【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、同一基板上に複数種類の薄膜トランジスタの構
造を作製して複数種類の回路を構成し、増加する工程数が少ない半導体装置の作製方法を
提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に金属薄膜を成膜した後、酸化物半導体層を積層し、その後、加
熱処理などの酸化処理を行うことで金属薄膜の一部または全部を酸化させる。また、論理
回路などの高速動作を優先する回路と、マトリクス回路とで異なる構造の薄膜トランジス
タを配置する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法により、ＴＦＴの活性層として好適なキャリア密度を有し、且つ、電気的ストレス、及び熱に対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物半導体膜を製造する。
【解決手段】ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物層を下記式（１）を満足する条件でスパッタ成膜した後に、下記式（２）を満足する条件でアニール処理することにより、ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物からなる半導体膜を製造する。
１×１０^−５≦Ｐ（Ｐａ）≦５×１０^−４ ・・・（１）、
１００≦Ｔ（℃）≦３００ ・・・（２）
（式中、Ｐは前記スパッタ成膜における背圧，Ｔは前記アニール処理におけるアニール温度） （もっと読む）

【課題】安定した放電が維持し、且つ作業効率が向上するスパッタリング装置を実現させる。
【解決手段】大気圧よりも減圧した雰囲気を維持可能な真空槽と、前記真空槽内で処理される基板を支持する支持台と、前記支持台に対向するターゲットと、前記真空槽内に設けれた回転トラップと、備え、前記真空槽の中でプラズマを生成し前記基板に処理をするスパッタリング装置であって、前記回転トラップは、前記処理の際に前記ターゲットよりスパッタリングされ、前記真空槽の中を飛行する粒子を遮蔽し、前記処理の際に前記真空槽の中を飛行する電子を通過させることを特徴とするスパッタリング装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型電子ペーパーやディスプレイ、更にはＲＦＩＣタグでは、今後駆動回路一体化と省電力化が求められる。このために薄膜トランジスタの性能面においては高移動度化とＣＭＯＳ化が必要とされる。また生産面においては低コストで環境汚染のない製造方法が求められている。
【解決手段】本発明ではステンシルマスクを通してスパッタ堆積することで、膜をパターン形成した。この結果、汚染物質の使用と放出なしに、簡単な方法で性能のよい薄膜トランジスタとＣＭＯＳ薄膜トランジスタ回路を形成することができた。 （もっと読む）

【課題】少数のターゲットにて反応性ガスをＯＮ／ＯＦＦするだけで複数の膜種を成膜する際に、膜の種類の切替え時間を大幅に短縮し、高品質の膜を効率的に安定して確保できるスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】第１のターゲット材料をスパッタリングして基板上に成膜する第１のスパッタ工程と、前記第１のターゲット材料とは異なる第２のターゲット材料をスパッタリングして前記基板上に成膜する第２のスパッタ工程と、前記第１のスパッタ工程と前記第２のスパッタ工程との間で、前記基板を前記複数のターゲット材料から遮蔽しつつ、前記第１および第２のターゲット材料をそれぞれ成膜レートが変化するようにスパッタリングするプリスパッタ工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】
高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する。
【解決手段】
希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

開示されたものは、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）システム（１００，１００’１００’’）において、プロセスガスの混合物、又は多重のプロセスガスの混合物、を導入するためのマルチ−ノズル及びスキマーの組み立て品、並びに基体（１５２，２５２）に層を成長させる、それを変更する、それを堆積させる、又はそれをドープするための動作の関連させられた方法である。多重のノズル及びスキマーの組み立て品は、少なくとも部分的にそれから単一のガスクラスタービーム（１１８）へと放出されたガスクラスタービームを合体させるために相互の近接で配置された、及び／又は、交差するガスクラスタービームのセットを形成するために、及び、ガススキマー（１２０）へと単一の及び／又は交差するガスクラスタービームを向けるために、単一の交差する点（４２０）に向かって各々のビームを収束させるために角度が付けられた少なくとも二つのノズル（１１６，１０１６，２１１０，２１２０，４１１０，４１２０，７０１０，７０２０）を含む。
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【課題】ガラスなどの絶縁基板やその他半導体、金属などの基板上にＳｉ結晶半導体薄膜をＳｉの融点以下の温度で形成する方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＺｎ−Ｓｉ二元合金系を出発材料とし、その液体もしくは過冷却液体の状態から熱平衡状態でのＳｉの析出、残存Ｚｎの冷却固化、そしてエッチング等による該Ｚｎの除去を経て基板に支持されたＳｉ薄膜４−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングされた材料内の軽い成分は、スパッタリングされた材料内の重い成分よりも高濃度に堆積される傾向がある。このことから、スパッタリングされた材料が均質に堆積されるスパッタ堆積装置および方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのスパッタターゲット２、第１のプラズマ３、基板ホルダー４、および追加プラズマ５を備えたスパッタ堆積装置を提案する。追加プラズマ５は、ＥＣＷＲプラズマであることが好ましい。別の形態によれば、追加プラズマ５と上記基板ホルダー４との間に、アノード６が備えられている。さらに別の形態によれば、基板ホルダー４は、厚さを変化させた誘電体層を有している。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物層が積層された下部電極の表面をより小さな凹凸状態とすることで、ＲＲＡＭ等のより高性能な金属酸化物層を用いた素子を提供する。
【解決手段】基板１０１の上に、絶縁層１０２を介し、ルテニウム（Ｒｕ）と窒素（Ｎ）とから構成された導電薄膜よりなる下部電極層１０３と、金属酸化物層１０４と、上部電極１０５とを備える。例えば、下部電極層１０３は、ルテニウムと窒素とからなる膜厚２０ｎｍの導電薄膜であり、金属酸化物層１０４は、ビスマスとチタンと酸素からなる膜厚３０ｎｍの金属酸化物膜であり、上部電極１０５は、膜厚２０ｎｍのルテニウム膜から構成されたものである。 （もっと読む）

本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：（ＳｉＨｎ１）ｘ（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｘは２，３または４であり；ｙは１，２または３であり；ｘ＋ｙは３，４または５であり；ｎ１は、化合物中の各Ｓｉ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；但し、ｙが１のとき、ｎ２は０ではなく；さらに、ｘが３、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は２または３であり；さらに、ｘが２、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は３である。
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【課題】シリコンドット形成対象基板上に、従来より、低温で、粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成することができるシリコンドット形成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンスパッタターゲット（例えばターゲット３０）を内部に設けた真空チャンバ１内に基板Ｓを配置し、チャンバ１内にスパッタリング用ガス（代表的には水素ガス）を導入し、該ガスに高周波電力を印加することでチャンバ１内にプラズマを発生させ、該ターゲットにケミカルスパッタリング制御用バイアス電圧を印加するとともに該プラズマでターゲットをケミカルスパッタリングして基板Ｓ上にシリコンドットＳｉＤを形成する。 （もっと読む）

【課題】特別な材質や特異な形状の電極、ホルダーを使用しなくとも、シリコンロッドのクラック発生を十分に低減させることができる多結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】逆Ｕ字型のシリコン芯線の各端部を一対の電極上にそれぞれ通電可能に取り付けた多結晶シリコンの製造装置において、該シリコン芯線の端部が、これを保持する導電性のホルダーを介して電極と電気的に接続され、かつ、少なくとも一方のホルダーが、電極面上を少なくとも逆Ｕ字型のシリコン芯線の両端を結ぶ直線方向の左右方向何れの方向にも摺動可能であるたことを特徴とする多結晶シリコンの製造装置である。 （もっと読む）