【課題】所望の素子特性が得やすい炭化珪素半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎ⁺型ＳｉＣ基板１の上に、エピタキシャル成長によってＮ^-型の第１ドリフト層２とＮ^--型の第２ドリフト層３が順に形成されている。Ｐ⁺型の第１、第２ゲート領域５，６が第１ドリフト層２の上において第２ドリフト層３を挟んで形成されている。Ｎ型ソース領域４が第２ドリフト層３および第１、第２ゲート領域５，６の上に形成され、第１、第２ゲート領域５，６と接する部分は第２ドリフト層３と同程度の不純物濃度であり、最表面部分は基板１と同程度の不純物濃度になるよう連続的に変化する濃度勾配をもつ。 （もっと読む）

【解決手段】半導体素子に、１個以上の第２導電形（例えばｎ）のエミッタ（７）が内部に設けられた第１導電形（例えばｐ）のベース領域（６）をそれぞれ有する少なくとも１個のセル（１２）、第２導電形の第１ウェル領域（５）、第１導電形の第２ウェル領域（４）、第２導電形のドリフト領域（３）、第１導電形のコレクタ領域（２）、及びコレクタ接点（１）を設け、各セル（１２）を第１ウェル領域（５）内に配設し且つ第１ウェル領域（５）を第２ウェル領域（４）内に配設し、更にエミッタ領域（７）と第１ウェル領域（５）との間にＭＯＳＦＥＴチャンネルが形成されるようにベース領域（６）と連通された第１ゲート（１４）、及び第１ウェル領域（５）内に埋め込まれた少なくとも１個の埋込み領域（８）を設ける。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬ素子や有機ＴＦＴ素子等の有機機能素子において、有機材料層への電極形成において蒸着を用いる必要が無く、また、折り曲げても断線しない信頼性の高い有機機能素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも複数の電極と有機材料層から構成される有機機能素子であって、該電極の少なくとも一つが液体金属で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタのキャリアの移動度を向上させる。
【解決手段】 半導体部と絶縁部を備える電界効果トランジスタであって、絶縁部が強誘電性及び強磁性をともに有する物質と非磁性物質を含有することを特徴とする電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】埋め込み構造作製のための再成長において、速やかに再成長表面が平坦な構造となり、薄層の３-５族化合物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式In_uGa_vAl_wN(０≦u≦1、０≦ｖ≦1、０≦ｗ≦1、u+v+w=1)で表される第１の３−５族化合物半導体からなる層の上に、後記の第２の３−５族化合物半導体の成長条件においても安定な絶縁性材料または金属材料からなるパターンを有し、該第1の３−５族化合物半導体と該パターンの上に、一般式In_xGa_yAl_zN(０≦ｘ≦1、０≦ｙ≦1、０≦ｚ≦1、ｘ+ｙ+ｚ=1)で表される第２の３−５族化合物半導体からなる層を有する３−５族化合物半導体において、該絶縁性材料または金属材料がSiO₂、SiN_x、タングステンのいずれかの材料であり、該パターンが第1の３−５族化合物半導体の[1-100]方向に概ね平行なラインパターンであり、該ラインパターンの幅が１μｍ以下であることを特徴とする３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタのキャリアの移動度を向上させる。
【解決手段】 電界効果トランジスタに、強誘電性及び強磁性をともに有する物質を含有する絶縁部１６と絶縁部１６に対向して設けられ強磁性を少なくとも有する物質を含有する強磁性部１４とを設ける。 （もっと読む）

過渡現象遮断用の組み合わせデバイス。過渡現象が入力端子 ４０に印加されると、トランジスタ ４４のボディ電位がデプレッションモードＪＦＥＴ型遮断トランジスタ ７１のゲート ８１を駆動するように、パストランジスタ４４が配置されている。同時に、チャネル７７を空乏化するために、電位差 Ｖｄが外部ゲート ５２の両端に印加される。このように、外部端子上に現れる過渡現象は、非常に急速に伝播されて、チャネル ７７および８５を空乏化するので、出力端子４２に接続されたデバイスが故障する前に、入力端子 ４０を出力端子 ４２から効果的に分離する。一旦過渡現象がおさまると、デバイス ３７はその通常の導通状態に戻る。 （もっと読む）