【課題】スピントランジスタを用いた論理演算を可能とする集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態の集積回路１は、磁化方向が互いに同じ方向となるＶ_ｌｏｗノード２２と出力ノード２３を有する第１のスピントランジスタ２と、磁化方向が互いに相反する方向となるＶ_ｈｉｇｈノード３２と出力ノード３３を有する第２のスピントランジスタ３と、を直列に接続した回路を含む。 （もっと読む）

【課題】スピントランジスタを用いた論理演算を可能とする集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態の集積回路１は、第１のチャネル長Ｌ_１を有する第１のスピントランジスタ２と、第１のチャネル長Ｌ_１とは異なる第２のチャネル長Ｌ_２を有する第２のスピントランジスタ３と、を直列に接続した回路を含む。 （もっと読む）

【課題】スピン偏極装置と他の素子の電気的な接続が、より容易に行えるようにする。
【解決手段】第１オーミック電極１０７の側の電界印加電極１０６の側面１０６ａと同一平面上で第２半導体層１０４に形成された第１側面１０４ａと、第２オーミック電極１０８の側の電界印加電極１０６の側面１０６ｂと同一平面上で第２半導体層１０４に形成された第２側面１０４ｂと、第１オーミック電極１０７の側の電界印加電極１０６の側面１０６ａと同一平面上で第３半導体層１０５に形成された第３側面１０５ａと、第２オーミック電極１０８の側の電界印加電極１０６の側面１０６ｂと同一平面上で第３半導体層１０５に形成された第４側面１０５ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】低消費電力でありながら、磁化方向の高速スイッチングが可能な磁気スイッチング素子を提供する。
【解決手段】この磁気スイッチング素子１００は、磁性酸化物層３０と、上記磁性酸化物層３０の一方面側に位置する非磁性電極層４０と、上記磁性酸化物層３０の他方面側に位置する磁性金属層２０と、上記非磁性電極層４０と上記磁性金属層２０との間に正逆電圧を印加するための電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】磁化反転に高い電流密度を必要とせず、磁化の熱安定性の低下を抑制して、高い記録密度が可能な磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁性素子の可動層が強磁性体層と電気磁気効果を有する酸化物反強磁性体層の２層構造であり、情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリ。酸化物反強磁性体層を形成する方法として、Ａｕ（１１１）層の上に３回対称のＣｒ（１１０）層をエピタキシャル成長させて形成するＣｒ層形成ステップと、形成されたＣｒ（１１０）層を酸化させて３回対称のＣｒ_２Ｏ_３（０００１）層を形成するＣｒ層形成ステップとを有している情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリの製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来技術のＭＲＡＭメモリ・セルの欠点を克服し、とりわけ、従来技術のＭＲＡＭメモリ・セルと比較して「書き込み」動作を改良可能とした、ＭＲＡＭメモリ・セルを提供する。
【解決手段】 本発明に従ったメモリ・セルは、その磁化の相対配向がデータ・ビットを定義する、第１および第２の強磁性層（１１、１２）を含む磁気素子を備え、第１および第２の強磁性層は、非強磁性の、好ましくは電気的に絶縁の、スペーサ層（１３）によって分離されている。データ・ビットは、磁気ＲＡＭの分野で知られているように、たとえば、磁気素子全体にわたる、好ましくは層面に垂直の電気抵抗を測定することによって、読み出しが可能である。磁気素子に加えて、メモリ・セルは、その磁化方向が明確である、他の第３の強磁性層（１５）と、印加される電気的電圧信号によってイオン濃度を変化させることにより、そのキャリア密度が変更可能である、抵抗切り替え材料（１４）と、を備える。これにより、キャリア密度を、第１の状態と第２の状態との間で切り替えることが可能であり、第２と第３の強磁性層の間の有効交換カップリングは、第２および第３の強磁性層の磁化間で磁気カップリング全体の方向が変化するように、すなわち、磁気カップリング全体が第２および第３の強磁性層の磁化方向の異なる相対配向を好むように、影響を受ける。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流の低減と読み出し時のＭＲ比の向上を同時に実現する。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、磁化方向が互いに逆向きに固定される第１及び第２強磁性層11A, 11Bと、第１及び第２強磁性層11A, 11Bの間に配置され、磁化方向が変化する第３強磁性層12と、第１強磁性層11A及び第３強磁性層12の間に配置される第１非磁性層13Aと、第２強磁性層11B及び前記第３強磁性層12の間に配置される第２非磁性層13Bとを備える。読み出し電圧Irをバイアスしたときに、第１ユニットU1のＭＲ比は、インバース状態にあり、第２ユニットU2のＭＲ比は、ノーマル状態にある。書き込み電圧Iw”0”, Iw”1”をバイアスしたときに、第１及び第２ユニットU1, U2のＭＲ比は、共に、ノーマル状態にある。 （もっと読む）

【課題】磁気的に軟らかい基準層を有する磁気抵抗素子のための読出し方法の提供。
【解決手段】データ層および基準層を含む磁気トンネル接合を有する磁気抵抗素子の読出し方法であって、ビット線の一端から当該ビット線の他端に読出し電流を供給し、前記基準層の磁化を既知の向きに一時的に設定する段階と、ワード線と前記ビット線の他端との間に、前記磁気トンネル接合を介して電圧を印加し、前記磁気トンネル接合にセンス電流を流す段階と、前記読出し電流と前記センス電流との和から前記磁気トンネル接合の抵抗を判定する段階と、を有することを特徴とする読出し方法。 （もっと読む）

【課題】ローバーあるいは磁気ヘッドスライダの浮上面研磨加工後に、ドライエッチングを行うと、研磨加工時の塑性流動による導電性スメアを除去することは可能であるが、磁気抵抗効果膜の中間層の端面に損傷領域が形成され、出力の低下或いは絶縁耐圧の低下などの問題が発生する。
【解決手段】ローバー５０あるいは磁気ヘッドスライダ１０の浮上面機械研磨後に、導電性スメアを除去するためにイオンビーム照射によるクリーニングを行い、イオンビーム照射により磁気抵抗効果膜５の中間層１４の端面に形成されている損傷領域１４ａを回復させるために酸素曝露を行い、この後、浮上面保護膜７，８を形成し、続いてレール加工を行う。ローバーに対して上記処理を行った場合は、ローバーを切断して個々の磁気ヘッドスライダに分離する。 （もっと読む）

【課題】当該ホール素子を含めたその周辺の電位を固定して、より高い精度での磁気検出を可能とする縦型ホール素子を提供する。
【解決手段】導電型不純物の添加された（ドーピングされた）多結晶シリコンからなる導電性膜材ＣＴを当該ホール素子の半導体基板の内部に形成し、該導電性膜材ＣＴとコンタクトを形成する配線を介して、同基板をグランド電位に固定する。またここでは、導電性膜材ＣＴを、同基板に形成されたトレンチＴ１の内部に絶縁膜ＩＬ１を介して埋設するようにして、これにより、当該半導体基板の内部に磁気検出部ＨＰ１を区画形成するようにしている。 （もっと読む）

【課題】装着する部位の形状にかかわらず、所望の部位に取り付けて磁界を測定することができ、また量産性にも優れる有機半導体を用いたホール素子を提供する。
【解決手段】有機半導体層４の一方向にドレン電流Ｉ_Ｄを供給するため有機半導体層４の両端部にそれぞれ配設した一対の電極であるドレン電極５及びソース電極６と、有機半導体層４の表面にゲート絶縁層を介して配設されたゲート電極と、有機半導体層４を磁界Ｂ中に置いた場合に、磁界Ｂ及びドレン電流Ｉ_Ｄに対して直角方向に発生するホール電界に基づくホール電圧を取り出すため、ドレン電極５及びソース電極６に対して直角方向で有機半導体層４の他の両端部にそれぞれ配設した一対のホール電極１，２とを有する。 （もっと読む）

【課題】種々の用途に使用できる導電制御デバイスを提供すること。
【解決手段】導電制御デバイスは、比較的大きい飽和保磁力を有する第１強磁性領域（６）と、比較的小さい飽和保磁力を有する第２強磁性領域（８）と、第１強磁性領域と第２強磁性領域との間に配置された接合領域（１１）とを備え、このデバイスは、更に接合領域内の電荷キャリア密度を制御するよう接合領域に電界を加えるためのゲート（３）も備える。 （もっと読む）

ホール素子（１１０）は、セグメント化された電界効果プレート（１６０、１６５、１７０、１７５）を備える。動的バイアス制御が、電界効果プレートのセグメントに加えられる。一実施形態では、フィードバック信号が、ホール素子の増幅された出力から得られる。フィードバック信号は、特定の局部領域中のシート導電性を制御するために、電界効果プレートのセグメントに加えられる。一実施形態では、金属電界効果プレートが、ホール素子のバイアスコンタクトと検知コンタクトの間のラインに沿って４つのセグメントに分割される。対向した斜めのセグメントが、電気的に接続される。
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