【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｒ_１は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｒ_２は直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、隣接するＸ_２〜Ｘ_５は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよく、Ｙ_１およびＹ_２はそれぞれ独立には酸素原子、硫黄原子、あるいはＮ−Ｒ（但し、Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す）を表す（但し、Ｙ_１およびＹ_２は同時にＮ−Ｒを表すことはない）］ （もっと読む）

【課題】比較的低温の液相法により製造することができ、ＴＦＴ等の半導体活性層として良好な特性を有する金属酸化物膜を提供する。
【解決手段】金属酸化物膜４０は、膜中に水酸基が存在しており、かつ、下記条件を充足する組成分布を有するアモルファス構造膜である。＜基板側の膜面の組成＞主成分金属元素がＩｎ及びＺｎである。Ｃ_Ｚｎ（Ｂ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｂ）＝０．５〜２．０、Ｃ_{Ｇａ＋Ａｌ}（Ｂ）／Ｃ_{Ｉｎ＋Ｚｎ}（Ｂ）＝０．０〜０．１２５。＜基板側と反対側の膜面の組成＞主成分金属元素が、Ｉｎ及びＺｎと、Ｇａ及びＡｌのうち少なくとも１種とである。Ｃ_Ｚｎ（Ｔ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｔ）＝０．５〜２．０、Ｃ_{Ｇａ＋Ａｌ}（Ｔ）／Ｃ_{Ｉｎ＋Ｚｎ}（Ｔ）≧０．３７５。（Ｃ_Ｚｎ／Ｃ_ＩｎはＺｎ／Ｉｎモル比、Ｃ_{Ｇａ＋Ａｌ}／Ｃ_{Ｉｎ＋Ｚｎ}はＧａ＋Ａｌ／Ｉｎ＋Ｚｎモル比を示す。（Ｂ）は基板側の膜面、（Ｔ）は基板側と反対側の膜面を示す。） （もっと読む）

【課題】比較的低温の液相法により製造することができ、ＴＦＴ等の半導体活性層として良好な特性を有するＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を提供する。
【解決手段】金属酸化物膜４０は、基板１０上に成膜され、主成分金属元素がＩｎ及びＺｎであるアモルファス構造の金属酸化物膜である。金属酸化物膜４０は、膜中に水酸基が存在しており、かつ、下記式（１）を充足する組成分布を有している。
Ｃ_Ｚｎ（Ｔ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｔ）≧４．０×Ｃ_Ｚｎ（Ｂ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｂ）・・・（１）
（式中、Ｃ_Ｚｎ（Ｂ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｂ）は基板側の膜面におけるＺｎ／Ｉｎモル比、Ｃ_Ｚｎ（Ｔ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｔ）は基板側と反対側の膜面におけるＺｎ／Ｉｎモル比をそれぞれ示す。） （もっと読む）

【課題】インクジェット法に代表される塗布法で成膜可能であって、高い電荷移動度および高いオンオフ比を有する有機ＦＥＴを提供することができるカーボンナノチューブ分散溶液および有機半導体コンポジット溶液を提供すること。
【解決手段】表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブおよび一種類以上の溶媒を含有するカーボンナノチューブ分散溶液であって、該カーボンナノチューブ分散溶液に含まれる各溶媒の双極子モーメントが３．５Ｄｅｂｙｅ以下であり、かつ、沸点が１５０℃以上である溶媒を全溶媒中５０体積％以上含有するカーボンナノチューブ分散溶液。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたＴＦＴおよびその製造方法を提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有するＴＦＴであって、前記活性層と前記ソース電極又は前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に前記活性層の抵抗より電気抵抗率の高い抵抗部を有し、かつ前記抵抗部と前記ゲート電極が互いに平面状重なりを有しない位置に配置されていることを特徴とする。ＴＦＴの製造方法および表示装置も開示される。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層の厚さを大きくすることが容易であり、ゲート絶縁層の影響によるチャネル層の半導体特性の劣化が防止された薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１０は、基板１の表面に、ゲート電極２、ゲート絶縁層３及びチャネル層４がこの順に形成され、該チャネル層４の表面にソース電極５及びドレイン電極６が形成された構成となっている。ゲート絶縁層３としては、アモルファスフッ素樹脂が用いられる。ゲート絶縁層３がアモルファスフッ素樹脂よりなるため、ゲート絶縁層が金属酸化物絶縁体よりなる場合と比べて、厚さを大きくすることが容易である。また、ゲート絶縁層がポリアミド等の他の有機材料よりなる場合と比べて、ゲート絶縁層の影響によるチャネル層の半導体特性の劣化が著しく少ない。 （もっと読む）

半導体デバイスであって、結晶ミクロ粒子、ミクロロッド、結晶ナノ粒子、または、ナノロッドの形状で半導体チャネル構成物質から形成され、かつ、半導体ドーパントでドープされたチャネル層を備える半導体デバイス。
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【課題】均一な加熱によって、簡単な手法を用いて、酸化物半導体層を形成し、これを活性層とした薄膜トランジスタの製造を行うことのできる新規な方法を提供する。
【解決手段】前駆体溶液を塗布して形成される前駆体薄膜６’をパターニングした後、加熱することにより酸化物半導体の薄膜６を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 低温でゲート絶縁膜を形成することが可能な有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、これらの間の電流経路となる有機半導体層と、電流経路を通る電流を制御するゲート電極と、有機半導体層とゲート電極とを絶縁する絶縁層とを備え、絶縁層が、分子内に電磁線又は熱により活性水素基と反応する官能基を生成する基を２個以上有する第１の化合物と、分子内に活性水素基を２個以上有する第２の化合物とを含み、且つ第１及び第２の化合物の少なくとも一方が高分子化合物である組成物の硬化物からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低閾値電圧、高電界効果移動度及び高オン／オフ電流比を有するボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極、絶縁体層、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を含むボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタであって、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方が、酸化物層及び金属層が積層してなる積層構造を有し、前記金属層が有機薄膜層で表面修飾されてなる有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

下記式（Ｉ）の基を繰返単位として含み、数平均分子量Ｍｎが３０〜７０ｇ／ｍｏｌの範囲にあるベンゾチアジアゾール−シクロペンタジチオフェンコポリマー：
【化１】


式中、Ｒはｎ−ヘキサデシルまたは３，７−ジメチルオクチルである。
本発明はまた、上記コポリマーの、半導体または電荷移動材料としての、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）としての、または有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）用半導体部品中での、太陽電池部品用の、またはセンサー中での、電池の電極材料としての、光導波路としての、あるいは電子写真用途用の利用に関する。 （もっと読む）

【課題】オンオフ比が高く、オフ電流の小さい薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層４を含む薄膜トランジスタであって、該半導体層４が、窒素原子、ヘリウム原子、ネオン原子、アルゴン原子及びこれらの混合物からなる群から選択される原子を５×１０²⁰〜５×１０²¹atoms/cm³の原子濃度で含むことを特徴とする薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこの薄膜トランジスタを含む液晶又は有機ＥＬディスプレイ。 （もっと読む）

一般式（Ｉ）のジチエノベンゾジチオフェン：
【化１】


式中、
Ｒ¹〜Ｒ⁶は、各々の独立して、ａ）Ｈ、ｂ）ハロゲン、ｃ）−ＣＮ、ｄ）−ＮＯ₂、ｅ）−ＯＨ、ｆ）Ｃ_1-20アルキル基、ｇ）Ｃ_2-20アルケニル基、ｈ）Ｃ_2-20アルキニル基、ｉ）Ｃ_1-20アルコキシ基、ｊ）Ｃ_1-20アルキルチオ基、ｋ）Ｃ_1-20ハロアルキル基、Ｉ）−Ｙ−Ｃ_3-10シクロアルキル基、ｍ）−Ｙ−Ｃ_6-14アリール基、ｎ）−Ｙ−３−１２員環のシクロヘテロアルキル基、またはｏ）−Ｙ−５−１４員環のヘテロアリール基、
［式中、各々のＣ_1-20アルキル基、Ｃ_2-20アルケニル基、Ｃ_2-20アルキニル基、Ｃ_3-10シクロアルキル基、Ｃ_6-14アリール基、３−１２員環シクロヘテロアルキル基、および５−１４員環のヘテロアリール基は、１〜４個のＲ⁷基で置換されていてもよく、
式中、Ｒ¹とＲ³とＲ²とＲ⁴は、一緒になって脂肪族の環状基を形成していてもよい］」
から選ばれ、
Ｙは、独立して、２価のＣ_1-6アルキル基、２価のＣ_1-6ハロアルキル基、または共有結合から選ばれ、
ｍは、独立して０、１、または２から選ばれる。
本発明はまた、請求項１〜４のいずれか一項に記載のジチエノベンゾジチオフェンの半導体または電荷輸送材としての、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）としての、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）用の半導体部品内での、光発電部品用の、センサー内での電池の電極材料としての、光学導波路としての、あるいは電子写真用途での利用に関する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のフェナントレン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_２とＸ_３、あるいはＸ_４とＸ_５は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される構造を少なくとも２つ含有してなるオリゴマーまたはポリマーを少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_５はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ｙは置換または未置換のチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチエノチオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のチエノチオフェン環を表し、ｍは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に下式で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基を表し、環Ａはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、チオフェン環、チエノチオフェン環、ジチエノチオフェン環、ベンゾジチオフェン環を表し、環Ｂは１位と８位で縮環したナフタレン環、３位と４位で縮環したペリレン環、１位と１０位で縮環したピレン環を表す） （もっと読む）