面に設けることを可能にする三端子設計を有するスピン蓄積センサ。（ＡＢＳに設けられた）自由層構造から、ＡＢＳから離された基準層構造にかけて、非磁性の伝導性スピン輸送層が広がる。センサは、基準層構造に電流を印加するための電流源または電圧源を含む。電流源または電圧源は、非磁性のスピン輸送層に、かつ電気的接地にも接続されたリードを有する。信号電圧を測定するための回路は、自由層構造に電気的に接続されたシールドと、接地との間の電圧を測定する。自由層構造は、電圧源へのリードに到達する前に全てのスピン電流が完全に散失されることを保証することによって、電圧源へのスピン電流の分流を阻止する、スピン拡散層を含むことができる。 （もっと読む）

多状態スピン注入磁気ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴＭＲＡＭ）は、膜上に形成され、第１の固定層と、第１のサブ磁気トンネル接合（サブＭＴＪ）層と、第１の遊離層とを有する第１の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を含む。第１の固定層および第１の遊離層はそれぞれ、第１の磁気異方性を有する。ＳＴＴＭＲＡＭは、第１のＭＴＪ層の上面に形成される非磁性間隔層と、非磁性間隔層の上面に形成される第２のＭＴＪ層とをさらに含む。第２のＭＴＪ層は、第２の固定層と、第２のサブＭＴＪ層と、第２の遊離層とを有する。第２の固定および第２の遊離層はそれぞれ、第２の磁気異方性を有し、第１または第２の磁気異方性のうちの少なくとも１つは、膜の平面と垂直である。
（もっと読む）

【課題】高密度記憶の磁気記憶装置に適用可能で、信頼性の向上が図られた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する金属層を含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記スペーサ層は、第１の金属層を成膜し、前記第１の金属層上に、前記絶縁層に変換される第２の金属層を成膜し、前記第２の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記金属層を形成する第１の変換処理を行い、前記第１の変換処理を通じて形成された前記絶縁層及び前記金属層上に、前記絶縁層に変換される第３の金属層を成膜し、前記第３の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記金属層を形成する第２の変換処理を行って形成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比のバイアス依存性を改善し、高い再生出力を有する磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】飽和磁化の異なる固定層１３と自由層１５を有し、かつホイスラー合金などの高スピン散乱材料を有する磁気抵抗効果素子において、固定層と自由層のうち飽和磁化が低い方の磁性層から高い磁性層の方に電子が流れるようにバイアス電圧を印加することで、高ＭＲ比と高バイアス耐性を両立し、高い再生出力を実現する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子（磁気ヘッド）のコア幅を微細化とすることができる磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドの製造方法及び磁気再生記録装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１０は、下地層１１と、反強磁性層１２と、ピンド層（固定側磁性層）１３と、非磁性中間層１４とが順次積層された状態で形成されるとともに、非磁性中間層１４の上面に形成された自由側磁性層（フリー層）１５の一部には、自発磁化を有する磁性金属３０を内部に内包したナノチューブ２０を有する。 （もっと読む）

【課題】高周波受信チェーンで使用されるこのような発振器において要求される出力にできるだけ近い出力を得るために出力を大幅に増加しながら、精細性の点で高周波放出の品質を保持または改善さえすることである。
【解決手段】高周波発信器は、電流が流れることができる内蔵の磁気抵抗装置を有し、前記磁気抵抗装置が、“トラップ層”（２）として知られる第１の磁性層であって、その磁化が固定方向である第１の磁性層と、“自由層”（１）として知られる第２の磁性層と、“中間層”として知られ、前記第１及び第２の層の間に配置される非磁性層（３）と、を備える。前記発振器は、前記層を含む平面に垂直な方向において、上述の積層体を構成する前記層に電流が流れることを引き起こすことができる手段をさらに備える。前記磁気抵抗装置を構成する３つの層の１つは、それを通って電流が流れる少なくとも１つの収縮領域（８、１１）を備える。 （もっと読む）

【課題】大容量磁気記録再生において必須の、微小な再生ヘッドの大量生産に対応できる、特性のばらつきの小さい単一の電流パスを有する電流狭窄層を備えた垂直通電型ＧＭＲ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ピン層１４上に中間層１５を成膜し、中間層１５上に保護層１６を成膜し、ピン層１４、中間層１５および保護層１６からなる多層膜をリソグラフィーによってパターニングし、パターニングされた多層膜を被覆するように絶縁膜を形成し、前記パターニングした多層膜を被覆している絶縁体２４を取り除いて開口部を設け、開口部に上方から希ガスのイオンビーム２６を照射することによって絶縁体２４の内周縁から開口部の中心部に向けてメンブラン２４ｂを成長させ、保護層１６に貫通孔を設け、貫通孔に前記中間層１５と同一材料を充填する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１及び第２磁性層の間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する導電部とを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、スペーサ層の母材となる膜を形成する第１工程と、前記膜に、酸素分子、酸素イオン、酸素プラズマ及び酸素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第１処理を施す第２工程と、前記第１処理が施された前記膜に、ヘリウムイオン、ヘリウムプラズマ、ヘリウムラジカル、ネオンイオン、ネオンプラズマ及びネオンラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第２処理を施す第３工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）