【課題】 従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる集積型半導体装置を提供する。
【解決手段】
サファイア単結晶基板１０の一方主面１０Ａ上に配置された第１素子機能部２６と、一方主面上１０Ａに配置された第１アンテナ部２３と、他方主面１０Ｂに配置された第２素子機能部３６と、他方主面１０Ｂ上に配置された第２アンテナ部３３とを備え、第１素子機能部２６が第１アンテナ部２３に送信用電気信号を送り、第１アンテナ部２３が送信用電気信号に応じた電波を発信し、第２アンテナ部３３がサファイア単結晶基板１０を透過した電波を受信することで、高い周波数の信号を基板の上下面で高精度に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、ソース領域１２ａ、複数の帯状のドレイン領域１２ｂ、チャネル領域、ソース電極１６、ドレイン電極１５、およびゲート電極１７を具備する。ソース領域１２ａは、化合物半導体層１１上に形成された平面状の領域である。複数の帯状のドレイン領域１２ｂは、化合物半導体層１１上に、互いに電気的に分離されるように形成される。チャネル領域は、ソース領域１２ａの一辺に接し、かつソース領域１２ａと複数のドレイン領域１２ｂとの間に、互いに電気的に分離されるように形成される。ソース電極１６は、ソース領域１２ａ上の少なくとも一部に形成される。ドレイン電極１５は、複数のドレイン領域１２ｂに電気的に接続されるように形成される。ゲート電極１７は、複数のチャネル領域に電気的に接続されるように形成される。 （もっと読む）

【課題】電極端部への電界集中を抑えるとともに、ゲート電極の変形や、ゲート−フィールドプレート間に生じる容量による特性劣化を抑える。
【解決手段】半導体装置において、第１の基板と、第１の基板表面に形成された素子領域と、素子領域と接続され、第１の基板上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、第１の基板と、第１の面で積層される第２の基板と、第２の基板を貫通し、電極上に配置されるビアホールと、ビアホール内に形成され、電極と接続される金属層と、第２の基板に設けられ、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極のいずれかと接続されるフィールドプレート電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高周波特性の悪化を防ぎ、耐湿性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１の主表面上の素子領域内に、ドレイン電極２が設けられている。一端がドレイン電極２に接続されたドレイン配線５が主表面上に設けられている。主表面上の素子領域外に、ドレイン配線５とは離間したドレイン電極パッド１２が設けられている。Ａｕメッキ層９が主表面上に設けられ、主表面との間に空隙１０が形成されている。空隙１０はドレイン配線５の一端とドレイン電極２を内包する。硬化されたポリイミド膜１４が空隙１０の開口部１１を閉塞し、ドレイン電極パッド１２を覆うことなく、ドレイン配線５の他端を覆っている。空隙１０の内面に撥液膜１５が設けられている。硬化されたポリイミド膜１４に設けられた開口１６を介してＡｕメッキ層１８により、ドレイン配線５の他端とドレイン電極パッド１２が接続されている。ドレイン配線５の他端はポリイミド膜１４から出ていない。 （もっと読む）

【課題】ダイオード等の保護素子の外付けによる部品点数の増加及び占有面積の増大を抑えた、双方向に高いアバランシュエネルギー耐量を有する窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０は、第１のｎ型領域１２Ａ、第２のｎ型領域１２Ｂとともにトランジスタ１１を構成する。半導体基板１０の裏面には、裏面電極１３が接合され、また、半導体基板１０の上には、ＨＦＥＴ２１が形成されている。ＨＦＥＴ２１は、ＡｌＧａＮ層２３Ａ及びＧａＮ層２３Ｂを備える半導体層積層体２３と、第１のオーミック電極２４Ａ、第２のオーミック電極２４Ｂ、第１のゲート電極２５Ａ、第２のゲート電極２５Ｂにより構成されている。第１のオーミック電極２４Ａと第１のｎ型領域１２Ａ、第２のオーミック電極２４Ｂと第２のｎ型領域１２Ｂはそれぞれ電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜抵抗又は基板抵抗によって数ｋΩから数十ｋΩの抵抗値を持つゲート抵抗のサイズが基板長さ、基板幅に比べて大きい。
【解決手段】能動層１０を有する半導体基板１１と、半導体基板の能動層１０にオーミック接触するソース電極１３及びドレイン電極１４と、能動層１０の上方に設けられたゲート電極１５と、半導体基板１１に設けられた非活性領域１６と、非活性領域１６上にゲート電極１５の一部が引出されて接触する導体１７と、非活性領域１６上で直流電圧が印加されるパッド電極１８と、パッド電極１８及び導体１７にオーミック接触し、非活性領域１６に設けられたゲート抵抗領域１９とを備え、ゲート抵抗領域１９は半導体基板１１へボロンイオンを注入することによって形成され、ボロンイオンの注入量によりゲート抵抗領域１９上のシート抵抗値を高めたことを備えたことを特徴とする半導体素子の構造が提供される。 （もっと読む）

【課題】動的な耐圧であるダイナミック耐圧の低下を抑制できるＧａＮ系のＨＦＥＴを提供する。
【解決手段】このＧａＮ系のＨＦＥＴでは、各ソース電極１２の長手方向の長さＬ２と各ドレイン電極１１の長手方向の長さＬ１とが同じ長さである。また、ソース電極１２の長手方向の端１２Ａ,１２Ｂの長手方向の位置は、ドレイン電極１１の長手方向の端１１Ａ,１１Ｂの長手方向の位置と一致している。ソース電極１２の長手方向の両端１２Ａ,１２Ｂがドレイン電極１１の長手方向の両端１１Ａ,１１Ｂよりも長手方向外方へ突出していない構成により、ソース電極１２の端１２Ａ,１２Ｂからドレイン電極１１の端１１Ａ,１１Ｂへ向かって電子流が集中することを回避できる。 （もっと読む）

【課題】エアブリッジの強度を向上させる。
【解決手段】半導体層上に設けられ、互いに並列に配置された複数のソースフィンガー１０と、半導体層上に設けられ、複数のソースフィンガー１０と交互に配置された複数のドレインフィンガー１２と、半導体層上に設けられ、ソースフィンガー１０とドレインフィンガー１２との間にそれぞれ配置された複数のゲートフィンガー１４と、複数のゲートフィンガー１４同士、複数のソースフィンガー１０同士、および複数のドレインフィンガー１２同士のいずれかを共通に接続するバスラインと、複数のソースフィンガー１０、複数のドレインフィンガー１２、および複数のゲートフィンガー１４のいずれかに設けられ、バスライン上を跨ぐ複数の第１エアブリッジ２４と、複数の第１エアブリッジ２４同士の間を接続し、半導体層との間に空隙を有する第２エアブリッジ２６と、を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内に保護ダイオードをレイアウトする。
【解決手段】半導体装置は、電界効果トランジスタ１１と、電界効果トランジスタ１１の形成領域３０に隣接するダイオード形成領域１２とを備え、ダイオード形成領域１２はトランジスタの形成領域３０と半導体基板上で絶縁され、ダイオード形成領域１２内において、電界効果トランジスタ１１のゲート電極１がバス配線７を介して半導体基板とショットキー接合とオーミック接合のいずれか又は両方の接合をする第１のダイオード電極２０と、電界効果トランジスタ１１のソース電極２がパッド５を介して半導体基板とオーミック接合とショットキー接合のいずれか又は両方の接合をする第２のダイオード電極２１とを備えることによってゲート電極１とソース電極２間にダイオードが形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素子温度の上昇を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】動作周波数ｆで動作可能な半導体装置であって、熱拡散率Ｄの基板と、基板上に形成され、ワイドギャップ半導体素子で横型素子の第１のトランジスタで構成される第１の素子ユニット１２と、基板上に第１の素子ユニット１２に隣接して形成され、第１のトランジスタと異なるタイミングで動作するワイドギャップ半導体素子で横型素子の第２のトランジスタで構成される第２の素子ユニット１４とを備え、第１の素子ユニット１２の重心と、第２の素子ユニット１４の重心との距離が熱拡散長（Ｄ／πｆ）^１／２の２倍以下であることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ソース電極からビアホールまでの距離をさらに短くし、インダクタンスの影響をできる限り低下させる増幅装置を提供する。
【解決手段】電力増幅装置は、接地のためのビアホールと接続する接地部と、接地部を接続するソース電極接地導体と、ソース電極接地導体に連結したソース電極と、ソース電極接地導体に接触しない内側ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、内側ソース電極と接地部とを直接接続する接地ブリッジと、を備える。 （もっと読む）

【課題】特性をさらに向上する半導体装置を提供する。
【解決手段】高電圧側電界効果トランジスタ２０ａの高電圧側ドレイン電極１１ａと、高電圧側ドレイン電極１１ａの一側方に間隔をおいて形成される高電圧側ゲート電極１２ａと、高電圧側ゲート電極１２ａの一側方に間隔をおいて形成され、高電圧側電界効果トランジスタ２０ａのソース電極であり、低電圧側電界効果トランジスタ２１ａのドレイン電極であるソース兼ドレイン電極１３ａと、ソース兼ドレイン電極１３ａの一側方に間隔をおいて形成される低電圧側電界効果トランジスタ２１ａの低電圧側ゲート電極１４ａと、低電圧側ゲート電極１４ａの一側方に間隔をおいて形成される低電圧側電界効果トランジスタ２１ａの低電圧側ソース電極１５ａとを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、抵抗が増大して変換効率が低下してしまうのを防止する。
【解決手段】半導体装置を、基板２上に形成されたＧａＮ系半導体積層構造３を有する第１トランジスタＱ１と、ＧａＮ系半導体積層構造を有する第２トランジスタＱ２とを備え、第１トランジスタが、複数の第１フィンガ８ＡＸを有する第１ゲート電極８Ａと、複数の第１ドレイン電極９Ａと、複数の第１ソース電極１０Ａとを備え、第２トランジスタが、複数の第２フィンガ８ＢＸを有する第２ゲート電極８Ｂと、複数の第２ドレイン電極９Ｂと、複数の第２ソース電極１０Ｂとを備え、複数の第１ドレイン電極の上方又は下方に接続されたドレインパッド１５と、複数の第２ソース電極の上方又は下方に接続されたソースパッド２５と、複数の第１ソース電極及び複数の第２ドレイン電極に接続された共通パッド３５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】放熱スペースが短縮された、複数のユニットセルを有する高出力高周波半導体デバイスを提供する
【解決手段】ユニットセルは各々、制御電極２４と、第１及び第２の被制御電極２０，２２とを有する。熱スペーサ（すなわち、電気的に不活性な領域）４０が、これらのユニットセルのうち少なくとも１つを第１の活性部分及び第２の活性部分５０に分割し、第２の活性部分は、この熱スペーサにより第１の部分から離隔される。ユニットセルの制御電極ならびに第１及び第２の被制御電極は、第１の熱スペーサを横切っている。 （もっと読む）

【課題】高周波領域において優れた電気的特性が得られるように、寄生容量を低減し得る半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】第１のソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、及び第２のソース電極が、所定方向に沿ってこの順に並んで半導体基板の上面上に形成された構造を有するトランジスタを形成する。犠牲層を、トランジスタを覆って半導体基板の上面上に形成する。犠牲層を部分的に除去することにより、第１のソース電極及び前記第２のソース電極を露出する。第１のソース電極及び第２のソース電極に接続され、所定方向に沿って延在する配線を、犠牲層の上面上に形成する。犠牲層を除去する。トランジスタ及び配線を覆う形状に加工されたシート、テープ、又は基板を、トランジスタ及び配線を覆って半導体基板の上面上に貼り付ける。 （もっと読む）

【課題】高周波領域において優れた電気的特性が得られるように、寄生容量を低減し得る半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】第１のソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、及び第２のソース電極が、所定方向に沿ってこの順に並んで半導体基板の上面上に形成された構造を有するトランジスタを形成する。犠牲層を、トランジスタを覆って半導体基板の上面上に形成する。犠牲層を部分的に除去することにより、第１のソース電極及び前記第２のソース電極を露出する。第１のソース電極及び第２のソース電極に接続され、所定方向に沿って延在する配線を、犠牲層の上面上に形成する。犠牲層を除去する。上面が開口した枠体を、トランジスタの周囲を取り囲んで、半導体基板の上面上に形成する。枠体上にテープを貼り付けることにより、枠体及びテープによってトランジスタ及び配線を覆う。 （もっと読む）

【課題】III-V族窒化物半導体を有する半導体装置において、熱による出力低下を低減する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１上に設けられ、III-V族窒化物半導体からなるバッファ層１０２と、バッファ層１０２上に設けられ、III-V族窒化物半導体からなる第１の半導体層１０３と、第１の半導体層１０３上に設けられ、III-V族窒化物半導体からなる第２の半導体層１０４と、基板１０１の裏面上に設けられ、接地に接続された裏面電極１１１と、第２の半導体層１０４上に互いに離間して設けられたソース電極１３２及びドレイン電極１３４と、第２の半導体層１０４上に設けられたゲート電極１３６とと、第２の半導体層１０４、第１の半導体層１０３、及びバッファ層１０２を貫通し、少なくとも基板１０１に達し、ソース電極１３２と裏面電極１１１とを電気的に接続させるプラグ１０９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 電力等の信号の合成効率が高く、チップ占有面積を低減可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置１０は、電極パッド１１と、複数の信号伝送電極１２ａ、１２ｂおよび１２ｃと、複数の伝送線路１３、１４および１５とを有し、前記電極パッド１１と前記各信号伝送電極１２ａ、１２ｂおよび１２ｃとは、前記各伝送線路１３、１４および１５により電気的に接続され、前記複数の伝送線路１３、１４および１５の少なくとも一本は、その線路長が他の伝送線路１４以上であり、前記線路長が他の伝送線路以上である伝送線路１３および１５は、その一部または全部が空中配線され、前記空中配線された伝送線路１３ａおよび１５ａが、マイクロストリップラインであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線の表皮効果の抑制と低抵抗化を図る。
【解決手段】第１配線部４１と、その第１配線部４１の周りを被覆する、高融点金属窒化物を含む第２配線部４２とを含む配線４０ａを形成する。このような配線４０ａにおける第２配線部４２は、第１配線部４１側から外周に向かって窒素含有率が高くなる部分を有するように形成する。これにより、配線４０ａにおける表皮効果が抑制されると共に、配線４０ａの低抵抗化が図られるようになる。 （もっと読む）