【課題】絶縁層の絶縁性を保ちつつ導電部の導電性を向上し、ＭＲ変化率の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、前記第１、第２磁性層の間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する導電部とを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、スペーサ層の母材となる膜を形成する第１工程と、前記膜に、酸素分子、酸素イオン、酸素プラズマ及び酸素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第１処理を施す第２工程と、前記第１処理が施された前記膜に、窒素分子、窒素原子、窒素イオン、窒素プラズマ及び窒素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第２処理を施す第３工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多値記録ができかつ熱的安定性の良い磁気メモリを提供することを可能にする。
【解決手段】第１強磁性層２と、第１強磁性層上に形成される第１非磁性層４と、第１非磁性層上に形成される第２強磁性層６と、第２強磁性層上に形成される第２非磁性層８と、第２非磁性層上に形成される第３強磁性層１０と、を有するメモリセル１を備え、第１および第３強磁性層はそれぞれ膜面に略垂直な磁化容易軸を有し、第２強磁性層は第１および第３強磁性層に比べて保磁力が小さくかつ磁化容易軸が膜面に垂直な方向に対して０度より大きく９０度以下の角度をなして傾いている。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１及び第２磁性層の間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する導電部とを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、スペーサ層の母材となる膜を形成する第１工程と、前記膜に、酸素分子、酸素イオン、酸素プラズマ及び酸素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第１処理を施す第２工程と、前記第１処理が施された前記膜に、クリプトンイオン、クリプトンプラズマ、クリプトンラジカル、キセノンイオン、キセノンプラズマ及びキセノンラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第２処理を施す第３工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１磁性層と第２磁性層との間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する導電部とを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、スペーサ層の母材となる膜を形成する第１工程と、前記膜に、酸素分子、酸素イオン、酸素プラズマ及び酸素ラジカルを含むガスを用いた第１処理を施す第２工程と、第１処理が施された膜に、水素分子、水素原子、水素イオン、水素プラズマ、水素ラジカル、重水素分子、重水素原子、重水素イオン、重水素プラズマ及び重水素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第２処理を施す第３工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】記憶層にかかる漏れ磁界を可及的に低減することを可能にする。
【解決手段】膜面に垂直方向の磁気異方性を有する強磁性層１０と、強磁性層上に設けられた第１の非磁性層８と、第１の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有するとともに前記強磁性層の磁化の向きと反平行の磁化を有し、かつ強磁性層の積層方向の膜厚の１／２．８以上１／１．５以下の膜厚を有する参照層６と、参照層上に設けられた第２の非磁性層８と、第２の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向の磁気異方性を有しスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する記憶層２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】低電圧のスピン注入電流により高抵抗状態から低抵抗状態へ書き換えることができるスピンＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】ｐウエル２にはソース領域３及びドレイン領域４が形成されている。ソース領域３上には強磁性体層６が形成され、ドレイン領域４上には強磁性体層９が形成されている。強磁性体層９上には、非磁性体層１０、第３強磁性体層１１が形成されている。ｐウエル２上にはオーミック電極１３が形成されている。強磁性体層６と強磁性体層１１は磁化が不変とされ、強磁性体層９は磁化が可変とされる。さらに、強磁性体層１１とオーミック電極１３との間には、強磁性体層９を介して電流が流される。 （もっと読む）

【課題】CPP構造磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、ピニング層とピン止めされる強磁性層の交換結合特性を劣化させることなく、磁気抵抗効果センサ膜の発熱を抑制し、放熱を向上させ、さらに高いSNRを達成する。
【解決手段】下部シールド層11と上部シールド層21との間に、少なくともピニング層13を有する磁気抵抗効果センサ膜20が配置されているCPP構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果センサ膜20を構成する少なくともピニング層13の側壁に、ピニング層13を構成する材料の電気抵抗率よりも小さい電気抵抗率を有する材料から構成される側面金属層30を設け、さらに側面金属層30が磁気抵抗効果センサ膜側壁に沿って下部シールド層11と接するように配置する。 （もっと読む）

【課題】 差動型再生ヘッドにおいて、２つの磁気抵抗効果素子の最大抵抗変化量が異なっていてもベースラインシフトが生じずに、良好なビットエラーレートが得られる再生ヘッドを提供する。
【解決手段】 差動型再生ヘッド２０は、第１の自由層２１０を有する第１の磁気抵抗効果素子２００と、差動ギャップ層１００と、第２の自由層３１０を有する第２の磁気抵抗効果素子３００が積層された積層構造４００を有す。ここで第１の磁気抵抗効果素子２００と第２の磁気抵抗効果素子３００の最大抵抗変化量がそれぞれＤＲ１とＤＲ２とし、第１の自由層に印加する磁区制御磁界をＨＢ１、第２の自由層に印加する磁区制御磁界をＨＢ２とするとき、以下の関係を満たすようにする。ＤＲ１＞ＤＲ２のとき、ＨＢ１＞ＨＢ２ＤＲ２＞ＤＲ１のとき、ＨＢ２＞ＨＢ１。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層とを有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直にセンス電流を流すための一対の電極とを有し、前記磁化固着層および前記磁化自由層の少なくともいずれか一方は、Ｃｏ，ＦｅまたはＮｉを含む磁性層と、Ｍｎを含有する金属材料および酸素を含有する機能層とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

磁場又は熱アシストスピン移動による書き込み用の磁性素子が、スタックを備え、該スタックが：・自由磁性層であって、スイッチ可能な磁化層（５１）又は記憶層とも呼ばれ、その磁化方向が、２つの非−書き込み安定状態の間をスイッチ可能であり、いずれも、面外及び前記層の平面に実質的に垂直に向けられ、書き込みの間の温度上昇の影響下において、その磁化が、平面に実施的に垂直な方向から、実質的に面内に、自発的に再配向される自由磁性層；・少なくとも１つの参照磁性層（５０，５５）であって、ピン止め層とも呼ばれ、その磁化が、前記層の平面と実質的に垂直に配向された参照磁性層；・前記２つの層の間に挿入された非磁性スペーサ（５２）；・前記層の平面に垂直に電流を流すための手段；を備える。
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【課題】高分解能および高信号対雑音比を実現可能な磁気再生ヘッドを提供する
【解決手段】再生ヘッド１は、下部シールド層２と上部シールド層１８の間にＭＴＪ素子１６を配置したＴＭＲセンサである。ＭＴＪ素子１６は、下部シールド層２の上に複合シード層１５を介して設けられている。複合シード層１５は、軟磁性層３と、アモルファス層４と、軟磁性層５と、バッファ層６とが下部シールド層２の側から順に積層されたものである。これにより、ＭＴＪ素子１６の結晶構造が、平滑性や均質性に優れたものとなる。複合シード層１５のうち、軟磁性層３、アモルファス層４および軟磁性層５は、下部シールド層２と共に実効シールド構造１４を形成している。これにより、実効シールド間距離がより低減される。 （もっと読む）

【課題】動作信頼性に優れたＳＴＴ−ＲＡＭに好適なＭＴＪ素子を提供する。
【解決手段】ＭＴＪ素子１１は、下部電極１０の側から、下部積層体１１１と上部積層体１１２とを順に備える。下部積層体１１１は、シード層５１、リファレンス層３３、トンネルバリア層３４を順に含むものである。上部積層体１１２は、積層面に沿った占有面積が下部積層体１１１よりも小さく、フリー層４０、キャップ層３８、ハードマスク３９を順に含むものである。リファレンス層３３は、非磁性金属からなる挿入層３３Ｃと、磁性層３３Ａとから構成される２層構造を有する。磁性層３３Ａは、積層面内における磁化容易軸（Ｘ軸方向）に沿って固定された磁化方向を有する自己ピンド層である。フリー層４０は、下部強磁性層３５と、ＮＣＣ層３６と、上部強磁性層３７とが順に積層された複合体である。 （もっと読む）

熱支援磁場書き込みまたは熱支援スピン移動書き込みを用いる磁気素子であって、固定方向の磁化を有する基準磁性層４３と、反強磁性層４１と交換トラップされた記憶磁性層４０であって、記憶層４０の磁化方向が、前記部材が反強磁性層４１のブロッキング温度より少なくとも高い温度に加熱され得る場合には、変化できる記憶磁性層４０と、基準層と記憶層との間に設けられた、絶縁もしくは半導電性層４２、または電流狭窄路を有する層と、を各々が含む磁気素子において、磁気素子３１がまた、磁性部材を加熱するための少なくとも１つの電気抵抗薄層４８を含むことを特徴とする磁気素子。
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【課題】線記録密度が向上しても高い再生出力、分解能ならびにＳＮＲが得られる磁気記録再生ヘッドを提供する。また、十分なビットエラーレートが得られる磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁気記録再生ヘッド１０は、差動型再生ヘッド２０と記録ヘッド２５を有する。差動型再生ヘッド２０は、第１の自由層２１０を有する第１の磁気抵抗効果素子２００と、差動ギャップ層１００と、第２の自由層３１０を有する第２の磁気抵抗効果素子３００が積層された積層構造４００を有し、積層構造４００の外側に一対の電極５０，５１と、一対の磁気シールド３０，３１を有する。ここで、第１の自由層２１０と第２の自由層３１０の内側の距離(G1)とビット長(b1)の比(G1/B1)を、０．６以上１．６以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】スピン注入による磁化反転の際に、磁化反転のバラツキを小さくしかつ反転電流を低減することを可能にする。
【解決手段】磁化の向きが固着された第１磁化固着層２、スピン偏極された電流が流れることによって磁化の向きが可変の磁気記録層６、および第１磁化固着層と磁気記録層との間に設けられた第１非磁性層４を有する磁気記録素子１と、磁気記録素子上に設けられ、高周波電流が流れることによって発生する高周波磁界を磁気記録層の磁化容易軸と略直交する方向に作用させる高周波電流磁界用配線３０と、高周波電流磁界用配線に対して、磁気記録素子と反対側に設けられたグランド線３５と、を含むメモリセルを備えている。 （もっと読む）

【課題】制御された蒸気の供給を可能とする。
【解決手段】液体又は固体の物質を保持する保持部４と、保持部を冷却する冷却手段５と、保持部の温度を検知する検知手段６と、検知手段により検出した温度に基づき、冷却手段を制御する制御手段７と、を有し、制御手段により、冷却手段を用いて保持部の温度を制御することで、液体又は固体の物質の気化又は昇華を制御して、物質の蒸気を供給する。蒸気供給装置の置かれた雰囲気での、液体又は固体から気化又は昇華した蒸気の圧力を測定する手段９又は１０を有し、制御手段は、測定された圧力に基づき蒸気の圧力が所定の値になるように保持部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ−ＧＭＲにおいて、適度な面積抵抗と高い磁気抵抗変化率を有し、かつ狭リードギャップの要請に対応した実用的な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が一方向に固着された第１の強磁性体膜１１７を含む強磁性固定層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第２の強磁性体膜１２３を含む強磁性自由層と、強磁性固定層と強磁性自由層との間に設けられた中間層１２１と、電流を絞り込むための電流狭窄層１２０を有し、強磁性固定層及び強磁性自由層の少なくとも一方は高分極率層を有する。 （もっと読む）

【課題】スクリーン層適用ＣＰＰ−ＧＭＲのヘッド抵抗を調整し歩留まりを向上する。
【解決手段】ヘッド抵抗が所望の抵抗範囲より高いヘッドに抵抗調整用の電流を流すことにより、磁気抵抗変化率は大きく劣化せずに、ヘッド抵抗を所望の範囲に調整する。 （もっと読む）

【課題】電子回路に用いられるマイクロ波発振素子およびマイクロ波検出素子を高効率化、小型化する。
【解決手段】マイクロ波発生素子は磁化固着層4と、電流を狭窄する機能とスピン偏極電流によりマイクロ波を発振させる機能を有する領域を複数個有する層5と、電流を狭窄する機能とスピン偏極電流によりマイクロ波を発振させる機能を有する領域の磁化の向きを空間的に非一様にする機能を有する層6とを備えており、積層方向に電流を流すことにより空間的に非一様な磁化の向きを有する領域にスピン偏極電流が流れるため、電流狭窄構造薄膜中の磁化に対してスピントランスファートルクが働き、マイクロ波を発振する。 （もっと読む）

【課題】出力直流電圧のピークの半値幅が十分に小さいスピントルクダイオード効果を利用した磁気デバイス、及び、このような磁気デバイスを利用した周波数検出器を提供する。
【解決手段】 磁化固定層３、磁化自由層５、及び磁化固定層３と磁化自由層５とに挟まれた非磁性層４を有する磁気抵抗効果素子１４と、磁気抵抗効果素子１４に対して、その積層方向に交流信号ｉを流すための入力端子ＩＮＰＵＴ１，ＩＮＰＵＴ２と、磁気抵抗効果素子１４から出力電圧を取り出す出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２とを備え、非磁性層４は、絶縁体からなる絶縁層部４ｂと、絶縁層部４ｂをその膜厚方向に貫通する導電体からなる電流狭窄層部４ａとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）