【課題】 入力端子にインピーダンス素子が接続されている半導体装置において、温度上昇によっノイズが増加してしまうといった問題を解決した半導体装置を提供する。
【解決手段】 入力トランジスタのゲート端子若しくはベース端子を半導体装置の入力端子とし、ソース端子若しくはエミッタ端子と入力端子との間に、インピーダンス素子を接続することで入力インピーダンスをコントロールする半導体装置において、インピーダンス素子は、正の温度係数を有するインピーダンス素子と負の温度係数を有するインピーダンス素子を直列に接続し、温度変化に伴う入力インピーダンスの変化を緩和する。 （もっと読む）

【課題】外部部品の数を少なくし、かつ、効率の良い小形パワートランジスタを制御要素に採用することで、安価で、より望ましい制御を行う。
【解決手段】高圧検出デバイスを備えた制御回路。本回路は、第１の端子、第２の端子、第３の端子を持つ、第１の基板中に設けられた第１のトランジスタを含む。第１のトランジスタの第１の端子は、外部電圧に接続されている。第１のトランジスタの第１の端子と第２の端子との間の電圧が、第１のトランジスタのピンチオフ電圧よりも低いときには、第１のトランジスタの第３の端子に供給される電圧は、第１のトランジスタの第１の端子と第２の端子との間の電圧にほぼ比例する。第１のトランジスタの第１の端子と第２の端子との間の電圧が、第１のトランジスタのピンチオフ電圧よりも高いときには、第１のトランジスタの第３の端子に供給される電圧は、ほぼ一定で、第１のトランジスタの第１の端子と第２の端子との間の電圧よりも低い。 （もっと読む）

本発明は、第２の導電型基板（１０）内の第１の導電型の第１のウエル（１１）と、前記第１のウエル内のそれぞれ第１の導電型からなるソース（１４）及びドレイン（１５）と、第２の導電型からなる第２のウエル（１２）内に配設されている第２の導電型のゲート（１６）とを有している高圧接合型電界効果トランジスタに関しており、前記第２のウエルは逆行性のタイプからなり、さらにソース、ゲート、ドレインの素子がフィールド酸化膜領域（１３ａ〜１３ｄ）によって相互に離間されていることを特徴としている。またゲート（１６）からソース及びドレイン領域の方向にフィールドプレート（１７ａ，１７ｂ）がフィールド酸化膜（１３ａ，１３ｂ）の上方で延在している。
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ＩＩＩ族窒化物スイッチは、凹型のゲートコンタクトを含み、ノミナリーオフの、すなわち、エンハンスメント型のデバイスを提供する。凹型のゲートコンタクトを提供することにより、ゲート電極が不活性状態である場合には、２つのＩＩＩ族窒化物材料の界面に形成された伝導チャンネルが遮断され、デバイス中の電流の流れを防止する。ゲート電極は、ショットキコンタクト又は絶縁金属コンタクトである可能性がある。２つのゲート電極が提供され、ノミナリーオフ特性の双方向スイッチを形成することが可能である。ゲート電極と共に形成された凹部は、傾斜した側壁を持つ可能性がある。デバイスの電流伝達電極に関連して、多くの形状にてゲート電極を形成することが可能である。
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電源制御装置システム（２５）は、電源制御装置システム（２５）のスタートアップ動作を制御するために２つの別個の電流を使用する。２つの電流は、電源制御装置システム（２５）の動作を抑止するために接地に分流され、２つの電流のうちの１つは電力消散を最小限にするためにディセーブルにされる。２つの独立した制御電流は、２つの別個の制御信号（２３、２４）に応答して、マルチ出力電流高電圧装置（１２）によって生成される。
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高電圧炭化ケイ素パワーデバイスを形成する方法は、法外に高いコストのエピタキシャル成長された炭化ケイ素層の代わりに、高純度炭化ケイ素ウエハ材料から得られる高純度炭化ケイ素ドリフト層を利用している。本方法は、約１００μｍより厚い厚みを有するドリフト層を使用して１０ｋＶを超えるブロッキング電圧をサポートすることができる少数キャリアパワーデバイスと多数キャリアパワーデバイスの両方を形成することを含んでいる。これらのドリフト層は、その中に約２×１０^１５ｃｍ^−３未満である正味ｎ型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層として形成される。このｎ型ドーパント濃度は、中性子変換ドーピング（ＮＴＤ）技法を使用して実現することができる。

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半導体部品は、半導体基板（１１０）と、半導体基板の上方のエピタキシャル半導体層（１２０）と、エピタキシャル半導体層内のバイポーラトランジスタ（７７０、８７０）と、エピタキシャル半導体層内の電界効果トランジスタ（７８０、８８０）とを含む。エピタキシャル半導体層の一部によって、バイポーラトランジスタのベースと電界効果トランジスタのゲートとが形成され、エピタキシャル半導体層のその一部は実質的に均一なドーピング濃度を有する。同じまたは他の実施形態においては、エピタキシャル半導体層の異なる部分によって、バイポーラトランジスタのエミッタと電界効果トランジスタのチャネルとが形成され、エピタキシャル半導体層のその異なる部分はエピタキシャル半導体層の一部の実質的に均一なドーピング濃度と同じかまたは異なる実質的に均一なドーピング濃度を有する。
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過渡現象遮断用の組み合わせデバイス。過渡現象が入力端子 ４０に印加されると、トランジスタ ４４のボディ電位がデプレッションモードＪＦＥＴ型遮断トランジスタ ７１のゲート ８１を駆動するように、パストランジスタ４４が配置されている。同時に、チャネル７７を空乏化するために、電位差 Ｖｄが外部ゲート ５２の両端に印加される。このように、外部端子上に現れる過渡現象は、非常に急速に伝播されて、チャネル ７７および８５を空乏化するので、出力端子４２に接続されたデバイスが故障する前に、入力端子 ４０を出力端子 ４２から効果的に分離する。一旦過渡現象がおさまると、デバイス ３７はその通常の導通状態に戻る。 （もっと読む）