【課題】ＭＲ変化率および信頼性の向上が図れる磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，および磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と，磁化固着層上に配置され，かつ絶縁層と，この絶縁層を貫通する金属導電体と，を有するスペーサ層と，スペーサ層上に，金属導電体と対向して配置され，かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて動作速度の改善されたＭＴＪセルを利用したＸＯＲ論理回路を提供する。
【解決手段】ＭＴＪセルを備え、ＭＴＪセルの抵抗を第１抵抗値と第２抵抗値との間で変換させるためのＭＴＪセル駆動部と、基準抵抗と、基準抵抗とＭＴＪセルとの抵抗値を比較して論理“０”または論理“１”信号を出力する比較部と、を備えるＸＯＲ論理回路において、ＭＴＪセル駆動部は、ＭＴＪセルの上下部にそれぞれ配置された上部電極及び下部電極と、上部電極上を横切る平行な第１入力ラインないし第３入力ラインと、を備えることを特徴とするＭＴＪセルを利用したＸＯＲ論理回路である。 （もっと読む）

【課題】センス電流の通電によるＭＲ変化率の経時変化の低減が図られた磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁化固着層と，磁化自由層と，磁化固着層と磁化自由層との間に設けられたＡｌ，Ｓｉ，Ｍｇ，Ｔａ，Ｚｎ，Ｔｉからなる群より選択される少なくとも１種の元素を含む酸化物，窒化物，酸窒化物を主成分とする第１の絶縁層と第１の絶縁層を層方向に貫通する第１の電流パスを含む非磁性スペーサ層とを有し，磁化自由層に対して非磁性スペーサ層が形成された側とは反対側に配置される薄膜挿入層とを具備し，薄膜挿入層がＡｌ，Ｓｉ，Ｍｇ，Ｔａ，Ｚｎ，Ｔｉからなる群より選択される少なくとも１種の元素を含む酸化物，窒化物，または酸窒化物を主成分とすることを，特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＰ−ＣＰＰ型ＧＭＲ素子のエレクトロマイグレーション耐性を改善することができる電流狭窄構造を得る。
【解決手段】
ピンド層１４とフリー層１６との間に位置するスペーサ層１５は、２つの銅層２１ａ，２１ｂによって中間層３５を挟んだ３層構造を有する。中間層３５は、酸化マグネシウムからなる絶縁領域３３の中に銅からなる電流狭窄経路としての金属領域３４を多数含む。絶縁領域３３は、酸化アルミニウムにマグネシウムやクロム等をドープしたものでもよい。酸素と結合し易いマグネシウムの存在により銅の酸化が防止され、しかも酸化マグネシウムは銅結晶成長に適した結晶化テンプレートとなり得るため、銅の金属領域３４が十分に成長する。また、マグネシウムがドープされた酸化アルミニウムの最終的な応力状態は純粋な酸化アルミニウム層のそれと比べて異なるものとなり得る。このため、エレクトロマイグレーション耐性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 高いＭＲ比による高出力の垂直通電型の磁気抵抗効果素子、およびこのような磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供する。
【解決手段】 磁化固着層あるいは磁化自由層作成後、表面の酸化を行うことで酸化層を形成した後、イオンビーム照射、あるいはプラズマ照射を施すことで酸化層を薄膜化する。 （もっと読む）

一つ以上のスピン拡散層を有することにより電子スピンをＭＴＪの外に拡散させる磁気トンネル接合または磁気抵抗トンネル接合（ＭＴＪ）、及びスピンバルブのような磁性多層膜構造、または自由層の磁化を反転させるためのスピントランスファートルクによる書き込み電流を小さくしたスピンバルブ構造。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上が図られた磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の磁性層１４、スペーサ層１６、およびイオン、プラズマ、または熱で処理される被処理層を有する第２の磁性層１８を順に形成する。第２の磁性層をイオン等で応力調整処理することで電流狭窄部での膜残留応力を低下させ、磁気抵抗効果素子の信頼性の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】より高い信号検出感度を維持しつつ、エレクトロマイグレーションの発生を抑制することのできるスピンバルブ構造を提供する。
【解決手段】ピンド層２０は、フリー層２７の側から第１強磁性層１８と結合層１７と第２強磁性層１６とが順に積層されたシンセティック構造を有するものである。第２強磁性層１６は、面心立方構造を有するＣｏＦｅからなる第１および第２の強磁性膜１３，１５と、それらに挟まれた、Ｆｅ₅₀ Ｃｏ₅₀ やＦｅ₇₀ Ｃｏ₃₀ などからなる中間膜１４とを有する。第１および第２の強磁性膜１３，１５における他の層との界面は（１１１）面となっており、中間膜１４からの鉄原子やコバルト原子などの拡散が抑制される。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィで画定された導電性ビアで作成された制限電流路を有するＣＰＰ型読み取りセンサ、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性のスペーサ層１１３２を含むセンサスタック構造１１００が第１のシールド層１１７２の上に形成される。絶縁体層１１４０が、スペーサ層１１３２の上にそれに隣接して蒸着され、絶縁体層の１以上の部分を露出させるレジスト構造１３９２が、絶縁体層の上に形成される。レジスト構造が配置された状態で、露出した絶縁体層部分がエッチングによって除去されて、絶縁体からスペーサ層まで貫通する１以上の開口１４８２を形成する。続いて導電性材料１５３４が１以上の開口内に蒸着されて、電流制限構造１５８０の１以上のリソグラフィで画定された導電性ビア１５８２を形成する。導電性ビアは、読み取りセンサの検出領域における電流密度を増加させ、それによって同時にその抵抗と磁気抵抗を増加させる。 （もっと読む）

【課題】垂直通電型の磁気抵抗素子において、抵抗変化量の大きい磁気抵抗効果素子、及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 その結果として、素子抵抗を上昇させることなく、室温あるいはそれよりも昇温した温度範囲において、ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】低保持力（Ｈｃ＜５×１０³ ／（４π）Ａ／ｍ）、低磁歪（λｓ＜５×１０^-6）および高ＭＲ比（ｄＲ／Ｒ≧１０％）が得られる磁気再生ヘッドを提供する。
【解決手段】ＣＰＰ−ＧＭＲ磁気再生ヘッドに適用されるスピンバルブ構造体１のフリー層２７が、組成Ｃｏ_v Ｆｅ_(100-v) （ｖ＝２０原子％〜７０原子％）で表される高Ｆｅ含有量の下部ＦｅＣｏ層２５と、組成Ｎｉ_w Ｆｅ_(100-w) （ｗ＝８５原子％〜１００原子％）で表される高Ｎｉ含有量の上部ＮｉＦｅ層２６とを含んでいる。ｖ＝２０原子％未満およびｗ＝８５原子％未満である場合と比較して、保持力が低く維持されたまま、磁歪が低くなると共に、ＭＲ比が高くなる。 （もっと読む）

【課題】 熱電冷却構造を組み込むことで電流キャリー能力の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型ＧＭＲ素子を備えた磁気再生ヘッドおよびその製造方法、ならびに特定層の効果的冷却が可能な冷却方法を提供する。
【解決手段】 キャップ層２７からフリー層２６および非磁性スペーサ層２５における上側の導電層２５ｂに至る層には負の熱電ポテンシャル材料を用いる一方、非磁性スペーサ層２５における下側の導電層２５ａからピンド層２４、反強磁性層２２およびシード層（図示せず）に至る層には、正の熱電ポテンシャル材料を用い、上部導電リード層Ｓ２から、キャップ層２７、フリー層２６および非磁性スペーサ層２５を通ってピンド層２４、反強磁性層２２および下部導電リード層Ｓ１へと電流を流す。熱電冷却効果が発現し、電流による発熱の大部分を担う非磁性スペーサ層２５が局所的に冷却される。 （もっと読む）

【課題】適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置を提供することを可能にする。
【解決手段】センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層、フリー層あるいは非磁性中間層の少なくともいずれかに電子反射層を設ける。電子反射層は、酸化物、あるいは窒化物、あるいはフッ化物、あるいは炭化物でもよい。スピン依存散乱効果を有効に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数が少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。 （もっと読む）

磁気素子を提供するための方法及びシステムを開示する。本方法及びシステムには、固着層、自由層、及び固着層と自由層との間のスペーサ層を設ける段階を含む。スペーサ層は、絶縁性の層であり、また、規則的に配列された結晶構造を有する。また、スペーサ層は、スペーサ層をトンネル通過できるように構成される。一態様において、自由層には、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有する単一の磁性層が含まれる。他の態様において、自由層には、２つの副層が含まれ、第１副層は、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有し、第２副層は、より小さいモーメントを有する。更に他の態様において、本方法及びシステムは、更に、第２固着層、及び自由層と第２固着層との間に存在する非磁性の第２スペーサ層を設ける段階を含む。本磁気素子は、書き込み電流が磁気素子を通過する際、スピン転移により自由層を切り換えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 磁気メモリ装置に用いられる磁気素子を提供する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】 この磁気素子は、ピン止め層（１２２）、スペーサ層（１３）、自由層（１４０）、およびスピンバリア層（１５０）を備える。スペーサ層（１３０）は非磁性であり、ピン止め層（１２２）と自由層（１４０）の間に配置されている。自由層（１４０）は、書き込み電流が磁気素子に流れた場合に、スピン移動を用いて切り替え可能である。また、自由層（１４０）は、スペーサ層（１３０）とスピンバリア層（１５０）の間に配置されている。スピンバリア層（１５０）は、自由層（１４０）の減衰定数に対する外側表面の寄与を低減するように構成されている。 （もっと読む）