【課題】酸化物薄膜トランジスタが備えられた有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極及び第２薄膜トランジスタのゲート電極と、第１薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極及び第２薄膜トランジスタのゲート電極上に形成された第１絶縁層と、第１薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極と重なる領域に形成された第１絶縁層の一部が除去されて形成された第１ビアホールと、第１絶縁層上にそれぞれ形成された第１、２酸化物半導体層と、第１、２酸化物半導体層上に形成された第２絶縁層と、第２酸化物半導体上に形成された第２絶縁層の一部が除去されて形成された第２ビアホールと、第２絶縁層上に形成されたゲート電極と、第２ビアホールを介して第２酸化物半導体層と接触するように第２絶縁層上に形成されたソース／ドレイン電極と、が含まれる。 （もっと読む）

【課題】ポリマー絶縁層及び無機層から構成されるゲート絶縁層を有し、溶液により塗布可能な半導体前駆体材料を用いこれに半導体変換処理を行って金属酸化物半導体を有することにより、移動度が高く、閾電圧が低く、且つ、Ｏｎ／Ｏｆｆ特性が良好な薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】支持体６上にゲート電極５、ゲート絶縁層２、ソース電極３及びドレイン電極４、金属酸化物半導体層１を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁層が、ポリマー絶縁層２ａ該ポリマー絶縁層上の無機層２ｂからなり、無機層２ｂの上に金属酸化物半導体前駆体材料の溶液を用いて金属酸化物半導体前駆体層を形成する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】光電流による影響が小さく、オンオフ比が高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ボトムゲートボトムコンタクト型（コプラナ型）の薄膜トランジスタにおいて、チャネル形成領域をゲート電極と重畳させ、チャネル形成領域と、配線層と接触する第２の不純物半導体層と、の間に第１の不純物半導体層を設け、好ましくはチャネル形成領域となる半導体層と第１の不純物半導体層はゲート電極と重畳する領域で接し、第１の不純物半導体層と第２の不純物半導体層はゲート電極と重畳しない領域で接する。 （もっと読む）

【課題】低減薄膜トランジスタの性能向上と生産効率の改善にあり、また、それによる特性のばらつき低減にある。
【解決手段】基体上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体薄膜を有する薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜の少なくとも一部が陽極酸化膜であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 移動度にバラツキの少ない電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 塗布プロセスにより形成される半導体層を持つ電界効果トランジスタにおいて、ソース電極及び／又はドレイン電極が、ゲート絶縁膜の凹部に配置されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】大気中動作に優れており、また電気特性が経時的に劣化し難く、高いキャリア移動度とともに大きなｏｎ／ｏｆｆ比を有する有機トランジスター、および有機トランジスターの製造方法、かかる有機トランジスターを備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【解決手段】本適用例の有機トランジスター１Ａは、ソース電極２０ａと、ドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとの間に設けられた有機半導体膜３０と、ゲート電極５０と、有機半導体膜３０とゲート電極５０との間に設けられ、ゲート電極５０と接する第１のゲート絶縁膜４０ａと、有機半導体膜３０と接する第２のゲート絶縁膜４０ｂとを有するゲート絶縁膜４０と、を備え、第２のゲート絶縁膜４０ｂが炭素原子と水素原子よりなる炭化水素化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を有し、酸素および水分に対して耐性があり、しかも薄膜形成が容易で成膜性に優れた化合物を提供すること。特にボトムコンタクト型の有機トランジスタの製造において、溶液塗布法により安定した薄膜形成が可能な化合物を提供すること。また、オンオフ比が大きく、閾値電圧が低く、しかも大気中で安定に動作して経時劣化が小さい有機トランジスタ、特に有機ＦＥＴを提供すること。
【解決手段】下記式（Ｉ）で表される化合物による。
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【課題】低温で短時間の簡便なプロセスにより形成可能であり、トランジスタ特性に優れ、繰り返し安定性及び経時安定性の高い薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極・ドレイン電極、及び酸化物半導体を含む半導体層を有する薄膜トランジスタであって、前記ゲート電極または前記ソース電極・ドレイン電極の少なくともいずれか一方が溶液または分散液からパターン形成された導電性膜からなり、前記ゲート絶縁層が該導電性膜上に塗布形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

本発明は式（Ｉ）の新規な化合物であって、その式中、Ｒ^１及びＲ^１’は互いに独立してＨ又は置換基、ハロゲン又はＳｉＲ^６Ｒ^４Ｒ^５であり；Ｒ^２及びＲ^２’は同一又は異なってよく且つＣ_１−Ｃ_２５アルキル、Ｃ_３−Ｃ_１２シクロアルキル、Ｃ_２−Ｃ_２５アルケニル、Ｃ_２−Ｃ_２５アルキニル、Ｃ_４−Ｃ_２５アリール、Ｃ_５−Ｃ_２５アルキルアリール又はＣ_５−Ｃ_２５アラルキルから選択され、そのそれぞれが非置換であるか又は置換されており、且つ請求項１に規定される条件下で、Ｒ２及び／又はＲ２’もハロゲン又は水素であってよく；Ｘは式（Ｉａ）及び式（Ｉｂ）から選択される二価の連結基であり；Ｙ及びＹ’は独立して式（Ｉｃ）、式（Ｉｄ）、式（Ｉｅ）、式（Ｉｆ）、式（Ｉｇ）から選択され；ｎ及びｐは独立して０〜６の範囲であり；その際、更なる記号は請求項１に規定される通りである前記化合物、並びに対応するオリゴマー及び（コ）ポリマーに関する。本発明による化合物は半導体として有用であり且つ有機溶媒への優れた溶解性及び優れた皮膜形成能を有する。更に、本発明によるポリマーが有機電界効果トランジスタ、有機光電素子（太陽電池）及びフォトダイオードにおいて使用される時、高効率のエネルギー変換、優れた電界効果移動度、良好なオン／オフ電流比及び／又は優れた安定性が確認され得る。
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本発明は、式（１）及び（２）［式中、Ａは式（Ｉ）の繰り返し単位であり、−ＣＯＭ¹−は、式（３）、又は（４）の繰り返し単位である］の（繰り返し）単位を含む、式Ａのポリマーの１以上の（繰り返し）単位を含むポリマー、並びに有機装置、特に有機光電池（太陽電池）及び光ダイオード、又はダイオード及び／又は有機電界効果トランジスタを含む装置における有機半導体としてのそれらの使用に関する。本発明のポリマーは、優れた有機溶媒中の溶解性及び優れたフィルム形成特性を有する。加えて、本発明のポリマーを有機電界効果トランジスタ、有機光電池（太陽電池）及び光ダイオードにおいて使用する場合、高効率のエネルギー変換、優れた電界効果移動度、良好なオン／オフ電流比及び／又は優れた安定性を観察することができる。
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【課題】活性層と半導体層との接触面をホモ接合、あるいはホモ接合に限りなく近づけて、界面のバンド障壁を防止して大きなオン／オフ比を得ることができ、かつ製造コスト及び作業工数を低減できる。
【解決手段】薄膜半導体デバイスが、基板１と、基板１上に積層されたソース及びドレイン電極層３と、ソース及びドレイン電極層３上に積層された結晶性シリコンからなる不純物含有半導体層４と、不純物含有半導体層４上に積層された結晶性シリコンからなる活性層５と、活性層５上に積層されたゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６の上に積層されたゲート電極７と、を備え、不純物含有半導体層４と活性層５の接合面において、これらの結晶性を連続にする。 （もっと読む）

有機半導体材料は、下記一般式（Ｆ）で表される。
式中のＡは１個またはそれ以上の芳香族環からなる環状共役系骨格構造を、Ｒ₁、Ｒ₂は各々独立に、置換基を有してもよいアルキル基を表す。
この有機半導体材料は、高い電子移動度および高いオン／オフ比を有すると共に、その溶液を用いた溶液塗布法により有機半導体薄膜を形成することができる。

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【課題】本発明の目的は、半導体特性（移動度、ｏｎ／ｏｆｆ比、閾値（Ｖｔｈ））の向上、生産効率の向上にあり、またこれを用いた薄膜トランジスタのばらつき低減にある。
【解決手段】基板上に形成した半導体前駆体層に加熱処理を行って金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、前記加熱処理と同時に半導体前駆体層に電磁波を照射することを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】熱安定性、電荷移動性、電流On/Off比の良好な縮合多環材料と、これを用いた有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタ及びディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）［式（１）中、R₁及びR₂は水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル基又はアルコシキ基若しくはチオアルコキシ基から選択される基を示す。Ａｒはナフタレン環を示す。］で表される新規なジチエノナフトジチオフェン誘導体を用いて、有機電子デバイス(例えば、前記誘導体を主成分とする有機半導体層(1)を備えた有機薄膜トランジスタ)を構成する。
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【課題】 金属酸化物半導体（MOS）トランジスタとその形成方法を提供する。
【解決手段】 多重ゲートトランジスタは、基板、第１半導体材料で形成された中央フィン、及び中央フィンの対向側壁上の第１部分と第２部分を含み、第１半導体材料とは異なる第２半導体材料を包含する半導体層を含む基板上の半導体フィン、この半導体フィンの側壁の周囲を包むゲート電極、及び半導体フィンの対向端のソース領域とドレイン領域を含み、中央フィンと半導体層の各々は、ソース領域からドレイン領域に延伸する。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、オンオフ比の高いトランジスタを提供すること。
【解決手段】絶縁基板１０１上に少なくともゲート電極１０２と、ゲート絶縁層１０３が順次積層され、このゲート絶縁層上に酸化物を含む半導体層１０４とソース電極１０５およびドレイン電極１０６が設けられたボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、半導体層のゲート側の面の酸素密度が、反対の面の酸素密度よりも低いことを特徴とする薄膜トランジスタとする。このため半導体層１０４に酸素含有プラズマを照射する。 （もっと読む）

【課題】低温化されたプロセス温度で製造でき、かつ、キャリア移動度や電流オン・オフ比の高い薄膜トランジスタを実現することができる金属酸化物半導体とその製造方法を提供し、当該金属酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体前駆体水溶液を基材上に塗布、乾燥し、金属酸化物半導体前駆体膜を形成し、該金属酸化物半導体前駆体膜を転化することにより金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法であって、前記金属酸化物半導体前駆体膜の形成から、転化行程までのあいだに加熱処理を施すことを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法、金属酸化物半導体及び薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体の、半導体特性（移動度、ｏｎ／ｏｆｆ、Ｖｇ（ＯＮ））を向上させ、ばらつきを低減させて、生産効率が向上した製造方法を提供することであり、また、この酸化物半導体を用いた半導体素子、薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】金属塩を含有する半導体前駆体層に加熱処理を行って金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、加熱時の昇温速度が１〜１００℃／分であることを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低温で簡便なプロセスにより形成可能で、移動度、ｏｎ／ｏｆｆ比に優れ、立ち上がり電圧のマイナス側へのシフト、Ｓ値劣化、素子間の性能バラツキを改良した、安定性の高い薄膜トランジスタ、および該薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０６上にゲート電極１０４、ゲート絶縁層１０５、ソース電極１０２、ドレイン電極１０３、及び半導体層１０１を有する薄膜トランジスタにおいて、半導体層１０１が塗布によって形成された酸化物半導体からなり、フッ素化合物含有層１０７がゲート電極１０４と半導体層１０１との間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】高移動度でしきい電位安定性を有し、且つコスト面や資源的制約、プロセス的制約の少ないＺＴＯ（亜鉛錫複合酸化物）系酸化物半導体材料の適正なＺｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）組成の酸化物半導体ターゲット及びそれを用いた酸化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）組成が０．６〜０．８である亜鉛錫複合酸化物焼結体をターゲットとする。また、ターゲット自体の抵抗率を１Ωｃｍ以上の高抵抗とする。更に、不純物の合計濃度を１００ｐｐｍ以下に制御する。 （もっと読む）