【課題】室温付近で電圧によりキュリー温度を変化させることができ、かつ大きな磁化、即ち大きな磁界を発生させることが可能な電圧駆動型電磁石を提供する。
【解決手段】鉄、コバルト、ニッケルのうちのいずれか、もしくはこれらのうち少なくとも一つを含む合金からなる強磁性金属薄膜層１２と、前記強磁性金属薄膜層１２の片側に積層された絶縁層２０と、前記絶縁層２０の、前記強磁性金属薄膜層１２とは反対側に設けられたゲート電極３０と、前記強磁性金属薄膜層１２と前記ゲート電極３０の間に電圧を印加する電圧印加部４０とを備える電圧駆動型電磁石を提供する。また、強磁性金属薄膜層１２内の磁化を特定の方向に配向させる下地層１３と、配向させた強磁性金属薄膜層１２内の磁化の方向を維持させるキャップ層１１を備える。 （もっと読む）

【課題】ホール素子を有する磁気センサにおいて、簡易な回路構成である信号処理回路で、ホール素子の出力電圧に含まれるオフセット電圧及びフリッカノイズを除去することのできる磁気センサを提供する。
【解決手段】ホールプレートＨは、ホールプレートＨを流れる電流のキャリアの種類を、ゲート電極Ｇの電位Ｖｇにより、電子または正孔のいずれか一方にすることが可能な両極性材料から形成される。さらに、入出力端子ＴＡ，ＴＡ’，ＴＢ，ＴＢ’が、ホールプレートＨの面内で対向する電流入力端子対と電圧出力端子対とになり、その際に電流入出力端子対と電圧出力端子対とが互いに直交するような位置に形成される。 （もっと読む）

【課題】 調整可能なグラフェンを用いた磁界センサを提供する。
【解決手段】 グラフェンセンス層を採用する磁界センサであって、センス層内を移動する電荷キャリアに作用するローレンツ力が、グラフェン層内を移動する電荷キャリアの経路に変化をもたらす。磁界の存在を示すこの経路の変化を検出することができる。センサは、非磁性の電気的絶縁材料によってグラフェン層から分離される１つまたは複数のゲート電極を含む。ゲート電極へのゲート電圧の印加により、グラフェン層の電気抵抗が変化し、このゲート電圧の印加を用いて、センサの感度および速度を制御することができる。 （もっと読む）

本発明の３層磁気素子は、基板上に、水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第１の層Ｏを含み、その上に金属磁気層Ｍが設けられ、金属磁気層Ｍの上に水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第２の層Ｏ’、あるいは非強磁性体金属層Ｍ’が設けられる。層Ｍは連続しており、１〜５ｎｍの厚さを有し、その磁化は、層ＯおよびＯ’が無い状態で層面に平行である。室温以上のある温度範囲で、層Ｍの実際の消磁磁界を低減できる、あるいは層Ｍの磁化を層面に対しほぼ垂直に向けることができる、界面Ｏ／ＭおよびＭ／Ｏ’の層面に垂直な界面磁気等方性がある。
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【課題】垂直磁化膜を磁気センサやメモリデバイスとして利用する場合、その磁化反転磁界を低減することが重要である。また、垂直磁化膜と関連して作製される均一な絶縁膜等を必要としない構成が重要である。
【解決手段】磁気センサやメモリデバイスに利用される電流磁気効果素子は、非導電性の基板１０と、膜面に垂直な方向に磁気異方性を有する第１磁性層１１と、第１磁性層１１の上に形成された強磁性体の第２磁性層１２を有する。第２磁性層上には、２点間で電流を流すために電流電極１４ａと１４ｂが配置され、電流を流す方向と直角方向の別な２点間でホール電圧を検出するために電圧電極１５ａと１５ｂが配置される。 （もっと読む）

各データ担持ナノワイヤが、そのナノワイヤの全長に沿って複数の交差するナノワイヤを有して、磁壁ピン留めサイトを構成する交差接合部を形成する。データは、交差するナノワイヤとの整列と反整列の間で交番する磁界の作用の下で磁区を動かすことによって、各データ担持ナノワイヤを通って送られる。データは、上向きキラリティ横磁壁および下向きキラリティ横磁壁が、０および１を符号化するのに使用されて、磁壁のキラリティに符号化される。データは、事前定義されたキラリティの磁壁を有する磁区を核形成することができる適切な核形成磁界発生器を使用して、各ナノワイヤの中にクロック制御されて入れられる。データは、このキラリティを検知する適切な磁界センサを使用して、各ナノワイヤからクロック制御されて出される。
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この磁性多層膜は、連続する交互の磁性金属層Ｍ、及び、酸化物層、水素化物層または窒化物層Ｏを基板上に備える。前記層Ｍの数が、少なくとも２に等しい。前記層Ｍが、連続である。前記Ｍ／Ｏ界面のレベルにおける前記層の平面に垂直な界面の磁気異方性がある。
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【課題】装着する部位の形状にかかわらず、所望の部位に取り付けて磁界を測定することができ、また量産性にも優れる有機半導体を用いたホール素子を提供する。
【解決手段】有機半導体層４の一方向にドレン電流Ｉ_Ｄを供給するため有機半導体層４の両端部にそれぞれ配設した一対の電極であるドレン電極５及びソース電極６と、有機半導体層４の表面にゲート絶縁層を介して配設されたゲート電極と、有機半導体層４を磁界Ｂ中に置いた場合に、磁界Ｂ及びドレン電流Ｉ_Ｄに対して直角方向に発生するホール電界に基づくホール電圧を取り出すため、ドレン電極５及びソース電極６に対して直角方向で有機半導体層４の他の両端部にそれぞれ配設した一対のホール電極１，２とを有する。 （もっと読む）