【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_２とＸ_３、あるいはＸ_４とＸ_５は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを（１１１）配向を選択的に形成する場合、結晶粒界の位置はランダムに形成されるため、トランジスタのチャネル部分に結晶粒が配置された場合、結晶粒界に存在するトラップ準位の影響により、電気的特性が低下する。また、チャネル部分に発生したホットキャリアを吸収する領域がなく、キンク特性が発生するという課題がある。
【解決手段】（１１１）配向を含む不純物がドーピングされた第１シリコン層２０４上に貫通孔２０６を含む絶縁層２０５を形成した後、第２シリコン層前駆体２０７ａを積層し、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて第１シリコン層２０４を種結晶として再結晶工程を行い、面方位が（１１１）に揃えられた第２シリコン層２０７を形成する。そして不純物がドーピングされた第１シリコン層２０４からホットキャリアを引き抜くことで、キンクの発生が抑えられ、且つ電気的特性に優れたトランジスタを提供できる。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジベンゾ［ｋｌ，ｒｓｔ］アセナフト［１’，２’：６，７］フルオレノ［９，１，２−ｃｄｅ］ペンタフェン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のフェナントレン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｒ_１は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｒ_２は直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_４とＸ_５は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】可溶性でありながら安定性を有する有機半導体材料を用いることで簡便な手法での製造が可能でかつ特性が良好で信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極３、ゲート絶縁膜５、ソース７ｓ、ドレイン７ｄ、およびソース７ｓ−ドレイン７ｄ間のチャネル層を構成する半導体薄膜９を有し、下記一般式（１）に示す有機半導体材料を用いてソース７ｓ−ドレイン７ｄ間のチャネル層を構成してなる有機薄膜トランジスタ（半導体装置）１である。


ただし、一般式（1）中において、Ｘ１〜Ｘ４は硫黄（Ｓ）であり、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一方は溶解性を得るためのアルキル基を有する置換基であり、互いに連結して環を形成していても良い。 （もっと読む）

【課題】改善された性能を示す半導体層を有する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】改善された移動度及び/又は可撓性を有する薄膜トランジスタを提供する。半導体層が半導体ポリマーおよび絶縁ポリマーを含む。前記薄膜トランジスタを製造及び使用する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの性能を改善すること。
【解決手段】誘電体層、界面層、および半導体層を有する薄膜トランジスタであって、前記界面層は前記誘電体層と前記半導体層との間にあり、前記界面層はシランから形成され、前記半導体層は下記式（Ｉ）の半導体を含む、薄膜トランジスタ。
【化１】


［式中、Ｒ₁およびＲ₂はアルキル、置換アルキル、アリール、および置換アリールより独立に選択され、Ｒ₃およびＲ₄は水素、アルキル、置換アルキル、アリール、および置換アリールより独立に選択される。］ （もっと読む）

【課題】高いキャリア移動度と安定性を有し、容易なプロセスで作製可能な有機半導体材料及び有機デバイスを提供する。
【解決手段】チアポルフィリン骨格を有し、チアポルフィリン環平面からチアポルフィリン骨格を形成する原子の中心までの距離が１Å以内に配置された分子構造を有する化合物を含むことを特徴とする有機半導体材料、及び、ビシクロ構造を有する前駆体としてのチアポルフィリン骨格を有する化合物を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布し、加熱することにより、上記チアポルフィリン骨格を有する化合物に変換することを特徴とする有機半導体材料の製造方法、並びに、半導体層と２以上の電極とを有する有機電子デバイスにおいて、該半導体層が上記有機半導体材料を含むことを特徴とする有機電子デバイス。 （もっと読む）

シクロアルキル基のトランス立体配置では赤道配向を成し、シクロアルキル基のシス立体配置では軸配向を成す、少なくとも１つのフッ素化置換基を４位置に有する少なくとも１つのシクロアルキル基を有するＮ，Ｎ’−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドを含む有機半導体の層を含んで成る薄膜トランジスタ。このトランジスタは、誘電体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有する電界効果トランジスタとなることができる。ゲート電極と有機半導体材料の薄膜との両方が絶縁層と接触し、そしてソース電極とドレイン電極との両方が有機半導体材料の薄膜と接触している。
（もっと読む）

【課題】製造コストの低いウェットプロセスに適用可能な有機半導体材料を提供する。
【解決手段】下記一般式で表される、ジベンゾテトラチアフルバレン誘導体を含む有機半導体材料を用いる。
【化１】


（但し、式中Ｒ_１及びＲ_２は、炭素数２〜１２のアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】移動度が高い電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層の厚さが１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ソース電極とドレイン電極との間が０．５μｍ以上５０μｍ以下である電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、かつ動作安定性が改良されたＴＦＴを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物を含む活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間に、アモルファス酸化物を含む膜厚３ｎｍ以上の抵抗層を有し、前記活性層のバンドギャップが前記抵抗層のバンドギャップより小さいことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】分子運動の自由度が保持され、柔軟性を有し、しかも曲げなどの変形に対して優れた安定性を示し、更には、高いキャリア移動度、高いon/off比を示し、基板を曲げた場合でも移動度、on/off比が低下しない、新規な有機半導体薄膜およびこれを用いた有機薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】高分子フィルム上に下記一般式（１）で示される液晶化合物を含む液晶性半導体層を設けた有機半導体薄膜。
【化１】


（式中、R₁は炭素数1〜8の直鎖アルキル基を、R₂は炭素数1〜8のアルキル基又はアルコキシ基を示す。式中、ｎは０〜３の整数を示す。）
上記有機半導体薄膜を用いた有機薄膜トランジスター。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブをチャネルとする電界効果トランジスタの電流密度の向上と、ゲートオフ電流の低減
【解決手段】チャネル下の基板上に、触媒膜又は触媒微粒子を形成し、この触媒膜又は触媒微粒子を用いて、チャネル下の基板面上からカーボンナノチューブを成長させると共に、カーボンナノチューブを連鎖させ、ソースとドレイン間を架橋させ、実質上、多数の架橋経路のそれぞれの経路に、半導体導電性カーボンナノチューブを存在させるようにした。この構造により、架橋経路が、全て金属導電性カーボンナノチューブで構成される確率が低減できる。この結果、ゲートオフ電流を低減することができる。また、基板上からカーボンナノチューブを成長させて、横方向に連鎖させているので、カーボンナノチューブの密度を高くすることができる。この結果、オン電流を増加することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、オン・オフ特性が良好な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体装置の製造方法は、（ａ）ガラス基板１上にゲート電極２およびゲート絶縁膜３を順に形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後、ゲート絶縁膜３上に半導体層４、５を形成する工程と、（ｃ）工程（ｂ）の後、半導体層５上にソース・ドレイン電極６をチャネルを挟んで離間して形成する工程と、（ｄ）工程（ｃ）の後、ソース・ドレイン電極６、およびｎ型半導体層５上に保護膜９を形成する工程と、（ｅ）工程（ｄ）の後、熱処理を行う工程とを備え、ゲート絶縁膜３の脱水素温度は保護膜９の脱水素温度より大きく、工程（ｅ）における熱処理温度はゲート絶縁膜３の脱水素温度と保護膜９の脱水素温度との間であることを特徴とする。 （もっと読む）