【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチエノチオフェン環、置換または未置換のジチエノチオフェン環、置換または未置換のベンゾジチオフェン環、置換または未置換のチエノベンゾチオフェン環、あるいは置換または未置換のナフトチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】溶液塗布法、特にボトムコンタクト型の有機トランジスタにおいて安定した薄膜形成が可能で、高い移動度および低い閾値電圧を有し、大気中で安定な動作を可能とする有機半導体膜を構成する化合物および該化合物を用いた有機トランジスタを提供すること。
【解決手段】下記式（Ｉ）で表される化合物による。
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【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、隣接するＸ_１〜Ｘ_８は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】移動度、電流オン／オフ比、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に式（１）の化合物を含む有機トランジスタ。


［環Ａは式（ａ）または式（ｂ）で表される構造。］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、Ａｒ_１およびＡｒ_２はそれぞれ独立に、置換または未置換のアリール基を表し、Ｘ_１およびＸ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表し、Ｒ_１はアルキル基あるいはアリール基を表し、Ｒ_２は水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を表し、Ｙ_１およびＹ_２はそれぞれ独立に、−ＣＨ＝ＣＨ−、あるいは−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高いキャリア移動度とノーマリーオフ特性とを有する電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電圧を印加するためのゲート電極２６と、電流を取り出すためのソース電極２３及びドレイン電極２４と、ソース電極２３及びドレイン電極２４に隣接して設けられ、マグネシウム（Ｍｇ）とインジウム（Ｉｎ）を主成分とする酸化物半導体からなる活性層２２と、ゲート電極２６と活性層２２との間に設けられたゲート絶縁層２５とを備えている。そして、活性層２２を形成する際に流す酸素ガスの流量は、酸素分圧が１．７×１０^−３Ｐａとなるように調整されており、活性層２２を構成する酸化物半導体は、体積抵抗率が１０Ωｃｍで、酸素が非化学量論組成であるＭｇＩｎ_２Ｏ_４系酸化物半導体となる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板１上に、少なくとも、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、活性層４−１、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層４−１と前記ソース電極５−１及び前記ドレイン電極５−２の少なくとも一方との間に抵抗層４−２を有し、前記活性層がＩｎ，Ｚｎ及びＧａより成る群から選ばれる少なくとも１種を含む酸化物を含有し、前記抵抗層が少なくともＧａを含有する酸化物を含有し、前記抵抗層の酸化物のＧａ含有率が前記活性層の酸化物のＧａ含有率より高いことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】溶解性に優れ、空気安定性を有する有機半導体を用いることにより、安定性の高い有機薄膜、並びに高い移動度、高いＯＮ/ＯＦＦ比を有する有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を具備する有機電界効果トランジスタにおいて、前記有機半導体層が下記一般式で示される化合物を含むことを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
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【課題】本発明の目的は高い電界効果移動度と高いＯＮ／ＯＦＦ比を有するアモルファス酸化物半導体を用いて、高精細化が容易で生産性にすぐれた薄膜電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたアモルファス酸化物半導体層と、前記アモルファス酸化物半導体層上に互いに電気的に離れてソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記ソース電極とドレイン電極との間にあってチャネル部を形成する前記アモルファス酸化物半導体上に、結晶性酸化物からなるエッチングストッパー層を備えた薄膜電界効果型トランジスタとその製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板１上に、少なくとも、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、活性層４、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が酸化物半導体層であり、前記活性層と前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方との間に酸化物半導体層からなる抵抗層６を有し、前記活性層の電気伝導度が１０^−４Ｓｃｍ^−１以上１０^２Ｓｃｍ^−１未満であり、且つ、前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率（活性層の電気伝導度／抵抗層の電気伝導度）が、１０^１以上１０^１０以下であり、前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の前記抵抗層と接する面側がＴｉ又はＴｉ合金層８−１，８−２である薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が酸化物半導体層であり、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に前記活性層より電気伝導度の低い抵抗層を有し、前記活性層と前記抵抗層との間に前記活性層の酸化物半導体よりも酸素との結合力の強い元素種を含む酸化物を含有する中間層を有する薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を少ない工程で作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜上にチャネル保護層を形成した後、ｎ型の導電型を有する膜と、導電膜を成膜し、導電膜上にレジストマスクを形成する。このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型（トップゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高い金属酸化物層をバッファ層として意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産性高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極層と、該ゲート電極層上にゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上に該ソース電極層及び該ドレイン電極層と、ソース電極層及びドレイン電極層上にバッファ層と、該バッファ層上に半導体層とを含む薄膜トランジスタを有し、ゲート電極層と重なる半導体層の一部は、ゲート絶縁層上に接し、且つ、ソース電極層とドレイン電極層の間に設けられ、半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、バッファ層はｎ型の導電型を有する金属酸化物を含み、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層とはバッファ層を介して電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型（トップゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層とＩＧＺＯ半導体層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタのオフ電流を低減することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタであって、該酸化物半導体層のゲート絶縁層とは反対側（バックチャネル側）であって、保護膜である絶縁膜と接する面の酸素濃度を制御することを要旨とする。すなわち、当該酸化物半導体層のバックチャネル側の面の酸素濃度を高くして、オフ電流の低減を図らんとするものである。酸化物半導体の酸素濃度を高くすることで微結晶の生成が抑制され非晶質化する。酸化物半導体において酸素濃度が高く非晶質化した領域は高抵抗化するので、電流は流れにくくなる。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層を設け、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極及びドレイン電極と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）