【課題】ＭＲ素子の消費電力を低減する。
【解決手段】ＭＲ素子１０は、基板１１と、基板１１上に設けられたＭＲ膜１２とを備えている。ＭＲ膜１２は、ジグザグ状に折れ曲がる直線１２ａが更に多重にジグザグ状に折れ曲がる形状１２ｂを有する。直線１２ａは、複数の形状部１２１，１２２，１２３を形成している。それぞれの形状部１２１，１２２，１２３は、互いに平行な複数の長方形１２ｃがジグザグ状に直列に接続された形状を有し、かつジグザグ状に互いに直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】増幅率が予め定められた増幅率であるかを判定することができる検出装置および電流センサを提供する。
【解決手段】実施の形態に係る検出装置１は、主に、検出対象の変化を検出して検出信号を出力するホールセンサ２と、ホールセンサ２から出力された検出信号を増幅して第１の増幅信号を出力する増幅部３と、増幅部３に入力して第２の増幅信号として出力される基準電圧を増幅部３に供給する基準電圧供給部４と、入力する制御信号に基づいてホールセンサ２と増幅部３との接続、または増幅部３と基準電圧供給部４との接続を切り替える切替部５と、増幅部３に予め定められた増幅率と、第２の増幅信号から得られる増幅率と、を比較した結果を比較信号として出力する比較部６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ホール電圧に含まれたオフセットを取り除くオフセットキャンセル機能を有するホールセンサ及びこれのオフセットキャンセル方法に関する。
【解決手段】事前に設定された複数の検出方向に応じて磁界を電圧として検出するホール（Ｈａｌｌ）デバイスにより、上記複数の検出方向別に検出された第１及び第２の検出電圧間のレベル差を幅として有するパルスに変換する変換部と、上記第１及び第２の検出電圧を比較し、その比較結果に応じて上記パルスの＋符号又は−符号を決定する符号決定部と、上記変換部からのパルスの幅を事前に設定された基準時間の単位でカウントするカウンター、及び上記符号決定部により決定された符号に応じて、上記カウンターによりカウントされた数のマイナス演算を行い、上記第１及び第２の検出電圧に含まれたオフセット電圧を取り除く演算部を含む。 （もっと読む）

【課題】磁電変換素子やアンプのオフセット電圧をキャンセルし、磁界の高速サンプリングやジッタ改善を実現することが可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ１００は、磁電変換素子１０１と、磁電変換素子１０１の第１バイアス状態φ１と第２バイアス状態φ２を切り替える切替スイッチ回路１０２と、磁電変換素子１０１の出力電圧を増幅して増幅電圧ＶＰ、ＶＮを生成する増幅回路１０３と、第２バイアス状態φ２で得られた増幅電圧から直前の第１バイアス状態φ１で得られた増幅電圧を減算して第１減算電圧ＳＨＡ、ＳＨＣを生成する第１減算処理と、第１バイアス状態φ１で得られた増幅電圧から直前の第２バイアス状態φ２で得られた増幅電圧を減算して第２減算電圧ＳＨＢ、ＳＨＤを生成する第２減算処理と、を並行して行う減算回路１０４と、第１減算電圧と第２減算電圧を選択して選択電圧ＳＨＥ、ＳＨＦを出力する選択回路１０５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗効果接合部を有する発振回路を提供する。
【解決手段】巨大磁気抵抗効果を有する接合部を基盤とした発振器。発振器は電流が横断する巨大磁気抵抗効果を有するｎ個（ｎは、１以上の整数）の基本接合部のグループを２つ備え、２つのグループ各々における接合部は直列接続され、かつそれぞれの主電流（Ｉ_０）によってエネルギーを得、両グループの端子の両端間の電圧が加算されることにより発振回路の出力Ｓにおいて電圧を供給する。第１のグループの１個以上の接合部の端子の両端間の電圧は位相比較器ＰＨＣの第１の入力Ｅ１に印加され、他方のグループの１個以上の接合部の端子の両端間の電圧は位相比較器の別の入力Ｅ２に印加される。位相比較器は２つの出力Ｓ１、Ｓ２において、入力に印加された電圧間の平均位相差によって決まる同じ振幅で逆符号の二次電流＋ｉ、−ｉを供給する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で磁気の有無をヒシテリシス特性を付与して検出する。
【解決手段】ブリッジ回路３Ａは、４個の磁気センサ素子１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂ、第１ラダー抵抗Ｒａ、第２ラダー抵抗Ｒｂ、第１選択部Ｘ１及び第２選択部Ｘ２とを備える。第１選択部Ｘ１と第２選択部Ｘ２とによって第１ラダー抵抗Ｒａ及び第２ラダー抵抗Ｒｂのノードを切り替える。判定回路２０は、外部磁界の磁界強度がヒシテリシス特性の変化点で区分けした場合、どの範囲に属するかを第１信号１０ａに基づいて特定し、特定結果と前回の検出信号ＤＥＴとに基づいて今回の検出信号ＤＥＴを生成する。 （もっと読む）

【課題】動作速度の速いルックアップテーブル回路およびフィールドプログラマブルゲートアレイを提供する。
【解決手段】ルックアップテーブル回路１は、入力信号に基づいて複数の抵抗変化型素子の中から一つの抵抗変化型素子を選択する抵抗変化回路２と、抵抗変化回路２の最大抵抗値と最小抵抗値との間の抵抗値を有する参照回路４と、抵抗変化回路２の他端にソースが接続された第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６と、参照回路の他端にソースが接続された第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８と、第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６のドレインを通して抵抗変化回路２に電流を供給する第１の電流供給回路１０と、第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のドレインを通して参照回路４に電流を供給する第２の電流供給回路１２と、第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６のドレイン電位と第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のドレイン電位を比較する比較器１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】カメラモジュールおよびその入出力配線を簡素化する。
【解決手段】第１端子Ｔ１ａは、ホール素子１４の高電位側入力端子Ｔ１ｂにバイアス電圧を供給するためのものである。第２端子Ｔ２ｂは、ホール素子１４の低電位側入力端子Ｔ２ｂにグラウンド電位を供給するためのものである。Ｐチャンネル型トランジスタＭｐ１は、ソース端子が電源電位に接続され、ドレイン端子が第１端子に接続される。オペアンプＯＰ２は、所定の設定電圧と、第１端子Ｔ１ａの電圧とを差動増幅し、Ｐチャンネル型トランジスタＭｐ１のゲート電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシスの影響を受けずに外部磁界を正常に検出しうる高性能な磁気センサを提供する。
【解決手段】 電流制御部４は、コイル磁界Ｈの強度を初期値から一方的に増加、または一方的に減少させるように電流を制御するから、被測定磁界Ｈｏを相殺し、あるいはその一部を打ち消すことができる。そして、電流制御部４は、検出信号Ｓが入力されたとき、コイル磁界Ｈの強度を初期値に戻すように前記電流を制御する。本願発明の特徴的な構成は、初期値が、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子１１，１２に飽和磁化を与える磁界の強度である点である。この特徴的な構成によると、測定が完了するたびに、与えられるコイル磁界Ｈの強度が初期値に戻されるとともに、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子１１，１２が磁化飽和されるから、電流制御の動作点は、常に、ヒステリシス曲線の線形性を有するルート部分のうち、一定のルート部分で行われることになる。 （もっと読む）

【課題】 磁気発生部の相対回転角度の演算時間を短縮することができる回転センサを実現する。
【解決手段】角度演算部６０はＡＭＲセンサＭ１，Ｍ２から出力される信号を用い永久磁石２に対する相対回転角度θと演算により求めた演算角度φとの偏差が所定値に収束するようにフィードバック制御を行って相対回転角度θを演算する。初期値決定部５３はホール素子Ｈ１，Ｈ２から出力された各検出信号の各信号レベルと閾値との各比較結果を用い相対回転角度θの初期値θ０が含まれる角度範囲を判定し、その判定した角度範囲の中で発生し得る相対回転角度の初期値と前記演算角度の初期値との差の絶対値が９０°未満となるように演算角度の初期値を決定する。初期値決定部は永久磁石２が相対回転を開始する前にのみ演算角度φの初期値φ０を決定し角度演算部６０はその決定された演算角度φの初期値φ０を用いてフィードバック制御を開始し、相対回転角度θを演算する。 （もっと読む）

【課題】 無磁場を安定して検出しうる磁気センサを提供することである。
【解決手段】 磁気センサは、磁気抵抗効果素子１１が、軟磁性材料からなる磁束吸収体１２により覆われているから、この磁束吸収体１２が、回路基板１に与えられる磁界の磁束を、その飽和磁束量まで吸収して、当該磁束が磁気抵抗効果素子１１に与えられないようにすることができる。状態検出部２は、回路基板の出力電圧Ｖｏｕｔに基づいて、回路基板１に与えられた磁界の磁束量が閾値以下である第１の状態と、当該磁界の磁束量が閾値より多い第２の状態とを検出する。ここで、磁束吸収体は、その飽和磁束量が当該閾値となるように定まった形状、または大きさを有する。したがって、磁束吸収体１２の形状、または大きさを調整することによって、磁気センサの適用される環境条件に応じ、無磁場である第１の状態と、磁場が存在する第２の状態とのバランスを保つように当該閾値を好適に設定することができる。 （もっと読む）

【課題】 回転角度の検出精度を高めながら小型化することができる回転センサを実現する。
【解決手段】 磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８が各磁気抵抗素子の出力信号間に位相差が出るように配置された磁気抵抗素子領域Ｅ１と、ホール素子Ｈ１，Ｈ２が各ホール素子の出力信号間に位相差が出るように配置されたホール素子領域Ｅ２とを有し、かつ、磁気抵抗素子領域およびホール素子領域の少なくとも一部同士が重ねられたセンサチップ５と、各ホール素子の各出力レベルと閾値レベルとの比較結果を出す比較部５３と、各磁気抵抗素子の各出力信号を用いて相対回転角度θに対応する演算角度φを演算する角度演算部６０と、その演算された角度と閾値角度とを比較し、その比較結果と比較部５３の比較結果とを用い、相対回転角度に対応する信号を出力する出力部７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】電子機器内部の部品点数を少なくできる磁気センサＩＣを提供する。
【解決手段】磁気センサＩＣ１０がレギュレータ１１を内蔵し、そのレギュレータ１１が周辺ＩＣ２０に電源電圧を供給するので、電子機器内部において、周辺ＩＣ２０に電源電圧を供給するためのレギュレータＩＣを用意する必要が無くなる。よって、電子機器内部の部品点数が少なくなる。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入磁化反転を用いたメモリセルの読み出しディスターブを防ぎ、大電流で高速に読み出す。
【解決手段】 複数のワード線ＷＬと、複数のビット線ＢＬと、複数のメモリセルＭＣと、選択されたメモリセルから情報を読み出す読み出し回路ＳＡ，ＬＡと、読み出し回路ＳＡ，ＬＡが読み出した情報に基づいて、選択されたメモリセルに書き換えを行う書き換え回路ＷＤ１，ＷＤ２とを有し、読み出し回路ＳＡ，ＬＡが選択されたメモリセルから情報を読み出す期間は、書き換え回路ＷＤ１，ＷＤ２が読み出し回路ＳＡ，ＬＡが読み出した情報に基づいて選択されたメモリセルに情報を書き込む期間より短い。 （もっと読む）

【課題】回路を構成した後であっても温度補償値を調節可能とすることにより、ホール素子等の磁気検出素子の温度特性バラツキに対して柔軟に対応することができる電流センサ及びそれに用いられる磁気検出素子の温度特性補償方法を提供する。
【解決手段】分圧回路２４は、電源端子１２と接地端子１４との間に直列に接続された可変抵抗器ＶＲ₁,ＶＲ₂及び正温度係数抵抗器Ｒ_Xを有し、可変抵抗器ＶＲ₁及びＶＲ₂の接続点の電圧(分圧電圧Ｖ_X)を定電流回路１８に出力する。分圧電圧Ｖ_Xは、可変抵抗器ＶＲ₁の抵抗値と、可変抵抗器ＶＲ₂及び正温度係数抵抗器Ｒ_Xの合成抵抗値との比で電源電圧Ｖ_CCを分圧したものである。 （もっと読む）

【課題】１つの被測定電流に対して磁気検出素子を２つ以上設けなくても故障時に異常検出信号を出力する機能を実現し、２つ以上の磁気検出素子を設ける場合と比較して低コスト化を図ることの可能な磁気比例式電流センサを提供する。
【解決手段】ギャップ部Ｇを有するリング状磁気コア１５がバスバー１２を囲むように配置され、ギャップ部Ｇにホール素子２５が位置し、ギャップ部Ｇが内側に存在するようにコイル３５が配置される。リング状磁気コア１５とコイル３５とがカレントトランスを成す。異常検出回路５０は、ホール素子２５を用いた磁気比例式の原理に基づく電流検出結果(センサ出力Ｖ_O)と、リング状磁気コア１５及びコイル３５が成すカレントトランスによる電流検出結果(カレントトランス出力Ｖ_CU)との差が所定値以内にあるか否かで異なるレベルの異常検出信号Ｅ(det)を出力する。 （もっと読む）

【課題】光センサと磁気センサの両方を用いる場合の省スペース化。
【解決手段】集積回路内に、磁気検出素子と、印加された磁界に応じて前記磁気検出素子で得られる電圧信号を取り出して磁気検出信号を得る磁気検出信号処理部と、を備える磁気センサ部と、光検出素子と、照射された光量に応じて該光検出素子で得られる電流信号を取り出して光検出信号を得る光検出信号処理部と、を備える光センサ部と、を設け、磁気検出素子と、光検出素子とは、共通の半導体基板に形成し、光磁気一体型センサとする。半導体基板のｐ導電型領域の上にｎ導電型領域を形成し、ｎ導電型領域を磁気検出素子として用い、かつｐ導電型領域とｎ導電型領域とのｐｎ接合を光検出素子として用いれば、単一のセンサ素子を光検出素子、磁気検出素子として利用することもできる。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さくても温度補償できるセンサ回路を提供する。
【解決手段】温度補償する基準電圧回路ＢＬ１は分圧回路だけを有するので、センサ回路の回路規模が小さくなる。ホール素子ＨＡＬ１の出力信号が温度変化して増幅回路ＡＭＰ１の出力信号ＯＵＴＡも温度変化した分、基準電圧ＶＴＨ１及び基準電圧ＶＴＨ２も温度変化するので、センサ回路は温度補償できる。 （もっと読む）

【課題】磁気検出素子がリング状磁気コアのギャップ部において前記リング状磁気コアの両端面間の中央に安定かつ正確に位置決めすることで、外部磁界の影響を受けにくい電流センサを提供する。
【解決手段】バスバー１２の長手方向の中間部を囲むようにリング状磁気コア１５が配置され、リング状磁気コア１５のギャップ部に後述のホルダ３０が嵌合し、ホルダ３０にホール素子２５が保持されてホール素子２５が前記ギャップ部に位置する。ホルダ３０は、上側凸部３４及び下側凸部３５によってリング状磁気コア１５の端部を上下（第１及び第４の向きの側）から挟み、横側凸部３６によってリング状磁気コア１５の端部を左右（第２及び第３の向きの側）から挟む構造であり、これによりホルダ３０がリング状磁気コア１５のギャップ部において第１乃至第４の向きに関して位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】オフセットを動的に除去できかつ応答性が高い電流センサを提供すること。
【解決手段】電流センサ１は、第１ホール素子１１から出力される信号Ｓｉｇ（ＨＥ１）のゲインに、第２ホール素子２１から出力される信号Ｓｉｇ（ＨＥ２）のゲインが一致するように、信号Ｓｉｇ（ＨＥ２）のゲインを調整する補正値演算回路３３および波形修正回路３４と、ゲインを調整した信号Ｓｉｇ（ＨＥ２）および極性が反転されてかつゲインを調整した信号ｄＳｉｇ（ＨＥ２）に基づいて、オフセット量を検出する第２センサ信号オフセット検出回路３５と、信号Ｓｉｇ（ＨＥ２）からオフセット量を除去する減算器３７と、オフセット量が除去された信号Ｓｉｇ（ＨＥ２）に基づいて、信号Ｓｉｇ（ＨＥ１）のオフセット量を検出する第１センサ信号オフセット検出回路３８と、信号Ｓｉｇ（ＨＥ１）からオフセット量を除去する減算器４０と、を備える。 （もっと読む）