【課題】 トランジスタ特性が優れ、また高効率で紫外線発光が可能なダイヤモンド半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド基板１上に、高濃度にＢがドープされ夫々ソース及びドレインとなる高ドープダイヤモンド層２及び３を局所的に形成する。また、高ドープダイヤモンド層２と高ドープダイヤモンド層３との間には、極低濃度にＢがドープされチャネル層となる低ドープダイヤモンド層４、Ｂがドープされゲートとなるドープダイヤモンド層６、及び極低濃度にＢがドープされチャネル層となる低ドープダイヤモンド層５をこの順に形成する。更に、高ドープダイヤモンド層２上にソース電極となる金属電極７、高ドープダイヤモンド層３上にドレン電極となる金属電極８、ドープダイヤモンド層６上に、ゲート電極となる金属電極９を形成し、ダイヤモンドトランジスタ１０にする。 （もっと読む）

【課題】 チャネル領域内のキャリア制御性が優れると共にリーク電流が少ない半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に、エピタキシャル成長により、基板１の表面に対して垂直な方向を含む断面が下底よりも上底が短い台形形状である低濃度ドープダイヤモンド層４を形成する。次に、低濃度ドープダイヤモンド層４の両側に、エピタキシャル成長により低濃度ドープダイヤモンド層４よりも不純物濃度が高い高濃度ドープダイヤモンド層７ａ及び７ｂを形成する。そして、高濃度ドープダイヤモンド層７ａ及び７ｂ上に、金属電極８ａ及び８ｂを形成した後、酸化シリコン絶縁層９ａ及び９ｂを形成し、更に、低濃度ドープダイヤモンド層４の上に酸化アルミニウム絶縁層１０を介してゲート電極１１を形成して、高濃度ドープダイヤモンド層７ａ及び７ｂ間の距離が基板１から遠ざかるに従い短くなる半導体素子とする。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧化を実現し、周波数分散を抑制することができる窒化物半導体装置を制御性良く形成することができる窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の窒化物半導体層上に、制御電極形成領域を被覆するように絶縁膜からなるマスク材を形成し、露出する第１の窒化物半導体層上に、低い成膜温度で、III−Ｖ族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造からなる第２の窒化物半導体層を選択的に形成する。その後、マスク材上に、あるいはマスク材を除去して制御電極を形成する。 （もっと読む）

本発明は、フリップチップ集積回路及びその作製方法を提案するものである。本発明による作製方法は、ウェハ上に複数の能動半導体デバイスを形成するステップと、能動半導体デバイスを分離するステップとを有している。回路基板の表面に受動素子及びインターコネクトを形成し、回路基板を貫通する少なくとも１つの導電性ビアを形成する。能動半導体デバイスのうち少なくとも１つを回路基板上にフリップチップ実装して、ボンディングパッドのうちの少なくとも１つを導電性ビアのうちの１つに電気接続させる。本発明によるフリップチップ集積回路は、一方の表面に受動素子とインターコネクトとを有する回路基板を備え、それを貫通する導電性ビアを有することができる。回路基板上に能動半導体デバイスをフリップチップ実装し、少なくとも１つの導電性ビアのうちの１つを、少なくとも１つのデバイスの端子のうちの１つに接触させる。本発明は、ＳｉＣ基板上で成長させたＩＩＩ族窒化物ベースの能動半導体デバイスに特に適用できる。次いで、ＧａＡｓ又はＳｉからなる低コストで大径のウェハ上に受動素子及びインターコネクトを形成することができる。分離後、ＧａＡｓ又はＳｉ基板上にＩＩＩ族デバイスをフリップチップ実装することができる。
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【課題】 プレーナー構造で、かつ高抵抗の素子分離が可能な窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とが積層した窒化物半導体装置であって、素子分離領域を、低温で成長させた微結晶構造のIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第３の窒化物半導体層で充填する構造とする。素子分離領域に凹部を形成した後、第３の半導体層を選択再成長させることで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 動作時のオン抵抗が小さく耐圧が大きいＧａＮ系電界効果トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、チャネル層を有するＧａＮ系電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層の導電型と同一のコンタクト層が、前記チャネル層に至る深さのエッチング溝に埋め込まれ、かつ、前記コンタクト層はソース電極のみに接続していることを特徴とするＧａＮ系電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高いシートキャリア濃度を維持しつつ高い電子移動度が実現された半導体素子等を提供する。
【解決手段】基板３の上に少なくともＡｌを含むIII族窒化物からなる下地層４を設けた上で、III族窒化物、好ましくはＧａＮからなる第１半導体層５と、ＡｌＮからなる第２半導体層６と、少なくともＡｌを含むIII族窒化物、好ましくはＡｌ_xＧａ_1-xＮであってｘ≧０．２である第３半導体層７が積層されてなる半導体層群を形成することにより、格子欠陥や結晶格子の不規則性などに起因した電子移動度の低下が抑制され、１５Ｋにおいて１×１０¹³／ｃｍ²以上のシートキャリア濃度と２００００ｃｍ²／Ｖ・ｓ以上の電子移動度とを有するＨＥＭＴ素子が実現される。 （もっと読む）

【課題】 ４Ｈ−ＳｉＣ基板上に高品質のＧａＮ系化合物半導体がエピタキシャル成長された半導体複合基板を提供する。
【解決手段】 半導体複合基板１は、ＳｉＣ単結晶基板１０１の主表面上にＡｌ_１−ｘＧａ_ｘＮ（０≦ｘ≦１）エピタキシャル成長層１００が直接形成されている。ＳｉＣ単結晶基板１０１は４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板であり、Ａｌ_１−ｘＧａ_ｘＮエピタキシャル成長層の厚さが少なくとも４μｍである。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上に形成された窒素化合物含有半導体層を含むヘテロ構造を備え、数百Ｖ以上の高耐圧を有する窒素化合物含有半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の実施の一形態に係る窒素化合物含有半導体装置は、シリコン基板と、シリコン基板上に島状に形成されたチャネル層としての第１の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１））層と、第１の窒化アルミニウムガリウム層上に形成された第１導電型又はｉ型のバリア層としての第２の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１，ｘ＜ｙ））層と、を備えているものである。 （もっと読む）