【課題】薄膜トランジスタのオフ電流を低減することを目的の一とする。また、薄膜トランジスタの電気特性を向上させる。また、薄膜トランジスタを用いる表示装置の画質の向上を目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた半導体膜と、少なくとも半導体膜の側面を覆う膜と、半導体膜の側面を覆う膜上に形成される一対の配線とを有し、半導体膜は、ドナーとなる不純物元素が添加される薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

炭素ナノチューブトランジスターの製造方法及びこれに用いた炭素ナノチューブトランジスターを提供する。本発明の炭素ナノチューブトランジスターの製造方法は、ソース電極とドレイン電極との間に炭素ナノチューブチャンネルが形成されており、前記炭素ナノチューブチャンネルの一側にゲート電極が形成されている炭素ナノチューブトランジスターを製造する方法であって、ａ）基板の上に前記炭素ナノチューブチャンネルを形成するステップと、ｂ）前記炭素ナノチューブチャンネルの両端に前記ソース電極及びドレイン電極を電気的にそれぞれ接続するステップと、ｃ）前記ソース電極とドレイン電極との間にストレス電圧を印加して前記炭素ナノチューブチャンネル内の金属性を除去するステップと、を含む。
本発明の炭素ナノチューブトランジスターの製造方法によれば、トランジスター素子内においてチャンネルとして用いられ、金属性と半導体性とが混在している炭素ナノチューブから金属性部分を選択的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、並びにそれらの作製方法を提案する。
【解決手段】微結晶ゲルマニウム膜と、微結晶ゲルマニウム膜の一方の面に接するゲート絶縁膜と、ゲート電極とが重畳する薄膜トランジスタ、及び当該薄膜トランジスタを備えた表示装置において、微結晶ゲルマニウム膜の他方の面にバッファ層が形成されている。チャネル形成領域に微結晶ゲルマニウム膜を用いることで、電界効果移動度及びオン電流の高い薄膜トランジスタを作製することができる。また、チャネル形成領域として機能する微結晶ゲルマニウム膜と、ソース領域またはドレイン領域との間に、バッファ層を設けることで、オフ電流の低い薄膜トランジスタを作製することができる。即ち、電気特性が優れた薄膜トランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のフェナントレン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のフェナントレン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】簡易な工程により薄膜を形成でき、品質安定性に優れた有機薄膜トランジスタ及び該有機薄膜トランジスタを用いたディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】有機半導体層１が、下記一般式（I）で示される繰り返し単位を有する化合物を主成分として含有していることを特徴とする。


（Ａｒ¹は置換又は無置換の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ²及びＡｒ³はそれぞれ独立に置換又は無置換の芳香族炭化水素基の二価基であり、かつ、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ独立に、水素基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換の芳香族炭化水素基である。） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のフェナントレン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_９はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_１〜Ｘ_８の内、隣接する基は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよく、環Ａは置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】少ない元素数から構成されるアモルファス酸化物を用い、大気中保管などの環境安定性に優れ、かつ可視光に対する感度が小さい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明は、基板上にチャンネル層、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極が少なくとも形成されてなる電界効果型トランジスタであって、該チャンネル層は、少なくともＩｎとＭｇとを含むアモルファス酸化物材料より構成され、該アモルファス酸化物材料の元素比率Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｍｇ）は０．１以上０．４８以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたＴＦＴを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体を含有する活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜と前記活性層の界面の平均二乗粗さが２ｎｍ未満であり、前記活性層のキャリア濃度が１×１０^１５／ｃｍ^３以上であり、かつ前記活性層の膜厚が０．５ｎｍ以上２０ｎｍ未満であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。
Ｘ−Ｙ （１）
（式中、Ｘは置換または未置換のチエノベンゾチエニル基、置換または未置換のナフトチエノチエニル基、置換または未置換のアントラ［２，３−ｂ］チエニル基、あるいは置換または未置換のベンゾチエノベンゾチエニル基を表し、Ｙは置換または未置換のチエノベンゾチエニル基、置換または未置換のナフトチエノチエニル基、置換または未置換のアントラ［２，３−ｂ］チエニル基、置換または未置換のベンゾチエノベンゾチエニル基、あるいは置換または未置換のフェナレノ［１，９−ｂｃ］チエニル基を表す） （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたＴＦＴを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体を含有する活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層のキャリア濃度が３×１０^１７／ｃｍ^３以上であり、前記活性層の膜厚が０．５ｎｍ以上１０ｎｍ未満であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ｎ型カルコゲニド素材とｐ型カルコゲニド素材を製造する方法、ｎ型カルコゲニド素材とｐ型カルコゲニド素材を用いてカルコゲニド薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にチャネル層を構成するｎ型カルコゲニド層を形成するステップと；ｎ型カルコゲニド層の上部に拡散防止層を形成し、拡散防止層をパターニングするステップ；およびｎ型カルコゲニド層にＴｅ合金を蒸着し拡散させ、ソースおよびドレイン領域を構成するｐ型カルコゲニド層を形成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】チアゾールを用いる有機半導体化合物、及びチアゾールを用いる有機半導体化合物を有機半導体層に使用する有機薄膜トランジスタ、を提供する。
【解決手段】チアゾールを用いる新規な有機半導体化合物は、液晶性を有し、熱的安定性に優れるため、有機薄膜トランジスタで有機半導体層に提供される。これを達成するために、シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成し、シリコン酸化物上にチアゾールを含む有機半導体層を形成する。また、有機半導体層の上部の両側領域にはソース電極及びドレイン電極を形成する。有機半導体層を使用した有機薄膜トランジスタは、改善された点滅比を有し、優れた熱的安定性を有する。また、溶液工程が可能であるという利点がある。 （もっと読む）