【課題】良好な電気絶縁性、及び半導体材料との良好な適合性を有する電子デバイス用の誘電体材料を提供することである。
【解決手段】電子デバイスは、（ａ）半導体層と、（ｂ）低ｋ誘電体ポリマー及び高ｋ誘電体ポリマーを含む誘電体構造物と、を含み、半導体層に最も近い誘電体構造物の領域において、低ｋ誘電体ポリマーは、高ｋ誘電体ポリマーよりも低濃度であることを特徴とする。また、半導体層に最も近い誘電体構造物の領域において、低ｋ誘電体ポリマーは、約４０〜約１０重量％の範囲の濃度であり、高ｋ誘電体ポリマーは、約６０〜約９０％重量の範囲の濃度であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体層が直接接する構造は、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。酸化物半導体層とソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素及び窒素を含むバッファ層を、酸化物半導体層とソース電極層及び、酸化物半導体層とドレイン電極層との間に設ける。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_１〜Ｘ_４の組み合わせおよび／またはＸ_５〜Ｘ_８の組み合わせより選ばれる隣接する２個の置換基が互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に下式で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_１８はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、あるいはアリール基を表し、さらに、Ｘ_１〜Ｘ_４の組み合わせおよび／またはＸ_５〜Ｘ_８の組み合わせより選ばれる隣接する２個の置換基が互いに結合して置換している炭素原子と共にベンゼン環を形成していてもよい。） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】下式で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_２とＸ_３、あるいはＸ_８とＸ_９の少なくとも一方の組み合わせにおいて、互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を形成していてもよく、Ｙは酸素原子、硫黄原子、またはＮ−Ｒ（Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す）を表す］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_２とＸ_３は互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｙは置換または未置換のナフチレン基、あるいは置換または未置換のアントリレン基を表し、Ａｒ_１およびＡｒ_２はそれぞれ独立に、置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電気特性の信頼性を高めることが可能な薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供する。また、画質を向上させることが可能な表示装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に形成される配線と、ゲート電極に重畳し、且つゲート絶縁層及び配線上に形成される酸化物半導体層と、酸化物半導体層に接する有機絶縁層とを有する薄膜トランジスタである （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にベンゾ［ｃ］ナフト［１，２−ｎ］ピセン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】オン電流を確保しつつ、オフ電流を低減した半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１に支持された活性層１４Ａであって、チャネル領域と、チャネル領域の両側に形成された第１領域および第２領域とを有する活性層１４Ａと、活性層の第１領域および第２領域にそれぞれ接する第１コンタクト層１６ａおよび第２コンタクト層１６ｂと、第１コンタクト層を介して第１領域と電気的に接続された第１電極１７ａと、第２コンタクト層１６ｂを介して第２領域と電気的に接続された第２電極１７ｂと、チャネル領域に、ゲート絶縁層１３を介して対向するように配置されたゲート電極１２とを備える。活性層１４Ａは、ラマンスペクトルにおいて、ＳｉＨに帰属されるピーク面積強度／ＳｉＨ₂に帰属されるピーク面積強度が２以上である第１微結晶シリコン層１４ｍを有する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】塗布プロセス（印刷やＩＪ）により製造が可能であって、電磁波照射による異常放電がなく、生産効率及び生産安定性が高く、かつキャリア移動度及びｏｎ／ｏｆｆ比が向上した電子デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、電極を有し、少なくとも１部に熱変換材料または熱変換材料を含むエリアと、前記熱変換材料または熱変換材料を含むエリアに隣接もしくは近接して電磁波吸収能を持つ物質または電磁波吸収能を持つ物質を含むエリアを配置し、電磁波を照射して、該電磁波吸収能を持つ物質が発生する熱により、熱変換材料を機能材料に変換する電子デバイスの製造方法において、前記電極の辺が形成する角が全て９０°より大きく１８０°より小さい、または、曲面であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】移動度、電流オンオフ比が高く、閾値電圧が可能な限りゼロ（０）に近い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層を含む薄膜トランジスタであって、前記半導体層が、式（Ａ）で表される半導体材料を含有する、薄膜トランジスタ。


（Ｘは、Ｓ、Ｓｅ、Ｏ、ＮＲ_６から選択され；Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６は、水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、ヘテロアリール、ハロゲン、−ＣＮ、−ＮＯ_２から選択され；Ａｒ、Ａｒ’は、共役した２価の部分であり；ａ、ｂは、０〜１０の整数であり；ｍは、０または１であり；ｎは、２以上の整数である。） （もっと読む）

【課題】半導体膜上の金属薄膜だけを選択的にエッチングすることができる酸化インジウム及び酸化スズ系の半導体膜を有する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化インジウム、酸化スズ及び正３価のランタノイド系金属酸化物を含有する非晶質酸化物半導体膜をチャンネル層とし、
非晶質酸化物半導体膜における、インジウム元素（Ｉｎ）、スズ元素（Ｓｎ）及び正３価のランタノイド系元素（Ｌｎ）の含有量が下記の条件を満たす薄膜トランジスタ。
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｌｎ）＝０．２〜０．８
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｌｎ）＝０．１〜０．４
Ｌｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｌｎ）＝０．１〜０．４ （もっと読む）

【課題】移動度、電流オンオフ比が高く、閾値電圧は可能な限りゼロ（０）に近い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｓ、Ｓｅ、Ｏ等を含む特定の種類の有機半導体材料を含有する薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのチャネル層を形成するに際して、低温工程が可能であり、ゲート絶縁膜との界面特性が良好であり、且つ経済的な透明電子素子の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にボロンドープされた酸化亜鉛−スズの化合物で半導体薄膜を形成するステップと、半導体薄膜をパターニングし、チャネルを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層として下式（１４）の様な改良したペリレン誘導体を含有してなる有機トランジスタ。
（もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体膜と電極との電気的なコンタクトが良好で、性能のバラツキがない半導体薄膜の製造方法、またこれを用いて、既成容量が少なく、高性能で動作が安定した薄膜トランジスタを製造することにある。
【解決手段】半導体前駆体を含有する液体材料を液滴にして基板上に塗設し、乾燥させて島状のパターンをもつ半導体前駆体薄膜を形成し、該半導体前駆体に変換処理を施して半導体を形成する半導体薄膜の形成方法において、島状のパターンを有する変換処理後の半導体薄膜が、
半導体薄膜の膜厚をチャネル方向に非接触３次元表面形状測定装置にて測定した膜厚プロファイルにおいて、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから端部までの平均膜厚と、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから中央までの平均膜厚とが、異なっていることを特徴とする半導体薄膜の形成方法。 （もっと読む）