【課題】十分な感度を有したｐ型キャリアのホール素子の製造に適した半導体基板を提供する。
【解決手段】表面の全部または一部がシリコン結晶面であるベース基板と、前記ベース基板の上に位置し、前記シリコン結晶面に達する開口を有し、結晶の成長を阻害する阻害体と、前記開口の底部の前記シリコン結晶面の上に位置する第１結晶層と、前記第１結晶層の上に位置し、互いに離して配置した一対の第１金属層と、前記第１結晶層の上に位置し、互いに離して配置した一対の第２金属層と、を有し、前記一対の第１金属層のそれぞれを結ぶ第１最短線と、前記一対の第２金属層のそれぞれを結ぶ第２最短線とが、交わる関係、または、ねじれの位置関係にある半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】高感度で消費電力が低く、かつ、温度特性にも優れたホール素子の提供すること。
【解決手段】Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ａｓ_Ｙ１Ｓｂ_１−Ｙ１（０≦Ｘ１≦１、０≦Ｙ１≦１）からなる活性層の上下に、この活性層より大きな禁制帯幅を有する化合物半導体層を配置した半導体薄膜と、金属電極層を形成する領域の上部の化合物半導体層をエッチングして活性層が露出された半導体薄膜をすべて覆うように設けられた第一保護層と、パターンニングした第一保護層をマスクとして用いて半導体薄膜の感磁部及び電極接触部以外をエッチングして露出した基板と半導体薄膜の側面及び第一保護層を被覆した第二保護層と、この第二保護層と第一保護層とをエッチングして露出された活性層のみに接触する金属電極層とを備えた。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高感度かつ小面積の半導体磁気センサーを低コストで提供すること。
【解決手段】半導体基板上に化合物半導体から構成されたエピタキシャル成長層を分割することにより形成された３つのメサ領域が形成されている。メサ１０Ｃはホール素子部１００として使用される。メサ１０Ａ及びメサ１０Ｂは、それぞれホール素子部１００からの出力を増幅するための電界効果トランジスタ部２００Ａ、２００Ｂとして使用される。メサ１０Ｃとメサ１０Ｂ、メサ１０Ｃとメサ１０Ａはそれぞれ隣接して設けられているが、これらのメサ同士はエッチングにより分断されることによって絶縁されている。電圧検出用電極２０Ａ及び２０Ｂは、それぞれ電界効果トランジスタ部２００Ａ及び２００Ｂのゲート電極４０Ａ、４０Ｂに直接接続されている。 （もっと読む）

【課題】特性劣化が小さい半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子は、基板上に形成されたメサ構造を有する化合物半導体膜１と、化合物半導体膜１上に形成された短絡電極２と、外部との電気的接続を行うための取り出し電極３とを備える。短絡電極２および取り出し電極３は、化合物半導体膜１のメサ部分に接合する。取り出し電極３と化合物半導体膜１のメサ構造の長辺端部との接合面は、（１１１）面、（１−１−１）面、（−１１−１）面、および（−１−１１）面に平行な面のうち、少なくとも１つの面に対して−１５°〜＋１５°の範囲であり、（１１−１）面、（１−１１）面、（−１１１）面、および（−１−１−１）面に平行な面に対して−１５°〜＋１５°の範囲では、接合部が無いように形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果に基づくハードディスクドライブのための読み取り／書き込みヘッドにおける現行の読み取り要素におけるスピントルクおよび熱誘導磁気ノイズに起因する問題を解消すること。
【解決手段】電界を検出するためのデバイスは、第１、第２および第３のリード線と、これらリード線の間に接合部とを備え、接合部とリード線とは１つの平面内に配置されており、接合部は平面に垂直な方向に量子閉じ込めを行うようになっており、第１のリード線は接合部の一方の側に配置され、第２および第３のリード線は接合部の反対側に配置されており、第１のリード線は接合部に進入する電荷キャリアの回転角方向の分布を制限するようになっており、よって電荷キャリアが第１のリード線から接合部に流入するときに、電荷キャリアは実質的に非発散ビームとして前記第１のリード線から現れる。 （もっと読む）

【課題】リードフレーム及び半導体チップを封止するモールド樹脂とを備える半導体素子において、高温での特性劣化を抑制した半導体素子を提供すること。
【解決手段】半導体素子は、Ｃｕを含むリードフレーム ｂと、リードフレーム ｂ上に配置された半導体チップ ａと、リードフレーム ｂ及び半導体チップ ａを封止する、ハロゲンを含有しないモールド樹脂 ｃとを備える。モールド樹脂 ｃには、難燃化材として、ＳｎＯ₃、ＣｕＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、ＭｏＯ₃等の金属酸化物、Ａｌ（ＯＨ）₃、Ｍｇ（ＯＨ）₂、ＺｎＳｎ（ＯＨ）₆等の金属水酸化物、２ＺＯ・３Ｂ₂Ｏ₃・３．５Ｈ₂Ｏ、（ＮＨ₄）₂Ｏ・５Ｂ₂Ｏ₃・８Ｈ₂Ｏ等のホウ酸を含有する化合物等を含むエポキシ樹脂を用いることができる。また、モールド樹脂 ｃは、主鎖にベンゼン環を有する安定で炭化しやすい化合物や原子間の結合が強い有機化合物を含むエポキシ樹脂であってもよい。 （もっと読む）

【課題】磁気情報の記録される強磁性半導体層（magnetic Semiconductors、MS）自体をセンサー層として同時に利用することにより、磁気記録素子の構造を簡単にして工程を短縮し、生産単価を節減するばかりか、さらに多重ドメイン状態を利用した巨大な平面ホール効果（Planar Hall Effect）または磁気抵抗（Magnetoresistance）を測定して多重状態の情報を記録することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】基板１１０と、前記基板１１０上に形成され、多重ドメイン状態を用いて多重の状態を平面ホール効果または磁気抵抗値を通じて貯蔵しセンシングする強磁性半導体層１２０と、前記強磁性半導体層上に形成された絶縁膜１３０と、前記絶縁膜上に形成された第１電流ライン１４０と、前記第１電流ライン上に形成された絶縁膜１５０と、前記絶縁膜上に形成された第２電流ライン１６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】３００℃以上の高温域において従来のものよりも良好に動作する磁気センサを提供する。
【解決手段】ＧａＮからなり室温での電子濃度が１×１０¹⁶／ｃｍ³以下である第１層２ａと、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦０．３）からなる第２層２ｂとを積層することで、ヘテロ接合界面を有する動作層２を形成する。これにより、二次元電子ガス領域２ｇにおけるキャリア移動度はより高められるとともに、キャリア濃度がより低減される。その結果、室温においては定電流駆動および定電圧駆動の双方で高い測定感度を有するとともに、高温でも定電流駆動によって室温と同程度の測定感度で使用できるホール素子が実現される。 （もっと読む）

【課題】温度特性が良好でかつ高感度で動作する磁気センサを提供する。
【解決手段】所定の基板の上にＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合構造を有する動作層を備える磁気センサにおいて、基板を、表面がｍ面もしくはａ面であるＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＺｎＯ、α−ＳｉＣから選ばれる六方晶材料の単結晶基板、表面がａ面であるγ-ＬｉＡｌＯ₂単結晶基板、あるいは表面がｒ面であるサファイア単結晶基板のいずれかから選択し、動作層を、結晶構造がウルツ鉱型構造であるとともにｃ軸が基板の表面に対して略平行であるように形成する。ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合界面近傍に蓄えられる二次元電子ガスの濃度が好適に抑制されることによって、室温から高温まで略同一の高い測定感度で動作する磁気センサが実現される。 （もっと読む）

【課題】衛星放送用の送受信用増幅素子や高速データ転送用素子としての高電子移動度トランジスタや磁気センサなどの半導体デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１と、この基板１上に設けられた第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層（０≦ｙ≦１、０≦ｚ＜１）２と、この第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層２の上に設けられた電子走行層としてのＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ層（０≦ｘ≦１）３と、このＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ層３の上に設けられた第２のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層（０≦ｙ≦１、０≦ｚ＜１）４とを備えている。第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層２、第２のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層４のいずれか一方、若しくは両方にはＳｎがドープされており、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ電子走行層３への電子供給層となっている。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＡｓ層等の活性層を直接ＧａＡｓ等の基板上に形成した構造の化合物半導体積層体であって、信頼性が高く、かつ、バルク単結晶に対して電子移動度の低下が小さい化合物半導体積層体を提供すること。
【解決手段】本発明に係る化合物半導体積層体は、ＧａＡｓ基板上にＩｎＡｓ層を０．３μｍ以上と厚く形成し、そのＩｎＡｓ層上にＩｎＡｓ層と基板に平行方向の格子定数が等しく、基板に垂直方向の格子定数差が３％以内の化合物半導体保護層を形成することを特徴とする。すなわち、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｓｉのバルク単結晶板、またはそれらの薄膜基板上に、直にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ（０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦１）を活性層として、０．３μｍ以上３μｍ以下の厚さで形成する。この活性層には、導電性の小さな半導体層を保護層として直に形成する。 （もっと読む）

感知装置は、センサーと、制御ユニットと、入出力（Ｉ／Ｏ）インタフェースと、１又はそれ以上のメモリセルを有する不揮発性磁気メモリ装置とを含み、この不揮発性磁気メモリ装置の各メモリセルは、磁気構成要素とこの磁気構成要素の近くに配置されて、この磁気構成要素における残留磁気極性を作り出すために十分な電流を受けるように連結された書込みコイルとを含む磁気スイッチと、この磁気構成要素の近くに配置されて記憶データビットを表す残留磁気極性を検出するためのホールセンサーとを含む。
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数学的に最も弱い非アーベル型ＴＱＦＴが物理的に最も頑強であり得ることを実験が示唆している。そのようなＴＱＦＴ（特にｖ＝５／２ＦＱＨＥである状態）は離散組紐群表現を有し、それゆえにこれら単独から汎用量子コンピュータを構築することは不可能である。時間傾斜干渉法は位相的保護の状況の中で演算能力の（汎用への）拡張を提供する。知られている汎用ゲートのセットは、「時間傾斜干渉法」を準粒子を組紐にするさらによく知られている方法への付属物として使用する位相的に保護された方法によって実現されてきた。本方法は「準粒子による時間傾斜干渉法」である。本システムはゲート（ｇ１、ｇ２、ｇ３）を構築するためのその用途である。
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【課題】 不揮発性磁気メモリデバイスを作製する単純化された方法を提供する。
【解決手段】 １つまたはそれ以上のメモリセルを有する不揮発性磁気メモリデバイスであって、メモリセルの各々は、磁気コンポーネントと、磁気コンポーネントに近接した位置にあり、磁気コンポーネントに残留磁気極性を生じさせるのに十分な電流を受けるように連結された書き込みコイルとを含む磁気スイッチと、記憶データビットを表す残留磁気極性を検出するために、磁気コンポーネントに近接して配置したホールセンサとを含む。 （もっと読む）