【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いて高階調な電界発光装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が、室温から温度の低下と伴に電子キャリア濃度が減少する傾向を有し、その活性化エネルギーが０．０４ｅＶ以上０．１０ｅＶ以下である非晶質酸化物を含有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ、およびそれを用いた電界発光装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを他の目的の一とする。
【解決手段】ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｎ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素、ｎは１以上５０未満の非整数）でありさらに水素を含む。この場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素）よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有している。ここでｎの値は、好ましくは１以上５０未満の非整数、より好ましくは１０未満の非整数とする。 （もっと読む）

本発明は、式ＩまたはＩＩＩの繰り返し単位を含むポリマーと、有機デバイス、特に有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、またはダイオードおよび／または有機電界効果トランジスタを含有するデバイスにおける、有機半導体としてのその使用とに関する。本発明によるポリマーは、有機溶媒に対する優れた溶解性および優れた膜形成能を有する。さらに、本発明によるポリマーを有機電界効果トランジスタにおいて使用したとき、高効率のエネルギー変換、優れた電界効果移動度、良好なオン／オフ電流比、および／または優れた安定性を認めることができる。
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【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを他の目的の一とする。
【解決手段】ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素、ｍは１以上５０未満の非整数）である。この場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素）よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有している。ここでｍの値は、好ましくは１以上５０未満の非整数、より好ましくは１０未満の非整数とする。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）の１つ以上の（繰り返し）単位と、式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、および（ＩＶ）の繰り返し単位から選択された少なくとも１つの（繰り返し）単位とを含むポリマー；および式ＩＩＩまたはＩＶのポリマー、ならびに有機デバイス、特に有機光電装置（太陽電池）およびフォトダイオード、またはダイオードおよび／または有機電界効果トランジスタを含有するデバイスにおける、有機半導体としてのそれらの使用に関する。本発明によるポリマーは、有機溶媒に対する優れた溶解性および優れた膜形成能を有する。さらに、本発明によるポリマーを有機電界効果トランジスタ、有機光電装置（太陽電池）、およびフォトダイオードにおいて使用したとき、高効率のエネルギー変換、優れた電界効果移動度、良好なオン／オフ電流比、および／または優れた安定性を認めることができる。
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【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一とする。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置において、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けられた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続するパッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】成膜性（造膜性ともいう）の良好な金属酸化物前駆体層の作製方法、作製された該金属酸化物前駆体層を用いた金属酸化物層の作製方法を提供し、且つ、該金属酸化物の作製方法を用いて、移動度が高く、Ｏｎ／Ｏｆｆ比が高く、敷電圧が低い電子デバイスを提供する。
【解決手段】基材の上に金属イオンを含む溶液を基材に塗布する金属酸化物前駆体層の作製方法において、該基材の温度（℃）を該溶液の主溶媒の沸点（℃）の５０％〜１５０％の温度範囲に調整して前記溶液を塗布、成膜する工程を有することを特徴とする金属酸化物前駆体層の作製方法。 （もっと読む）

【課題】誘電体層と半導体層の間の所定の構造の２つの界面層を有する、オン／オフ比や移動度の改良された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ＯＴＦＴ１０は、誘電体層４０と半導体層７０の間に２つの界面層８０，９０があり、一方の界面層が、シロキサンポリマーまたはシルセスキオキサンポリマーから形成されており、他方の界面層が、式（Ｉ）のシランから形成されている。


式（Ｉ）
（上記式（Ｉ）中、Ｒ’は、約１個から約２４個までの炭素原子を有するアルキルであり、Ｒ”は、約１個から約２４個までの炭素原子を有するアルキル、ハロゲン、アルコキシ、ヒドロキシルまたはアミノであり、Ｌは、ハロゲン、酸素、アルコキシ、ヒドロキシル、またはアミノであり、ｋは、１または２であり、ｍは、１、２または３である。） （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一とする。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置において、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成され、ゲート電極層と重なるチャネル形成領域となる半導体層上にチャネル保護層が設けられた逆スタガ型薄膜トランジスタが設けられた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続するパッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】移動度の高い薄膜トランジスタ及び生産効率の高い薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基体の上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁層及び活性層を有する薄膜トランジスタにおいて、該活性層が、複数の孤立した導電性領域と酸化物半導体からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層上にＩＧＺＯ半導体層を設け、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート絶縁層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりも酸素濃度の低いソース領域及びドレイン領域を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、マイクロ波加熱を用いることによって、塗布膜から形成される酸化物半導体の前駆体の酸化膜への変換を容易として、酸化物半導体膜を活性層とする薄膜トランジスタ素子の生産効率を向上させることにある。
【解決手段】酸化物半導体の前駆体薄膜を加熱して酸化物半導体膜に転化させる薄膜トランジスタの製造方法において、マイクロ波を吸収し発熱する材料を前駆体薄膜の内部、又は前駆体薄膜に接して配置し、この材料にマイクロ波を照射することにより、酸化物半導体膜への転化を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの製造において有用な半導体インク配合物を提供する。
【解決手段】半導体インク配合物は、構造式（Ａ）のチオフェン部分を含む半導体材料と、第１の溶媒と、第１の溶媒と混和性であり、第１の溶媒の表面張力に等しいかまたはそれより大きい表面張力を有する第２の溶媒とを含み、該半導体材料が室温にて０．１重量％未満の溶解度を有する。


（上記構造式（Ａ）中、Ｒ_１は、アルキルおよび置換アルキルから選択される。） （もっと読む）

【課題】透明導電性微粒子を含む流動性材料の塗布により、ゲート電極を形成する方法において、従来よりも低抵抗、かつ充分な表面平滑性をもった透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０６上に、金属酸化物微粒子（ＩＴＯ）及び金属酸化物の前駆体を含む薄膜１０４”を塗布する。この薄膜にマイクロ波を照射することにより、前駆体が発熱体として作用し、焼成され、導電性薄膜を形成する。これをパターンニングしゲート電極１０４とする。ついで、ゲート絶縁膜１０５を形成し、半導体前駆体を塗布、乾燥し、半導体前駆体材料薄膜１０１’を得る。これにマイクロ波を照射することにより、ゲート電極が発熱し、この熱により半導体前駆体材料薄膜が加熱され、酸化物半導体膜に変換され半導体層１０１が形成される。マスクを介して金を蒸着し、ソース、ドレイン電極１０２，１０３を形成し、薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】 電界効果型半導体装置に関し、従来の作製方法を大幅に変更することなく、サブスレッショルド電流によるｏｆｆ時のリーク電流を抑制して、ｏｎ−ｏｆｆ比を高くする。
【解決手段】 ソース領域及び第１ドレイン領域の少なくとも一方が金属或いは多結晶半導体からなるとともに、前記金属或いは多結晶半導体と半導体チャネル層との間に形成されたトンネル絶縁膜を有する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、隣接するＸ_１〜Ｘ_８は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】移動度、電流オン／オフ比、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に式（１）の化合物を含む有機トランジスタ。


［環Ａは式（ａ）または式（ｂ）で表される構造。］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、Ａｒ_１およびＡｒ_２はそれぞれ独立に、置換または未置換のアリール基を表し、Ｘ_１およびＸ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表し、Ｒ_１はアルキル基あるいはアリール基を表し、Ｒ_２は水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を表し、Ｙ_１およびＹ_２はそれぞれ独立に、−ＣＨ＝ＣＨ−、あるいは−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチエノチオフェン環、置換または未置換のジチエノチオフェン環、置換または未置換のベンゾジチオフェン環、置換または未置換のチエノベンゾチオフェン環、あるいは置換または未置換のナフトチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）