【課題】狭い再生ギャップ長においても、縦バイアス印加層から自由層に適度な縦バイアス磁界を効率よく印加する。
【解決手段】磁気抵抗効果センサ膜のトラック幅方向において、縦バイアス印加層２０を磁気抵抗効果センサ膜近傍までほぼ同様な厚さとし、かつ、縦バイアス印加層２０の磁気抵抗効果センサ膜側の端部を自由層１６のトラック幅方向の端部よりトラック幅方向の外側に配置し、さらに、縦バイアス印加層２０のトラック幅方向絶縁層２２との境界線の最も基板に近い境界線を、磁気抵抗効果センサ膜と下部シールド層１１の界面よりも下側に位置させる。 （もっと読む）

【課題】センサ膜のエッチングの際に生じる再付着やダメージによつ特性劣化を防止すると共に狭トラック幅化や特性安定化を図る。
【解決手段】浮上面におけるセンサ膜の膜厚をＴ、センサ膜を構成する自由層と固定層の間にある中間層の端部からセンサ膜最下部の端部までの距離をＸとするとき、１．２×Ｔ≦Ｘ≦２．５×Ｔ を満たし、かつ、トラック幅方向の両側に絶縁膜を介して接している一対の磁性膜の端部が自由層端部よりもトラック中央部に存在しないようにする。センサ膜のエッチングはエッチングビームの入射角度を切り替えながら行い、センサ膜面に対する法線方向を入射角度０とすると、そのエッチングビームの入射角度は後になるほど小さくなる条件にてエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】より高い抵抗変化率を安定して得ることができ、さらなる高記録密度化に対応可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】この磁気抵抗効果素子は、一定方向に固着された磁化を有する磁化固着層２３と、介在層２４と、外部磁界に応じて磁化の向きが変化する磁化自由層２５とが順に積層されたＭＲ膜を備える。介在層２４は、銅からなる第１および第２の基材層２４２Ａ，２４２Ｂに分布した非導電性の酸化物層２４３を有すると共に、銅よりも酸化しにくいイリジウムからなり磁化固着層２３と接する金属層２４１をも有するものである。酸化物層２４３は電流狭窄効果をもたらす一方、金属層２４１は介在層２４の内部への不要な金属元素の浸入を抑制する。 （もっと読む）

【課題】適当な抵抗で高出力なＣＰＰ−ＧＭＲ素子を有する磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】固定層１１４と、自由層１１７と、電流を絞り込むための電流狭窄層１１６とを有するＣＰＰ−ＧＭＲヘッドにおいて、電流狭窄層の表面を平坦化処理することにより、電流狭窄層の膜厚に揺らぎを持たせる。電流狭窄層に膜厚の揺らぎを形成することで、膜厚の薄いところが選択的に低抵抗な金属相になり、低抵抗相が電流パスになるため、膜厚揺らぎを制御することで電流の絞込み効果を調節することができる。 （もっと読む）

【課題】
ＧＭＲ素子を用いた、角度のような物理量の変位を検出する変位検出センサにおける出力電圧の波形歪みを低減し、高精度のＧＭＲ素子を用いた変位検出センサを提供する。
【解決手段】
所定の磁化の向きに設定された固定磁性層を有する複数のＧＭＲ素子からなる、所定の角度オフセットを有する少なくとも２つのホーイストン・ブリッジ回路を設置し、前記ホーイストン・ブリッジ回路の電源を交流電源として、前記ホーイストン・ブリッジ回路の交流変調された出力に基づいて回転角度当の物理量の変位を検出する構成とした。
【効果】
ＧＭＲ素子のフリー磁性層の異方性自己バイアス効果を低減でき、フリー磁性層の異方性自己バイアス効果に基づく出力信号の波形歪みが改善できる。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層が、その面に平行な断面において混在するように絶縁部と導電部とを含む磁気抵抗効果素子において、絶縁部の形成に伴う磁気抵抗効果の劣化を抑制する。
【解決手段】ＭＲ素子５のスペーサ層２４は、固定層２３の上に配置された非磁性金属層４１と、非磁性金属層４１の酸化または窒化を防止するために非磁性金属層４１の上に配置された保護層４２と、保護層４２の上に配置された島状構造の絶縁層４４と、これらを覆う被覆層４６とを有している。固定層２３の上面に対して垂直な方向から見たときに、スペーサ層２４には、絶縁層４４が存在している領域と絶縁層４４が存在していない領域とが形成されている。絶縁層４４が存在していない領域の少なくとも一部における保護層４２の厚みは、０であるか、絶縁層４４が存在している領域における保護層４２の厚みよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ−ＧＭＲ型の磁気抵抗効果素子において、低ＲＡ領域で高い磁気抵抗変化率を得る。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、下部層と、上部層と、下部層と上部層との間に挟まれたスペーサ層と、を有している。下部層と上部層の一方は外部磁界に対して磁化方向が固定され、下部層と上部層の他方は外部磁界に応じて磁化方向が変化し、下部層、スペーサ層、および上部層の各層を膜面垂直方向にセンス電流が流れるようにされている。スペーサ層８は、スペーサ層８の膜面と平行な少なくとも一つの断面において、単位断面積あたりの電気抵抗が相対的に小さい第１の材料からなる第１の領域８４と、単位断面積あたりの電気抵抗が相対的に大きい第２の材料からなる第２の領域８５と、を有し、第２の材料は、アルミニウム、ケイ素、クロム、チタン、ハフニウムのいずれかと、マンガンと、酸素と、からなる組成物を主成分としている。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層が、その面に平行な断面において混在するように絶縁部と導電部とを含む磁気抵抗効果素子において、ＭＲ比の低下を抑制し、特性のばらつきを小さくする。
【解決手段】ＭＲ素子５のスペーサ層２４を形成する工程は、第１の磁性層の上に第１の非磁性金属層を形成する工程と、第１の非磁性金属層の上に島状構造の第２の非磁性金属層を形成する工程と、第２の非磁性金属層が除去されると共に第１の非磁性金属層の上面に凹凸が形成されるように、第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層の上面をエッチングする工程と、第１の非磁性金属層の上に絶縁層を形成する工程と、第１の非磁性金属層の上面における凸部が露出し、且つ第１の非磁性金属層の上面における凹部に絶縁層が残るように絶縁層の一部をウェットエッチングによってエッチングする工程と、第１の非磁性金属層および絶縁層の上に第３の非磁性金属層を形成する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、オフセット電圧の補正精度を向上させることができる、ホールセンサ及びホール電圧補正方法の提供を目的とする。
【解決手段】制御電流を流した状態で磁界を印加したときにホール電圧を発生するホール素子１を有し、ホール素子１のホール電圧に応じたセンサ値を出力するホールセンサであって、ホール素子１にオフセット検出用電流を流すオフセット検出用電源３と、オフセット検出用電源３からホール素子１にオフセット検出用電流を流した状態でホール素子１の抵抗値を測定し、測定された抵抗値に基づいて前記制御電流を流したときのホール素子１のオフセット電圧を算出する演算回路８とを備え、演算回路８によって算出されたオフセット電圧によってホール素子１に発生したホール電圧を補正することを特徴とする、ホールセンサ。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の面積を縮小し、書き込み電流値の低減を図る。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、磁化方向が固定された固定層１１と磁化方向が反転可能な記録層１２と固定層及び記録層の間に設けられた非磁性層１３とを有し、記録層の中央に空洞部２０ａが形成され、固定層及び記録層の間に流す電流の向きに応じて固定層及び記録層の磁化方向が平行状態又は反平行状態となる磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、空洞部内に形成された絶縁層２０と、磁気抵抗効果素子の一端に接続された配線２２と、磁気抵抗効果素子の他端に接続されたトランジスタＴｒとを具備する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗及びインターレイヤーカップリングの問題を生じることなく、高い磁気抵抗効果を発現できるような新規な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】実質的に磁化方向が固着された第１の磁性層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間において、絶縁部分と磁性金属部分とが交互に位置するようにして設けられた中間層と、前記第1の磁性層、前記中間層及び前記第２の磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電するための電極とを具え、前記中間層において、前記磁性金属部分が非強磁性金属を含むようにして磁気抵抗効果素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率の向上が図れる磁気抵抗素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された第１の磁性層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と、上記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられたスペーサ層とを有し、上記第１の磁性層と前記第２の磁性層の少なくともいずれかは、式Ｍ１_ａＭ２_ｂＸ_ｃ（５≦a≦６８、１０≦ｂ≦７３、２２≦ｃ≦８５）で表される磁性化合物を有し、Ｍ１は、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素、Ｍ２は、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素、Ｘは、Ｎ，Ｏ，Ｃから選択される少なくとも一種の元素である。 （もっと読む）

【課題】より簡易な加工プロセス、成膜プロセスを用いて、高出力、低コスト、及び、量産性に優れたマイクロ波発振素子及びその製造方法、並びに該マイクロ波発振素子を備えた発振装置を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ波発振素子は、第１の電極と、磁化方向が固定された磁化固定層と、中間層と、磁化方向を変化させることのできる磁化自由層と、第２の電極とが、この順に積層されて構成されるマイクロ波発振素子において、前記磁化自由層もしくは前記第２の電極のどちらか一方がナノ粒子からなっている。これにより、従来と比較してより簡易な加工プロセス、成膜プロセスを用いて、高出力、低コスト、及び、量産性に優れたマイクロ波発振素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗領域（1平方ミクロンあたり１オーム以下の領域）において、巨大な磁気
抵抗比を持つＣＣＰ（current confined path: 電流狭窄）−ＣＰＰ（current perpendicular to plane: 電流が面直に流れる形状）型の巨大磁気抵抗素子、および当該巨大式抵
抗素子を用いた磁気センサを提供する。
【解決手段】ＣＣＰ−ＣＰＰ型巨大磁気抵抗素子Ａは、反強磁性層１と、磁化固定層３と、中間層７ａと、磁化自由層５による積層構造を有し、膜面に対して垂直に電流が流れる構造に形成されている。このとき、中間層７ａとして微小孔を有する（００１）方位に優先配向した極薄酸化マグネシウム層を使用することにより、磁化自由層５から磁化固定層３（あるいはその反対方向）に流れる電流が微小孔中の金属により狭窄され、電極層の寄生抵抗の影響が相対的に減少するため磁気抵抗比が増大する。 （もっと読む）

【課題】高密度記憶の磁気記憶装置に適用可能で、信頼性の向上が図られた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する金属層を含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記磁化固着層、前記スペーサ層を構成する前記第１の金属層、前記第２の金属層、及び前記第２の金属層が前記絶縁層に変換された後の絶縁層、並びに前記第３の非磁性金属層の少なくとも一箇所に、イオン、またはプラズマを照射して、各層間の密着性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】秩序化温度が低減されたホイスラー合金を含み、より高い信号検出感度を得ることのできるスピンバルブ構造を提供する。
【解決手段】スピンバルブ構造１は、フリー層１８と、非磁性スペーサ層１７と、フリー層１８の側から第１強磁性層１５と結合層１４と第２強磁性層１３とが順に積層されたＳｙＡＰ層１６とを有するＣＰＰ−ＧＭＲセンサである。第１強磁性層１５およびフリー層１８は、Ｃｏ₂ ＭｎＳｉなどのホイスラー合金からなる複数のホイスラー合金層と、それらのホイスラー合金層の間に設けられた挿入層との多層構造を有している。挿入層はアルミニウムやＦｅＣｏによって構成されている。これにより、ホイスラー合金における結晶構造を秩序化するためのアニール温度が低減される。 （もっと読む）

【課題】煩雑な工程を追加することなく高精度かつ低コストで製造でき、所望の特性を容易に得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】
磁化方向が固定されたピンド層４３と、非磁性のスペーサ層４４と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層４５とが、スペーサ層４４がピンド層４３とフリー層４５との間に位置するように積層された磁気抵抗効果素子４が、積層方向に直交する方向から見てスペーサ層４４にてくびれた形状を有している。フリー層４５の最も幅の広い部分は、スペーサ層４４の最も幅の狭い部分の１．３３倍以上の幅を有しており、１．７７倍以上の面積を有している。フリー層の最も幅の広い部分の幅は６０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】クロスポイント型のMRAMは回りこみ電流による誤読出しを抑制するために選択トランジスタやダイオードをセル内に必要とするため、セルを小型化することが困難であった。また、1方向のみの駆動電流で書き換えを行うことが困難であった。
【解決手段】非対称性および非線形性を有する磁気抵抗効果素子により、磁気抵抗効果素子のみメモリセルを構成できセル面積の小型化とクロスポイント型のメモリを実現する。さらに、磁気抵抗効果素子の構成と駆動電流方向の組み合わせを適正化することで１方向のみの駆動電流で書き換え可能な不揮発メモリを実現する。 （もっと読む）

【課題】高出力・高分解能・低ノイズのスピン蓄積素子を提供する。
【解決手段】スピン流狭窄層405を、電圧検出用磁性導体406と非磁性導電体401との間に備える。スピン流狭窄層にはスピン流しか流れない。スピン流の狭窄化によって、抵抗変化を生じる散乱体以外の余分な部分にスピン流が流れることを防ぐことができるので、スピン蓄積素子の検出効率が飛躍的に上がる。 （もっと読む）

【課題】十分に高い強磁性層との交換結合を確保し、磁気抵抗効果ヘッドの歩留まりや信頼性を向上する。
【解決手段】斜め入射法により作製した傾斜結晶粒構造反強磁性膜２３を用いることにより、強磁性膜２４との高い交換結合磁界が得られる。それを適用した磁気抵抗効果ヘッドは歩留まり、信頼性に優れ、高い出力が得られる。 （もっと読む）