【課題】短チャネル性能を改善した非プレーナ半導体トランジスタ構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板３６０上にある絶縁層３０１上にＵ字形フィン３０５が形成され、その一部の上にゲート誘電体層３６２及びゲート電極３６３が形成され、ソース領域４０３及びドレイン領域４０４が、Ｕ字形フィン３０５の両側に形成される。ゲート電極３６３は、ゲート誘電体層３６２とともに、Ｕ字形フィン３０５の一部の上側表面３０６及び反対の位置にある２つの側壁３０７、並びにＵ字形フィン３０５の中にある凹部３１９の一部の底面３２０及び向かい合って位置する２つの側壁３６４を覆い、電流を流すチャネル領域の幅を実効的に増やす。Ｕ字形トランジスタ構造の電流−電圧特性は、ゲート電圧範囲全体にわたって、デバイスの角部分の性能によって支配され、短チャネル効果が最小限に抑えられ、閾値下の電流及び駆動電流が最適化される。 （もっと読む）

【課題】均質薄膜を容易かつ低廉に作成できるビス（ビニルフェナザシリン）化合物誘導重合体、および当該ビス（ビニルフェナザシリン）化合物誘導重合体を用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】例えば下記に示すフェナザシリン化合物を主鎖骨格とする重合体及び有機薄膜トランジスタ


（式中、Ｒ１−Ｒ１０はＭｅ基、n＝５） （もっと読む）

【課題】撥水性の高い基板上に膜厚のバラツキなく成膜される有機半導体膜の製造方法及びそのような有機トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に有機半導体材料を含む溶液を供給し、乾燥させることにより薄膜を形成させる有機半導体膜の形成方法において、基板の水接触角が５０°以上であり、溶液に粒径１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の絶縁性微粒子を０．１ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下含有することを特徴とする有機半導体膜の製造方法及び有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の作製の際のパターニング工程に適した酸化物半導体膜、及び半導体膜を成膜できる酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）及び錫元素（Ｓｎ）を、下記式（１）〜（３）の原子比で含む酸化物焼結体。
０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０ （１）
０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５５ （２）
０．０００１＜Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０ （３） （もっと読む）

【課題】低容量且つ高温特性が良好な素子分離領域を有する高速なＭＩＳ電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体基板１にウエル領域２が設けられ、ウエル領域２内には上部、下部及び側面にシリコン酸化膜３を有し、内部が空孔４に形成されたトレンチ素子分離領域が選択的に設けられ、トレンチ素子分離領域により画定されたウエル領域２が設けられた半導体基板１上にゲート酸化膜９を介してゲート電極１０が設けられ、ゲート電極１０の側壁にサイドウォール１１が設けられ、ウエル領域２が設けられた半導体基板１には、ゲート電極１０に自己整合して低濃度のソースドレイン領域（６、７）及びサイドウォール１１に自己整合して高濃度のソースドレイン領域（５、８）が設けられ、高濃度のソースドレイン領域にはそれぞれバリアメタル１４を有する導電プラグ１５を介してバリアメタル１７を有する配線１８が接続されている構造からなるＭＩＳ電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】性能向上を図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極４およびドレイン電極５は、互いに離間されていると共にそれぞれ有機半導体層３の上に重なっている。有機半導体層３における有機半導体分子の配向状態は、ソース電極４およびドレイン電極５に重なっている部分Ｐ１，Ｐ２と重なっていない部分Ｐ３との間において異なっている。有機半導体層３の厚さ方向における部分Ｐ１，Ｐ２の電気抵抗Ｒ１Ｙ，Ｒ２Ｙは、同方向における部分Ｐ３の電気抵抗Ｒ３Ｙよりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】ナノ物質の半導体の性質を利用した半導体装置においては、金属性ナノ物質により半導体装置の半導体特性が劣化する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、はじめに、複数のナノ物質に含まれる半導体性ナノ物質と金属性ナノ物質のうち、半導体性ナノ物質の導電性を低下させる。次に、金属性ナノ物質に、金属性ナノ物質を切断する作用を促進する切断促進物質を付着させる。次に、切断促進物質が付着した金属性ナノ物質を切断する。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される構造を少なくとも２つ含有してなるオリゴマーまたはポリマーを少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。



（式中、Ｘ_１〜Ｘ_４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ｙ_１および環Ｙ_２はそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】性能向上を図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極４およびドレイン電極５は、互いに離間されていると共にそれぞれ有機半導体層３の上に重なっている。有機半導体層３は、下部有機半導体層３Ａの上に上部有機半導体層３Ｂが形成された積層構造を有している。下部有機半導体層３Ａは、ソース電極４と重なる領域Ｒ１からドレイン電極５と重なる領域Ｒ２まで延在している。上部有機半導体層３Ｂは、領域Ｒ１，Ｒ２に互いに離間されるように配置されており、下部有機半導体層３Ａよりも高い溶解性および導電性を有している。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域に結晶化率の高い領域を配し、ソースとドレインの間に高抵抗な領域を配し、電界効果移動度が高くオン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの下地層に「結晶核の生成を抑制する不純物」を含ませ、または下地層の表面に「結晶核の生成を抑制する不純物」を存在させ、下地層上に設けられた第１の配線層と、第１の配線層に少なくとも一部が接する不純物半導体層と、少なくとも一部が不純物半導体層を介して第１の配線層と電気的に接続される半導体層と、半導体層上に設けられた第１の絶縁層と、少なくとも半導体層と第１の絶縁層を覆って設けられた第２の絶縁層と、第２の絶縁層上であって、不純物半導体層の少なくとも一部、及び不純物半導体層によって形成されるソース領域とドレイン領域の間に重畳して設けられた第２の配線層と、を有する薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層に接し、且つ凹凸状の微結晶半導体領域及び非晶質半導体領域を有する半導体層と、半導体層の一部に接し、不純物半導体層と、不純物半導体層に接する配線と、微結晶半導体領域及び配線の間に形成される第１の酸化物領域と、非晶質半導体領域及び配線の間に形成される第２の酸化物領域とを有し、エネルギー分散型Ｘ線分光法において測定される、配線を構成する元素のプロファイル及び半導体層を構成する元素のプロファイルの交点から、半導体層側において、第１の酸化物領域における酸素プロファイルの最大傾き接線ｍ１及び第２の酸化物領域における酸素プロファイルの最大傾き接線ｍ２は、１＜ｍ１／ｍ２＜１０である薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域に結晶化率の高い領域を配し、電界効果移動度が高く、オン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層中に逆錐形状の結晶粒を含ませ、下地層上に設けられた第１の配線層と、第１の配線層に少なくとも一部が接する不純物半導体層と、少なくとも一部が不純物半導体層を介して第１の配線層と電気的に接続される半導体層と、半導体層上に設けられた第１の絶縁層と、少なくとも半導体層と第１の絶縁層を覆って設けられた第２の絶縁層と、第２の絶縁層上であって、不純物半導体層の少なくとも一部、及び不純物半導体層によって形成されるソース領域とドレイン領域の間に重畳して設けられた第２の配線層と、を有する薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた半導体装置の提供を目的の一つとする。
【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積及び放出を制御するスイッチング素子とを設ける。上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。位相反転素子への電源電圧の印加を停止する場合、データを容量素子に記憶させることで、位相反転素子への電源電圧の供給を停止しても、容量素子においてデータを保持させる。 （もっと読む）

【課題】熱処理の温度を低減しつつ、トランジスタ特性の向上を図る。
【解決手段】Ｉｎ,Ｇａ及びＺｎを含有し、各元素の組成比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃとした場合、ａ＋ｂ＝２かつ１．２＜ｂ＜２かつ１≦ｃ≦２の範囲で規定される非晶質酸化物半導体からなる活性層を形成する工程と、前記活性層を２４０℃以下で熱処理する工程と、を経て電界効果型トランジスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


〔Ｘ_１〜Ｘ_８は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシ基、アリール基を表し、Ｒ_０およびＲ_００は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシ基を表し、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、フェニレン基、チエニレン基、チエノチエニレン基、ナフチレン基、アントリレン基を表し、ａ、ｂ、ｃおよびｄはそれぞれ独立に０、１または２を表す〕 （もっと読む）

【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸素を含む絶縁層を形成し、酸素を含む絶縁層上に水素を含む絶縁層を形成した後、熱処理を行うことにより、水素を含む絶縁層中の水素を少なくとも酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第１の加熱処理を行う。次いで、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第１の加熱処理を行う。次いで、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を有し、安定に動作し、塗布成膜が可能な有機半導体化合物の提供。
【解決手段】下記式（１）で表される構成単位を有する、数平均分子量が１０^３〜１０^６である重合体による。


（式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に水素またはアルキルであり、ｍ１及びｍ２はそれぞれ独立に１〜４の整数であり、Ｔは下記式（２−１）、（２−２）及び（２−３）から選ばれるチオフェン縮合環を含む基である。
（もっと読む）

【課題】配線抵抗に伴う電圧降下や信号遅延によるトランジスタへの信号の書き込み不良を防止した半導体装置を提供することを課題の一つとする。例えば、表示装置の画素に設けたトランジスタへの書き込み不良が引き起こす階調不良などを防止し、表示品質の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】配線抵抗が低い銅を含む配線に、バンドギャップが広く、且つキャリア濃度が低い高純度化された酸化物半導体を接続してトランジスタを作製すればよい。バンドギャップが広い酸化物半導体を用いて、トランジスタのオフ電流を低減するだけでなく、キャリア濃度が低い高純度化された酸化物半導体を用いて正のしきい値電圧を有し、所謂ノーマリーオフ特性のトランジスタとして、オフ電流とオン電流の比を大きくできる。 （もっと読む）