【課題】デバイスの性能や信頼性を低下させることなく、注入した不純物を熱処理することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下地層であるｐＧａＮ層１０３に形成された注入領域１０４’上に、ＧａＮのバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有する物質よりなる光吸収膜Ｔ１を形成し、この状態で基板１０１上面から赤外光や赤色光など、ｐＧａＮ層１０３のバンドギャップエネルギーよりも小さいエネルギーの所定光を用いてアニールを行う。ｐＧａＮ層１０３と比較して光吸収膜Ｔ１の方がアニールで使用される光の吸収係数が大きいため、光吸収膜Ｔ１直下もしくは近傍の領域（注入領域１０４’）を選択的に熱処理することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）の高温動作時のオン抵抗を低減して、高温時の動作特性を改善すること。
【解決手段】出力切替回路３４は、温度検出装置３３によって検出された温度が所定の閾値温度以上であるとき、第２の駆動回路３２に出力切替指示を与える。これにより、第２の駆動回路は、ＭＯＳＦＥＴ３５を駆動して、ＪＦＥＴ１０に立ち上がり電圧（順方向降下電圧）Ｖ_Ｆ以上のゲート電圧Ｖ_ＧＳが印加され、ＪＦＥＴはバイポーラ動作される。これにより、高温時のＪＦＥＴ１０のオン抵抗の増加を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 縦型のIII族窒化物半導体の製造過程において、半導体構造の表面を平坦化する処理を利用することができるとともに、その後の工程で電極等を形成する際に半導体構造に対して高い精度で位置合わせできる製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型の窒化ガリウム基板２の表面の一部にアライメントマーク４を形成する。次に、窒化ガリウム基板２の表面とアライメントマーク４を覆うようにｎ型の第１の窒化ガリウム層６を結晶成長させる。次に、第１の窒化ガリウム層６の一部をアライメントマーク４に達しない深さまでエッチングする。次に、第１の窒化ガリウム層６の表面にｐ型の第２の窒化ガリウム層８を形成する。次に、第１の窒化ガリウム層６の凸部６ａが露出するまで表面を平坦化する。第１の窒化ガリウム層６の表面を平坦化した後の工程でも、アライメントマークを認識することができる。 （もっと読む）

【課題】電荷輸送性に優れる両極性の有機半導体として利用可能な分岐型化合物の提供。
【解決手段】コア部と、該コア部に結合した少なくとも１つの側鎖部と、末端と、から構成される分岐型化合物であって、上記側鎖部の少なくとも１つは、下記一般式（１）で表される繰返し単位が１又は２以上繰り返しており（但し、コア部と結合する前記繰返し単位においては、Ｔがコア部に結合しており、２以上繰り返す前記繰返し単位においては、ＬがＴに結合している。）、Ｌは、共役形成単位が複数連結して構成され、上記共役形成単位として少なくとも一つのチエニレン単位を含み、Ｌの末端（Ｔと結合していない側のＬの末端）に存在する基は、少なくとも２つがアクセプター性の基である、分岐型化合物。


（式中、Ｌは置換基を有していてもよい２価の有機基を示し、Ｔは置換基を有していてもよい３価の有機基を示す。） （もっと読む）

【課題】高い電荷輸送性と、溶媒への溶解性に優れる多環縮環重合体を提供する。
【解決手段】式（１）及び又は式（２）の構造単位を有する多環縮環重合体。


［式中、Ｘ^１及びＸ^２は、酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を示す。］ （もっと読む）

【課題】ドライエッチングで加工したｐ型の窒化物半導体の表面に低コンタクト抵抗のオーミック電極を形成する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、窒化物半導体のｐ型領域をドライエッチングによって露出させる工程と、ドライエッチングで露出させたｐ型領域の表面にマグネシウムを含む被覆層を形成する被覆層形成工程と、被覆層が形成されている窒化物半導体を加熱処理するアニール工程と、被覆層を形成したｐ型領域の表面に、オーミック電極を形成する電極形成工程を備える。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体を有する半導体素子の耐圧を高くすること。
【解決手段】半導体素子は、ＡｌＧａＮで構成された第１層３２と、ＧａＮで構成された第２層４２と、ゲート電極３４と、ソース電極３８と、ドレイン電極２８を有する。第１層３２は、ゲート電極３４と第２層４２の間に形成された領域３２ａを有する。第１層３２と第２層４２の境界部２４付近にチャネルが形成される。第２層４２の導電型はｐ型であり、ｐ型不純物であるＭｇがドーピングされている。第２層４２は、ソース電極３８に接している。 （もっと読む）

【課題】解決しようとする課題は、差動増幅器の入力段の対構成の差動トランジスタに最適な特性の揃ったディュアル静電誘導トランジスタを提供して、トランジスタ製造上の選別を容易にし、対形成不良を少なくし、回路製作上の調整作業を容易にすることである。
【解決手段】本発明では、半導体の１ウェーハ内の隣同士に隣接して、対構成の同一導電型、同一サイズの静電誘導トランジスタを構成して、差動増幅器の入力段用には、１チップとして組立し提供したものである。 （もっと読む）

実施の形態に係る自己修復型電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）装置は、各々がヒューズリンクを有する複数のＦＥＴセルを含む。ヒューズリンクは、対応するセルにおける高電流イベント時に飛ぶように調節される。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を有し光起電力を利用する有機電子デバイス、該デバイスを容易なプロセスで作製する方法を提供する。
【解決手段】従来とは異なる特定の環状構造のビシクロ化合物を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布することにより膜を製膜し、次いで加熱等の外部作用を加えることで、該ビシクロ化合物からエチレン誘導体を脱離させることにより基板上で変換された化合物を有機半導体として用いてなる光起電力を利用する有機電子デバイス、及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、超高周波数、高速特性、低雑音性のノーマリオフ型のＨＥＭＴ半導体装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】第１の窒化物半導体からなる第１の層１３０と、該層の上に設けられ、窒化物半導体からなる第２の層１４０と、前記第１の層１３０と前記第２の層１４０との界面のうち、前記第１の層１３０のｃ軸２１０に対して平行な第１の領域２５０において、前記第２の層１４０の上に設けられたゲート電極１５０と前記ｃ軸２１０に対して非平行な第２の領域２６０における前記第２の層１４０の上、及び、ソース電極１６０と、前記第１の層１３０と前記第２の層１４０との前記界面のうち、前記ｃ軸２１０に対して非平行な第３の領域２７０における前記第２の層１４０の上、及び、前記第３の領域２７０の端部のいずれかに設けられたドレイン電極１７０と、を備えた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】簡易な製造工程によって形成可能なノーマリーオフ型のＧａＮ系ＦＥＴを提供すること。
【解決手段】本発明においては、ソース電極Ｓ直下およびドレイン電極Ｄ直下にそれぞれｎ−ＡｌＧａＮ層１６を形成し、さらにｎ−ＡｌＧａＮ層１６の間に位置するチャネル層であるｐ−ＧａＮ層１４上に形成される絶縁膜１７の上にゲート電極Ｇを形成することによって、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄとｎ−ＡｌＧａＮ層１６との接触抵抗を低下させたノーマリーオフ型のＧａＮ系のＦＥＴ１を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗が低減された窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この窒化物半導体素子は、ｎ型層３、ｐ型層４およびｎ型層５を有する窒化物半導体積層構造部２を備えている。窒化物半導体積層構造部２には、トレンチ６が形成されている。トレンチ６の壁面７の全域を覆うように、ｎ型チャネル層８が形成されている。トレンチ６において、ｎ型チャネル層８の内側には、ｐ型不純物を含むＧａＮからなるｐ型ゲート層９が埋設されており、ｐ型ゲート層９の最表面１５には、ゲート電極１０が形成されている。また、ｎ型層５の最表面１６には、ソース電極１１が形成され、基板１の他方面には、ドレイン電極１２が接触形成されている。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体からなる半導体装置の製造方法において、ｐ型のIII 族窒化物半導体の正孔濃度を減少しないようにすること。
【解決手段】III 族窒化物半導体からなる半導体素子の製造方法であって、ＭｇをドープしたIII 族窒化物半導体層の形成後に、４００度以上の温度での熱処理工程を複数有した半導体素子の製造方法において、最終以外の４００度以上の温度での熱処理工程では、アンモニア雰囲気中において熱処理を行い、最終の４００度以上の温度での熱処理工程では、窒素雰囲気中において熱処理を行う。このように熱処理を行えば、ｐ型のIII 族窒化物半導体層の正孔濃度を減少させずに半導体素子を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】電流変調が容易で、製造コストを抑えた縦型有機トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上部電極（エミッタ電極１）と、下部電極（コレクタ電極２）と、両電極間に設けられた有機半導体３と、その有機半導体３内に設けられた層状連続体４とを有し、その層状連続体４が、連続する絶縁性金属化合物４ｂと、絶縁性金属化合物４ｂ内に分布する粒状金属４ａとを有するように構成して、上記課題を解決する。その製造方法は、下部電極（エミッタ電極１）が形成された基板１０上に下側有機半導体層３ｂを形成する工程と、下側有機半導体層３ｂ上に、連続する絶縁性金属化合物４ｂとその絶縁性金属化合物４ｂ内に分布する粒状金属４ａとを有する層状連続体４を形成する工程と、層状連続体４上に上側有機半導体層３ａを形成する工程と、上側有機半導体層３ａ上に上部電極（エミッタ電極１）を形成する工程とを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】電力用変換器の過電流においてオン抵抗損失の著しい増大を抑制して、電力用変換器の小型・軽量化および低価格化をはかる。
【解決手段】定格電流容量の５倍ないし２０倍のサージ電流が流れる電力用変換器に炭化ケイ素を素材とした静電誘導トランジスタを適用するにあたり、該静電誘導トランジスタのオン時のゲート電圧を定格電流以下の正常動作時にはゲート接合のビルトイン電圧以下として高速、低損失、高効率の電力変換を行い、定格を超える過電流が流れた場合にかぎりゲート電圧をビルトイン電圧以上に昇圧することにより過電流による素子破壊を防止する制御方法によって変換器に使用される炭化ケイ素静電誘導トランジスタの電流容量を変換のそれを大幅に超えない小容量とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ内に縦型ダイオードおよびトランジスタを作る方法が提供される。
【解決手段】この発明に従った方法は、マスク（たとえば機構を素子にエッチングするために以前使用されたマスク）を選択的エピタキシャル成長または選択的イオン注入用に使用する。このように、静電誘導トランジスタおよびバイポーラ接合トランジスタのゲート領域およびベース領域が、セルフアラインプロセスで形成可能である。プレーナダイオードおよびプレーナエッジ終端構造（たとえばガードリング）を作る方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフタイプの窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】このＣＡＶＥＴは、ｎ^＋型ＧａＮ基板１と、この基板の主面１ａに形成された開口部３を有する絶縁膜２と、窒化物半導体積層構造部４とを備えている。窒化物半導体積層構造部４は、その平行面７、＋ｃ軸側傾斜面８および−ｃ軸側傾斜面９に平行な面を積層界面１５として順に積層されたｎ⁻型ＧａＮ層５およびｎ⁻型ＧａＮ層５と格子定数の異なるｎ^＋型ＡｌＧａＮ層６を備えている。ゲート電極１０は、−ｃ軸側傾斜面９に対向して形成され、ソース電極１１は、ｎ^＋型ＡｌＧａＮ層６と電気的に接続されている。ドレイン電極は、ｎ^＋型ＧａＮ基板１と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体基板を利用する半導体装置に関し、特に、窒化物半導体基板に含まれていたｐ型不純物が、基板表面に結晶成長する窒化物半導体に移動することを抑制する技術を提供する。
【解決手段】 Ｍｇ（ｐ型不純物）を含むｐ型のＧａＮ層４０の表面４１に、ｎ型のＧａＮ層５０を結晶成長させる工程が、前半工程と後半工程を有しており、前半工程では、第１温度範囲内で、ｐ型のＧａＮ層４０の表面４１に、低温結晶成長層５２（ｎ型のＧａＮ層５０）を結晶成長させ、後半工程では、第１温度範囲よりも高温の第２温度範囲内で、前半工程で結晶成長した低温結晶成長層５２（ｎ型のＧａＮ層５０）の表面に、高温結晶成長層５１（ｎ型のＧａＮ層５０）をさらに結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】ゲートへのノイズマージンが大きい接合ＦＥＴを提供する。
【解決手段】接合ＦＥＴ１は、炭化珪素からなるｎ^＋基板１２の主面に形成された接合ＦＥＴ１のドリフト領域のｎ⁻層１１と、ドリフト領域のｎ⁻層１１に接合して形成されたゲート領域のｐ^＋層９と、ｎ^＋基板１２の上層に設けられたゲート電極１４と、を有している。この接合ＦＥＴ１は、さらに、ｎ^＋基板１２の主面に形成され、ゲート領域のｐ^＋層９とゲート電極１４とを電気的に接続するｐｎダイオード２、３を内蔵している。 （もっと読む）