常時オフのＶＪＦＥＴ集積電力スイッチを有するワイドバンドギャップ半導体デバイスが説明される。電力スイッチはモノリシック又はハイブリッドに実行され、シングル又はマルチチップワイドバンドギャップ電力半導体モジュール内に組み立てられた制御回路網と一体化される。デバイスは、高電力、耐高温および／または耐放射線性の電子工学の要素に用いられる。デバイスの作成方法もまた説明される。 （もっと読む）

【課題】大電流容量を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、エピウエハ１１０と、絶縁膜と、第１の電極と、導電層と、第２の電極１６０とを備えている。エピウエハ１１０は、高欠陥領域１１１と、高欠陥領域１１１よりも欠陥密度の低い低欠陥領域１１２とを含み、主表面１１３と、主表面１１３と反対側の裏面１１４とを有する。絶縁膜は、エピウエハ１１０の主表面１１３における高欠陥領域１１１を覆うように形成される。第１の電極は、低欠陥領域の上に形成され、絶縁膜を介して隣り合う。導電層は、絶縁膜を介して隣り合う第１の電極を電気的に接続する。第２の電極１６０は、エピウエハ１１０の裏面１１４上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を大幅に低減することが可能な新しい動作原理に基づく半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、ｎ⁺型のシリコン基板２と、シリコン基板２上に配置されたｐ型の半導体層３と、半導体層３上に配置され、複数のトレンチ４ａを有するとともに、隣接するトレンチ４ａ間の各領域がチャネル１０となるｎ型の半導体層４と、半導体層４のトレンチ４ａに配置された埋め込み電極６とを備え、シリコン基板２、半導体層３および半導体層４により、バイポーラトランジスタが形成されており、埋め込み電極６が負電位である場合に、トレンチ４ａから隣接するトレンチ４ａにわたって空乏層１１が形成されることにより、チャネル１０がオフ状態となり、埋め込み電極６が正電位である場合に、隣接するトレンチ４ａ間の全ての領域において、空乏層１１が形成されないことにより、チャネル１０がオン状態となる。 （もっと読む）

実施例によれば、半導体集積デバイスが、ソースとこのソースの各々の側部に配置されたゲートを有する第１の垂直接合電界効果トランジスター(Vertical Junction Field Effect Transistor: VJFET)と、ソースとこのソースの各々の側部に配置されたゲートを有する第２の垂直接合電界効果トランジスターを含む。第１の垂直接合電界効果トランジスター(ＶＪＦＥＴ)の少なくとも１つのゲートは、第２のＶＪＦＥＴの少なくとも１つのゲートから、チャンネルにより分離される。半導体集積デバイスは、更に、第１と第２のＶＪＦＥＴの間に配置された接合バリアーショトキー(Junction Barrier Schottky：ＪＢＳ)ダイオードを含む。このＪＢＳダイオードは、このチャンネルに対する整流コンタクトを構成し、かつ、第１と第２のＶＪＦＥＴの少なくとも１つのゲートに対する非整流コンタクトを構成する金属コンタクトを備え、この金属コンタクトが、このＪＢＳダイオードのアノードである。第１の電気接続手段が、第１のＶＪＦＥＴのゲート、第２のＶＪＦＥＴのゲート、及び、ＪＢＳダイオードのアノードを、共通ゲート電極に連結し、及び、第２の電気接続手段が、第１のＶＪＦＥＴのソースと第２のＶＪＦＥＴのソースを、共通ソース電極に連結する。
（もっと読む）

【課題】 有機物を利用して薄膜トランジスタを製造しようとする場合、有機半導体薄膜のキャリア移動度が小さく、実用的な動作速度を有する有機薄膜トランジスタは得られなかった。この課題を解決するために縦型有機薄膜トランジスタが検討され、高速動作が期待されているが、十分な電流オンオフ比が得られないという課題がある。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、第１の絶縁層、第３の電極、第２の絶縁層を有機半導体層の形成前に成膜し、同時にパターニングする。パターニングされた第１の絶縁層、第３の電極、第２の絶縁層を覆うように第１の電極上に有機半導体層を形成する。本発明によれば、良好な製造歩留まりで製造でき、かつ電流オンオフ比の大きな有機薄膜トランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】 有機物を利用して薄膜トランジスタを製造しようとする場合、有機半導体薄膜のキャリア移動度が小さく、実用的な動作速度を有する有機薄膜トランジスタは得られなかった。この課題を解決するために縦型有機薄膜トランジスタが検討され、高速動作が期待されているが、十分な電流オンオフ比が得られないという課題がある。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、基板上に第１の電極（ソース又はドレイン）、第１の有機半導体層、第３の電極（ゲート）、第２の有機半導体層、第２の電極（ドレイン又はソース）の順に積層した構造を有する。第３の電極の膜厚を８０ｎｍ以上の厚膜とする。第３の電極の膜厚を厚くすることで、大きなオンオフ比を有する有機薄膜トランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】 有機物を利用して薄膜トランジスタを製造しようとする場合、有機半導体薄膜のキャリア移動度が小さく、実用的な動作速度を有する有機薄膜トランジスタは得られなかった。この課題を解決するために縦型有機薄膜トランジスタが検討され、高速動作が期待されているが、十分な電流オンオフ比が得られないという課題がある。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、第３の電極と第２の電極を有機半導体層の形成前に成膜し、同時にパターニングする。このように第３の電極の直上に同一の形状を有する第２の電極を配置する。その後第３の電極と第２の電極の一部もしくは全てを覆うように第１の電極上に有機半導体層を形成する。本発明によれば、良好な製造歩留まりで製造でき、かつ電流オンオフ比の大きな有機薄膜トランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】小型で、費用効率の良い半導体接合型ゲートトランジスタ用制御回路を提供する。
【解決手段】ゲート電流制限抵抗器４４５は、使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合され、接合ゲートトランジスタのゲートに入力されるゲート電流を制限する。ＡＣ結合充電コンデンサ４３５は、使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合され、ゲート電流制限抵抗器４４５に並列に配置されている。ダイオード４３０は、ゲート電流制限抵抗器４４５及びＡＣ結合充電コンデンサ４３５に、ゲート駆動チップの出力に結合されている。使用時に、ダイオード４３０は、ゲート電流制限抵抗器４４５を介してワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に印加され、ゲート駆動チップからのゲート電圧出力を低下させる。 （もっと読む）

【課題】 有機物を利用して薄膜トランジスタを製造しようとする場合、有機半導体薄膜のキャリア移動度が小さく、実用的な動作速度を有する有機薄膜トランジスタは得られなかった。この課題を解決するために縦型有機薄膜トランジスタも検討され、高速動作が期待されているが、十分な電流オンオフ比が得られないという課題がある。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、基板上に第１の電極（ソース又はドレイン）、第１の有機半導体層、第３の電極（ゲート）、第２の有機半導体層、第２の電極（ドレイン又はソース）の順に積層した構造を有する。第３の電極と第２の電極の平面パターン形状を、開口部を有する同一平面パターン形状とする。これらの構造とすることで、大きなオンオフ比を有する有機薄膜トランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】導通する定電流値のバラツキを抑制するとともに、効率よく製造可能で、定電流ダイオードをとして構成可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の高抵抗層（２）と、高抵抗層（２）に設けられた第２導電型の半導体基板領域２０と、高抵抗層（２）の表面に配置された複数のゲート拡散層６と、高抵抗層（２）の表面に、複数のゲート拡散層６間に配置された第１導電型のドレイン領域（１２）と、複数のゲート拡散層６の周囲において、高抵抗層（２）を半導体基板領域２０までエッチングした側壁部に配置され，第２導電型を有する素子分離領域２４と、高抵抗層（２）の表面に、素子分離領域２４とゲート拡散層６間に配置されたソース領域８と、ドレイン領域１２に設けられたドレイン電極１４と、ソース領域８およびゲート拡散層（６）に設けられたソース電極１０とを備える半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】導通する定電流値のバラツキを抑制するとともに、効率よく製造可能で、定電流ダイオードをとして構成可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の高抵抗層（２）と、高抵抗層（２）に設けられた第１導電型のドレイン領域１２と、高抵抗層（２）の表面近傍に形成された複数の第１ゲート拡散層４と、高抵抗層（２）の表面に、複数の第１ゲート拡散層４上に、それぞれ接して形成された複数の第ｎゲート拡散層（ここで、ｎは２以上の整数）（６）と、高抵抗層（２）の表面に、複数の第ｎゲート拡散層（６）間に形成された第１導電型のソース領域８と、ドレイン領域１２に設けられたドレイン電極１４と、ソース領域８および第ｎゲート拡散層（６）に設けられたソース電極１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】新規なIII族窒化物系化合物半導体縦型トランジスタを提供する。
【解決手段】ｎ型Ｓｉ基板３１上に、Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ多重金属層３２、ＡｕＳｎはんだ層３３、Ａｕ／Ｎｉ／Ａｌ／Ｔｉ多重金属層１５、ｎ⁺コンタクト層（ｎ⁺−ＧａＮ）１４、ドリフト部（ｎ−ＧａＮ）１３が形成されている。ドリフト部１３は、厚さ約０．５μｍの電流狭窄部１３ｂｎを有しており、その左右には、ＡｌＮ層２１とｐ層（ｐ−ＧａＮ）２２が形成されている。ドリフト部１３（電流狭窄部１３ｂｎ）の最上部と、ｐ層（ｐ−ＧａＮ）２２の最上部は同一平面となっている。それらの上には、チャネル層（ｎ−ＧａＮ）１２、電子供与層（ＡｌＧａＮ）１１が形成されている。ＨＥＭＴ１００は、サファイア基板にエピタキシャル成長させた後、シリコン基板を貼り付けてレーザーリフトオフ法でサファイア基板を除去すると得られる。 （もっと読む）

トレンチ型半導体デバイスの製造方法は、高温処理工程が実行された後にトレンチを充填する。これらの方法は、デバイスのトレンチの再充填材料として熱的に不安定な材料を使用することを可能にする。熱的に不安定な材料を有するトレンチ型半導体デバイスも提供される。特に、有機の再充填材料を有するトレンチ型半導体デバイスの製造方法及びデバイスが提供される。
（もっと読む）

【課題】高温において高性能なトランジスタデバイスを提供する。
【解決手段】トランジスタは、活性領域に接触するコンタクト層を有するゲートを備える。ゲートコンタクト層は、特定の半導体系（例えば、ＩＩＩ属窒化物）と共に使用される場合に、高ショットキー障壁を有し、かつ高温で動作しているときに、低減された劣化を呈する材料で製作される。デバイスは、デバイスの動作寿命をさらに増大させるために、フィールドプレートを組み込むこともできる。 （もっと読む）

【課題】耐圧が高く且つオン電圧の低いＧａＮ系半導体装置を提供する。
【解決手段】基板（６２）と基板（６２）上に形成されたＧａＮ層（６４）とを備え、ＧａＮ層（６４）は、平坦部（６４ａ）と平坦部の表面中央部に形成された凸部（６４ｂ）とを有し、ＧａＮ層（６４）の凸部（６４ｂ）の上面には高不純物濃度のｎ⁺ 型ＧａＮ層（６６）が形成され、ＧａＮ層（６４）の平坦部の表面及び凸部の両側面並びｎ⁺ 型ＧａＮ層（６６）の側面は、ＧａＮ層（６４）よりもバンドギャップエネルギーの大きいアンドープのＡｌＧａＮ層（７０）によって被覆され、ＧａＮ層（６４）とＡｌＧａＮ層（７０）はヘテロ接合をなし、ＧａＮ層（６４）側のヘテロ接合面近傍には２次元電子ガスが発生するＧａＮ系半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 ヘテロ接合面をチャネルに用いる半導体装置において、安定したノーマリオフ動作を可能とする技術を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、窒化物半導体結晶と窒化物半導体結晶の上側表面に絶縁層を介して対向するゲート電極を備えている。窒化物半導体結晶は、第１種類の窒化物半導体で構成された第１層と、第１層の上方に積層されているとともに第２種類の窒化物半導体で構成された第２層を備えている。第１層と第２層との境界に形成されたヘテロ接合面は、（０００１）結晶面に垂直な結晶面上に位置している。第１層には、ｐ型の不純物を含むｐ型半導体領域が、へテロ接合面を介してゲート電極の少なくとも一部に対向する位置に形成されている。そして、ｐ型半導体領域の側方境界面は、へテロ接合面に垂直であるとともに（０００１）結晶面と角度を成す結晶面上に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐圧を向上させかつドリフト層と基板との接触抵抗を低減すること。
【解決手段】本発明は、導電性の基板１０と、基板１０上に離間して設けられＡｌを含有する窒化物半導体層１２と、窒化物半導体層１２及び基板１０と直接接して設けられ導電性の窒化物半導体からなるバッファ層１４と、バッファ層１４上に設けられ、バッファ層１４及び基板１０よりキャリア濃度が低いドリフト層１６と、ドリフト層１６上に設けられた第１電極３２と、基板１０に接続された第２電極３６と、第１電極３２と第２電極３６との間に流れる電流を制御する制御電極３４と、を具備することを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 耐圧が高く且つオン電圧の低いＧａＮ系半導体装置を提供する。
【解決手段】 ＧａＮ系ショットキーダイオード（１０）のサファイア基板（１２）上にはＧａＮバッファ層（１４）とｎ⁺ 型ＧａＮ層（１６）と表面の一部が凸部形状をなすｎ型ＧａＮ層（１８）とが形成されている。凸部（１８ｂ）の上面にＴｉ電極（２６）がショットキー接合し、凸部側面にＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎ層（２２）を介してＰｔ電極（２８）がショットキー接合し、ｎ⁺ 型ＧａＮ層上にＴａＳｉ層からなるカソード電極（３４）がオーミック接合している。Ｔｉ電極とＰｔ電極は複合アノード電極（３０）を構成し、ショットキーダイオードの耐圧向上とオン電圧低減に寄与する。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を小さくすることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ９１は、基板Ｓと、基板Ｓの上面Ｓａ側に形成されたエミッタ電極１７と、基板Ｓの下面Ｓｂ側に形成されたコレクタ電極１５と、エミッタ電極１７とコレクタ電極１５との間を流れる電流を制御するための制御機構（ｐ型ベース領域７、ｎ⁺不純物領域１１、絶縁膜１３、およびゲート電極１９）とを備えている。ｎ^-ドリフト領域１が基板Ｓ内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】安定動作を保証する高い信頼性と高い効率を備えた電力変換装置及びそれを実現するために用いる構成部品としてのＧａＮ系半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチング素子としてのパワーＦＥＴ１０のソース・ドレイン間に、保護素子としてのＧａＮ系ショットキーダイオード２０が接続されている。このＧａＮ系ショットキーダイオード２０では、アンドープのＧａＮ層２３上にアンドープのＡｌＧａＮ層２４が形成されている。ＡｌＧａＮ層２４に隣接して、ｎ型ＧａＮ層２６がＧａＮ層２３上に形成されている。ＧａＮ層２３とＡｌＧａＮ層２４とのヘテロ接合界面近傍に２次元電子ガスが発生している。ｎ型ＧａＮ層２６上にオーミック接触して、カソード電極２７が形成され、ＡｌＧａＮ層２４上にショットキー接触して、アノード電極２８が形成されている。 （もっと読む）