本発明の対象は、チャネル領域と、チャネル領域の一方の側に接続され、チャネル領域に電子を注入するように適合されたソースと、チャネル領域の反対側に接続され、スピン偏極した電子を検出するように適合されたドレインと、４つの磁気要素を備える磁気二重対要素を少なくとも１つ備えるゲートとを備える磁気電気電界効果トランジスタであって、各磁気要素がチャネル領域に磁界を誘導するように適合され、各磁気二重対要素の誘導された磁界の合計がほぼゼロになるように制御することが可能であり、ゲートがチャネル領域に電界を誘導するようにさらに適合された磁気電気電界効果トランジスタである。 （もっと読む）

電磁放射線を用いた一回の露光プロセスでＴ−ゲートを製造する方法が開示される。
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窒化ガリウム材料デバイスおよびその形成方法を提供する。該デバイスは、電極規定層を包含する。電極規定層は典型的にはその内部に形成されたビアを有し、該ビア内に電極が（少なくとも部分的に）形成される。したがって、ビアは、電極の寸法を（少なくとも部分的に）規定する。いくつかの場合において、電極規定層は、窒化ガリウム材料領域上に形成された不動態化層である。 （もっと読む）

低接触抵抗を実現しつつ表面荒れの少ない電極が得られる技術を提供する。
半導体膜１０１の上部に設けられる電極であって、この半導体膜１０１の上部にこの半導体膜の側から順に積層された第一金属層１０２と第二金属層１０３とを有し、この第一金属膜１０２が、Ａｌからなり、この第二金属膜１０３が、Ｎｂ、Ｗ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｒｅ、ＴａおよびＺｒからなる群より選ばれる１種以上の金属からなることを特徴とする電極。 （もっと読む）

【課題】窒素を含む化合物半導体層の表面に生じた、エッチングによるダメージを除去あるいは軽減し、ゲート電極に良好なショットキ特性を有する半導体装置を形成する。
【解決手段】ドライエッチングにより、第１化合物半導体層２２のゲート電極形成予定領域３６の表面を露出するとともに、コンタクト層３２を形成する。次いで、この第１化合物半導体層２２の露出した表面に対するアニール処理を行う。前述のドライエッチングの際に第１化合物半導体層２２の表面に生じたダメージを、窒素プラズマを用いた表面処理を行うことにより、良好な電気特性をもつ第１化合物半導体層２２の表面を形成する。この窒素プラズマを用いた表面処理を行った第１化合物半導体層２２の表面上にゲート電極３８を形成し、良好なショットキ特性を有するゲート電極を具えたリセス型ＨＥＭＴ１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体上の膜付着力が強く、かつ温度特性が優れたショットキー電極を備えた窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の電極構造を提供する。
【解決手段】 この窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の電極構造は、電極４の材料として金属窒化物(窒化タングステン)を用いたので、半導体ＧａＮ層３への膜付着力が強く、かつ、加熱によってショットキー特性が劣化することがないショットキー電極４を得ることができた。 （もっと読む）

【課題】耐圧性、特性安定性に優れ、ゲートリーク電流が低減されたヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】半導体基板上にバッファ層と、チャネル層と、スペーサ層と、キャリア供給層と、ショットキーバリア層と、高濃度不純物ドープキャップ層とが順次堆積され、ソース電極及びドレイン電極がキャップ層表面に形成され、ソース電極とドレイン電極の間のキャップ層にショットキーバリア層に達する開口部が形成され、開口部に露出したショットキーバリア層表面にゲート電極が形成されているヘテロ接合型電界効果トランジスタであって、キャップ層が複数の細線で構成され、細線間はショットキーバリア層が露出し、ソース電極及びドレイン電極が、細線と細線間に露出したショットキーバリア層との両方に接触していることを特徴とするヘテロ接合型電界効果トランジスタを構成する。 （もっと読む）