【課題】特性ばらつきの少ないホール素子を提供する。
【解決手段】Ｐ型基板７に、平面図で正方形になるＮ型ウェル６を設ける。ホール素子１０の四隅以外には、Ｎ型ウェル６の上部にＰ型拡散層５を設け、ホール素子１０の四隅には、Ｎ型ウェル６の上部にＮ型拡散層１〜４を設ける。そして、Ｐ型拡散層５とＰ型拡散層５の下のＮ型ウェル６との間に空乏層が発生する電圧をＰ型拡散層５に印加する。 （もっと読む）

【課題】ホール素子を有する磁気センサにおいて、簡易な回路構成である信号処理回路で、ホール素子の出力電圧に含まれるオフセット電圧及びフリッカノイズを除去することのできる磁気センサを提供する。
【解決手段】ホールプレートＨは、ホールプレートＨを流れる電流のキャリアの種類を、ゲート電極Ｇの電位Ｖｇにより、電子または正孔のいずれか一方にすることが可能な両極性材料から形成される。さらに、入出力端子ＴＡ，ＴＡ’，ＴＢ，ＴＢ’が、ホールプレートＨの面内で対向する電流入力端子対と電圧出力端子対とになり、その際に電流入出力端子対と電圧出力端子対とが互いに直交するような位置に形成される。 （もっと読む）

【課題】高感度で消費電力が低く、かつ、温度特性にも優れたホール素子の提供すること。
【解決手段】Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ａｓ_Ｙ１Ｓｂ_１−Ｙ１（０≦Ｘ１≦１、０≦Ｙ１≦１）からなる活性層の上下に、この活性層より大きな禁制帯幅を有する化合物半導体層を配置した半導体薄膜と、金属電極層を形成する領域の上部の化合物半導体層をエッチングして活性層が露出された半導体薄膜をすべて覆うように設けられた第一保護層と、パターンニングした第一保護層をマスクとして用いて半導体薄膜の感磁部及び電極接触部以外をエッチングして露出した基板と半導体薄膜の側面及び第一保護層を被覆した第二保護層と、この第二保護層と第一保護層とをエッチングして露出された活性層のみに接触する金属電極層とを備えた。 （もっと読む）

【課題】垂直磁化膜を磁気センサやメモリデバイスとして利用する場合、その磁化反転磁界を低減することが重要である。また、垂直磁化膜と関連して作製される均一な絶縁膜等を必要としない構成が重要である。
【解決手段】磁気センサやメモリデバイスに利用される電流磁気効果素子は、非導電性の基板１０と、膜面に垂直な方向に磁気異方性を有する第１磁性層１１と、第１磁性層１１の上に形成された強磁性体の第２磁性層１２を有する。第２磁性層上には、２点間で電流を流すために電流電極１４ａと１４ｂが配置され、電流を流す方向と直角方向の別な２点間でホール電圧を検出するために電圧電極１５ａと１５ｂが配置される。 （もっと読む）

【課題】衛星放送用の送受信用増幅素子や高速データ転送用素子としての高電子移動度トランジスタや磁気センサなどの半導体デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１と、この基板１上に設けられた第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層（０≦ｙ≦１、０≦ｚ＜１）２と、この第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層２の上に設けられた電子走行層としてのＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ層（０≦ｘ≦１）３と、このＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ層３の上に設けられた第２のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層（０≦ｙ≦１、０≦ｚ＜１）４とを備えている。第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層２、第２のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層４のいずれか一方、若しくは両方にはＳｎがドープされており、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ電子走行層３への電子供給層となっている。 （もっと読む）

この磁性多層膜は、連続する交互の磁性金属層Ｍ、及び、酸化物層、水素化物層または窒化物層Ｏを基板上に備える。前記層Ｍの数が、少なくとも２に等しい。前記層Ｍが、連続である。前記Ｍ／Ｏ界面のレベルにおける前記層の平面に垂直な界面の磁気異方性がある。
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【課題】 不揮発性磁気メモリデバイスを作製する単純化された方法を提供する。
【解決手段】 １つまたはそれ以上のメモリセルを有する不揮発性磁気メモリデバイスであって、メモリセルの各々は、磁気コンポーネントと、磁気コンポーネントに近接した位置にあり、磁気コンポーネントに残留磁気極性を生じさせるのに十分な電流を受けるように連結された書き込みコイルとを含む磁気スイッチと、記憶データビットを表す残留磁気極性を検出するために、磁気コンポーネントに近接して配置したホールセンサとを含む。 （もっと読む）