【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたＴＦＴを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体からなる活性層、ソース電極、ドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜のダングリングボンド密度が５×１０^１６ｃｍ^−３以下であり、かつ前記ゲート絶縁膜中の水素濃度が１×１０^１９ｃｍ^−３以下であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】有機ゲート絶縁膜の密着性を高めることができ、トランジスタ特性を向上させることができる有機トランジスタ及びその製造方法を得る。
【解決手段】基板１と、基板１上に設けられるゲート電極２と、ゲート電極２上に設けられる有機材料からなるゲート絶縁膜４と、ゲート絶縁膜４上に設けられる有機半導体層８と、有機半導体層８にチャネル領域を形成するため有機半導体層に接するように設けられるドレイン電極６及びソース電極７とを備え、ゲート電極４が、ゲート電極２上に設けられたフルオロカーボン膜３の上に形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、あるいは置換または未置換のフェナントレン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有した有機トランジスタ、特にｎ型有機トランジスタを提供する。
【解決手段】下式（１）の化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のフェナントレン環、置換または未置換のピリジン環、置換または未置換のキノリン環、置換または未置換のピラジン環、あるいは置換または未置換のキノキサリン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にビスフェナントレノ［９’，１０’：６，７］インデノ［１，２，３−ｃｄ：１’，２’，３’−ｌｍ］ペリレン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、
Ｙ_１およびＹ_２はそれぞれ独立に、硫黄原子、あるいはＮ−Ｒ（但し、Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す）を表す］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に［ｎ］フェナセン化合物（但し、ｎは５〜１１の整数を表す）を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】トランジスタを提供する。
【解決手段】チャンネル層、チャンネル層の両端にそれぞれ接触されたソース及びドレイン、チャンネル層と離隔されたゲート電極、チャンネル層とゲート電極との間に備わったゲート絶縁層、及びチャンネル層とゲート絶縁層との間に備わり、チャンネル層と仕事関数が異なる挿入層を備えるトランジスタである。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のナフタレン環を表し、環Ｂは置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

置換２，２’−ジチオフェンを製造するための方法であって、工程（ａ）、（ｃ）ならびに任意の工程（ｂ）および（ｄ）、すなわちａ）式：（ＩＶ）［Ｈａｌは、水素またはハロゲン、特にＢｒを表し、Ｒ１およびＲ１’は、独立して水素または置換基であり、ｎは０から６、好ましくは０であり；Ｙは、存在すれば、置換または非置換フェニレン、チエン、１，２−エチレンであるか、または１，２−エチニレンであり；Ｒ２およびＲ２’は、独立して水素であるか、あるいはそれぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択される］の化合物と、好適なリチウム有機化合物、好ましくはＬｉ−アルキルまたはＬｉ−アルキルアミドとを反応させる工程と、ｂ）リチウムをＭｇ、ＺｎおよびＣｕから選択される別の金属と場合によって交換する工程と、ｃ）工程（ａ）または（ｂ）で得られた金属中間体と、ＣＯ₂もしくはアルデヒド（付加反応）、または化合物Ｙ’−Ｒ１７もしくはＹ’−Ｒ１８−Ｚ（置換反応）［Ｒ１７およびＲ１８は請求項１に定義されている通りである］である好適な求電子体とを反応させる工程と、場合によってｄ）例えば以上に定義されている１つまたは複数の共役部分Ｙの導入、好適な一価の残基Ｒ１７の間の閉環、Ｒ１７またはＲ１８におけるカルボニルへの付加またはカルボニルの置換などの官能基または置換基の交換または延長によって、工程（ｃ）で得られた生成物を改質する工程とを含む方法。ポリマーを含む、またはポリマーに対応する生成物は、例えば、有機電界効果トランジスタ、集積回路、薄膜トランジスタ、ディスプレイ、ＲＦＩＤタグ、エレクトロまたはフォトルミネセンス素子、ディスプレイ、光起電力またはセンサ素子、電荷注入層、ショットキーダイオード、記憶装置、平坦化層、帯電防止材、導電性基板またはパターン、光導体、あるいは電子写真用途または記録材料における用途の優れた導電性材料である。
（もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にフルオランテノ［８’，９’：５，６］インデノ［１，２，３−ｃｄ］フルオランテノ［８，９−ｋ］フルオランテン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_２とＸ_３は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】インクジェットなどの塗布プロセスで製膜可能であって、高い電荷移動度を有し、大気中においても高いオンオフ比を維持することができる有機半導体コンポジット、有機トランジスタ材料ならびに有機電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】下式で表されるチオフェン化合物とカーボンナノチューブを含有する有機半導体コンポジット。


（Ｒ^１、Ｒ^２、Ｘ^１、Ｘ^２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシアルキル基等からなる群から選ばれる。Ｘ^１およびＸ^２が同時に水素原子となることはない。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｘ^１、Ｘ^２は隣接する置換基同士で環を形成してもよい。ｍは１〜２０の整数。ｍが２以上の場合、Ｒ^１およびＲ^２は同じでも異なっていてもよい。） （もっと読む）

本明細書においては、デバイスを作成するための、伸張可能、折畳み可能、及び任意にはプリント可能なプロセスと、伸張、圧縮、撓曲、又は他の態様で変形される場合に良好な性能を示すことが可能な、半導体、電子回路、及びそれらの構成要素などの、伸張可能、折畳み可能、及び任意にはプリント可能なデバイスとが、開示される。歪み隔離層は、機能デバイス層に対して良好な歪み隔離をもたらす。多重層デバイスは、歪み誘起破損を受けやすい材料を含む機能層に対してコインシデントである又は近位に位置するようにニュートラル機械表面を位置決めするように、構築される。ニュートラル機械表面は、多重層デバイスの層のいずれかをパターニングすることなどにより、空間的に不均一である特性を有する１つ又は複数の層によって位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】高い経時デバイス安定性及び動作安定性などが薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上１０に、ゲート電極１５、ゲート絶縁層１２、チャネル層１１、ソース電極１３及びドレイン電極１４が形成される薄膜トランジスタにおいて、チャネル層１１はインジウム、ゲルマニウム及び酸素を含んでいて、チャネル層１１におけるＩｎ／（Ｉｎ＋Ｇｅ）で表される組成比が０．５以上０．９７以下である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の上に有機半導体層を設けた有機半導体素子において、移動度及びオン／オフ比などの半導体特性に優れた有機半導体素子及びその製造方法の提供。
【解決手段】絶縁層３と、絶縁層３上に設けられる有機半導体層５とを備える有機半導体素子であって、絶縁層３と有機半導体層５の間に、以下の一般式で表わされる共重合体からなる高分子層４が設けられていることを特徴としている。


（式中、Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、互いに同一であっても異なってもいてもよく、水素原子またはアルキル基を示す。ｘ及びｙは、０．００１≦ｙ／ｘ＜０．１の関係を満足する。） （もっと読む）