【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置をバラツキなく作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含むバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】 高い正孔移動度及びオン／オフ比を有するｐ型有機半導体材料として用いることのできる化合物、及び上記化合物を用いて製造される、ｐ型有機電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】 本発明の化合物は、下記一般式（１）で表わされるビスナフトチオフェン誘導体である。
【化１】


（上記一般式（１）において、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立して、水素、又は一価の有機基である。）
本発明によれば、高い移動度及びオン／オフ比を有するとｐ型有機有機半導体材料として用いることのできる化合物が得られる。 （もっと読む）

【課題】既知の薄膜トランジスタの性能を改良する。
【解決手段】半導体層を含む電子デバイスであって、該半導体層が、式（Ｉ）および（ＩＩ）：


式(I) 式(II)
（式中、Ｒ_１およびＲ_２は、独立して、水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、およびヘテロアリールから選択され、ＸおよびＹは、独立して、共役二価部分であり、ａおよびｂは、独立して、０から１０までの整数であり、ｎは、２から５，０００までの整数である）からなる群から選択される半導体ポリマを含む電子デバイスである。 （もっと読む）

【課題】既知の薄膜トランジスタの性能を改良する。
【解決手段】式（Ｉ）および（ＩＩ）：


式(I) 式(II)
（式中、Ｒ_１およびＲ_２は、独立して、水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、およびヘテロアリールから選択され、ＸおよびＹは、独立して、共役二価部分であり、ａおよびｂは、独立して、０から１０までの整数であり、ｎは、２から５，０００までの整数である）からなる群から選択される半導体ポリマである。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増加を抑制することができ、かつトランジスタのオンオフ特性を向上させることができる有機電界効果トランジスタを得る。
【解決手段】 絶縁性の基板９と、基板９上に凸部形状を形成する第１の電極１と、第１の電極１の上面１ａ及び側面１ｂ，１ｃを覆う絶縁膜７と、絶縁膜７を介して少なくとも第１の電極１の上面１ａ上に設けられる第２の電極２と、第１の電極１の側面１ｂ，１ｃ上の絶縁膜７に沿う領域が、第２の電極２との間で形成するチャネル領域となるように、基板９上に設けられる第３の電極３，４と、第２の電極と第３の電極の間を覆い、チャネル領域を形成するように設けられる有機半導体層８とを備える有機電界効果トランジスタ１０であって、第１の電極１の側面１ｂの上部１ｄと第２の電極２との間の絶縁膜６の厚みｔ_１が、第１の電極１の上面１ａ上の絶縁膜７の平均的厚みよりも薄くなるように形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】良好なトランジスタ特性を示し、酸素分圧等の周囲の雰囲気の影響を防止でき、安定した半導体特性を示す電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極に接しており、層厚方向で比抵抗が異なり、結晶酸化物を含む酸化物半導体膜と、ゲート電極と、ゲート電極と酸化物半導体膜の間にゲート絶縁膜を有し、酸化物半導体膜のゲート絶縁膜側の比抵抗が、ソース電極及びドレイン電極側の比抵抗に比べて低い薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、且つ動作安定性に優れた酸化物半導体を用いた薄膜電界効果型トランジスタの製造方法を提供することにある
【解決手段】ゲート電極２を形成する工程、ゲート絶縁膜３を形成する工程、酸化物半導体よりなる活性層を形成する工程、該活性層に接して該活性層より電気伝導度の低い酸化物半導体よりなる抵抗層６を形成する工程、該抵抗層の一部を低抵抗化処理することにより所定の間隔を離して少なくとも２つの低抵抗領域を形成する低抵抗化処理工程であって、該２つの低抵抗領域に挟まれた低抵抗化処理が施されなかった領域（未低抵抗化領域）が、平面上、前記ゲート電極の内側に形成され、及び前記２つの低抵抗領域のそれぞれと接してソース電極及びドレイン電極を形成する工程を有する薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減でき、かつオンオフ特性の高い有機トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１上に形成された凸状の第１の電極２と、第１の電極２の上面２ａ及び側面２ｂ，２ｃを覆う絶縁層と、絶縁層を介して第１の電極２の上面２ａ上に設けられる第２の電極６と、第１の電極２の側面２ｂ，２ｃ上の絶縁層上及び基板１上に設けられる第３の電極７，８と、第２の電極６と第３の電極７，８の間を覆うように設けられる有機半導体層９とを備える有機トランジスタであって、絶縁層が、第１の電極２の上面２ａ及び側面２ｂ，２ｃを覆う第１の絶縁膜３及び第２の絶縁膜４と、第２の電極６と第３の電極７，８の間の第２の絶縁膜４上に設けられる第３の絶縁膜５とから構成され、第１の絶縁膜３が第１の電極２の陽極酸化膜であり、第２の絶縁膜４がポリパラキシリレン誘導体から形成された膜であり、第３の絶縁膜５がカップリング剤から形成された膜である。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチエノベンゾチオフェン環、置換または未置換のナフトチエノチオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換または未置換のチエノチオフェン環、置換または未置換のチエノベンゾチオフェン環、置換または未置換のナフトチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_１とＸ_２は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にナフタセノ［２，１，１２，１１−ｏｐｑｒａ］ナフタセン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６は独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基又はアリール基を、環Ａ及び環Ｂは独立に、置換又は未置換のチオフェン環を、Ｒ_１はアルキル基またはアリール基を、Ｒ_２は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基又はアリール基を、Ｙ_１及びＹ_２は独立に、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−を、ｎは０又は１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、隣接するＸ_１〜Ｘ_１２は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、隣接するＸ_１〜Ｘ_８は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表し、Ｘ_１およびＸ_２はそれぞれ独立に、硫黄原子、またはＮ−Ｒ（Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す）］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｍおよびｎはそれぞれ独立に０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にベンゾ［ｖｗｘ］ヘキサフェン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、アモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴであって、ＯＦＦ電流が低く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、かつ閾値変化の少ない駆動安定性に優れたＴＦＴを提供することにある。
【解決手段】基板上に、少なくとも、該基板側から順に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極、並びに保護膜を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層がＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＣｄよりなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を有するアモルファス酸化物を含有する層であり、前記活性層と前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間にＧａ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ及びＳｉよりなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含有する酸化物又は窒化物を含有する抵抗層を有する薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｍは０，１または２を表し、ｎは０または１を表す。ｍが２の時、２つのＸ_４、２つのＸ_７はそれぞれ独立に前記の意味を示す。） （もっと読む）