【課題】発光トランジスタ素子として使用する場合、発光と移動度の両方の特性が良好である発光トランジスタ材料を提供する。
【解決手段】例えば下記ジブロモピレンより得られるジフェニルピレン系有機化合物発光をトランジスタ素子の発光層に使用した発光トランジスタ素子。
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【課題】無機半導体デバイスに比べて簡便なプロセスで素子を作製することが可能であり、かつ長時間安定したトランジスタ特性を示す有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層が、下式で表される化合物を含有する有機トランジスタ。


（Ｒ¹〜Ｒ¹²は、水素原子又は有機残基。Ｒ¹〜Ｒ⁸の隣り合う同士は環を形成しても可） （もっと読む）

【課題】無機半導体デバイスに比べて簡便なプロセスで素子を作製することが可能であり、かつ長時間安定したトランジスタ特性を示す有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層が、下式で表される化合物を含有する有機トランジスタ。


（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は、互いに独立に、水素原子もしくは１価の有機残基を表す。） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にトリベンゾ［ｈｉ，ｏ，ｕｖ］トリフェニレノ[２，１，１２，１１−ｂｃｄｅｆ]オバレン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にトリベンゾ［ｂ，ｎ，ｐｑｒ］ペリレン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】動作速度が速く、且つ製造が容易な有機半導体トランジスタ素子、その製造方法を提供する。
【解決手段】ソース電極と、ドレイン電極と、該ソース電極および該ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも含み、該有機半導体が、下記一般式（Ｉ−１）で示される構造から選択される少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種含有することを特徴とする有機半導体トランジスタ素子。
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【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１ 〜Ｘ_１８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にテトラベンゾ［ａ，ｃｄ，j，ｌｍ］ペリレン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】配向した酸化亜鉛半導体層を有し、良好な電荷移動度とオン／オフ比を示す薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０は、基板１６、誘電体層１４、及び半導体層１２を含む。半導体層１２は、格子定数ｃのｃ軸が誘電体層１４又は基板１４に垂直になるように配向した酸化亜鉛ナノディスクを含む。誘電体層又は基板は、少なくとも１種類の極性官能基を含むか又は含むように変性された表面を有する。 （もっと読む）

【課題】無機半導体デバイスに比べて簡便なプロセスで素子を作製することが可能であり、かつ長時間安定したトランジスタ特性を示す有機トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層が、下記一般式で表される化合物を含有する有機トランジスタ。


（ＡおよびＣは、酸素原子、硫黄原子またはＮ−Ｒ⁹を表し、ＢおよびＤは、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ¹〜Ｒ⁹は、水素原子もしくは１価の有機残基を表す。さらに、Ｒ¹〜Ｒ⁸のうち隣り合う置換基同士は互いに連結して環を形成していてもよい。） （もっと読む）

【課題】オン／オフ比が高く、キャリア移動度が改善された薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに表示装置を提供する。
【解決手段】基板２上に、ゲート電極３と、ゲート絶縁膜４と、チャネル層５と、ソース・ドレイン層７，８とをこの順またはこれと逆の順に積層してなる薄膜トランジスタにおいて、ソース・ドレイン層７，８は、ｎ型微結晶シリコン層７ａ，８ａとｎ型非晶質シリコン層７ｂ，８ｂとで構成されており、チャネル層５側が微結晶シリコン層７ａ，８ａとなるように配置されていることを特徴とする薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに表示装置である。 （もっと読む）

【課題】光応答特性が良好で、例えば薄膜トランジスタのチャネル層として好適に用いられる導電路形成層を提供する。
【解決手段】光照射によって可逆的に導電性が変化する有機分子ｍと、この有機分子ｎを結合させ微粒子ｓとで構成された導電路形成層１であり、有機分子ｍの官能基が、微粒子ｓと化学結合している。これにより、有機分子ｍが両端に有する官能基によって、有機分子ｍと微粒子ｓとが交互に結合してネットワークを形成している。 （もっと読む）

【課題】 新規なペルフルオロアルキレンオキシ基が置換されたフェニルエチルシラン化合物を提供する。
【解決手段】化学式１で表示される本発明のペルフルオロアルキレンオキシ基が置換されたフェニルエチルシラン化合物において、上記ペルフルオロアルキレンオキシ基は、熱架橋によって膜（film）を形成する時に必ず必要な作用基であるから、構造式内にペルフルオロアルキレンオキシ基が１つ以上置換されている。すなわち、上記Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうち少なくとも１つ以上がフッ素原子である。
（化学式１）
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【課題】無機半導体デバイスに比べて簡便なプロセスで素子を作製することが可能であり、かつ長時間安定したトランジスタ特性を示す有機トランジスタを提供する。
【解決手段】下記一般式で表される化合物を含有する有機トランジスタ。
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【課題】有機薄膜トランジスタの特性を改善する。
【解決手段】本発明は、ゲート電極を形成する段階、ゲート電極と離隔しているソース電極及び、ソース電極と対向するドレイン電極を形成する段階、ソース電極及びドレイン電極と接触する島状有機半導体層を形成する段階、島状有機半導体層の上に溶媒を噴射する段階、及び溶媒を乾燥する段階を含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】溶接法に適した溶解性のある低分子化合物を含む有機半導体材料、これを用いた有機半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体材料は、一般式（１）で表される化合物を含む。


一般式（１）（式中、Ｒ_１および／またはＲ_２は溶解性効果を有する官能基を表す。） 上記有機半導体材料は、溶媒への良好な溶解性を有し、溶接法に適した高性能の有機半導体材料である。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタ中の有機薄膜の移動度を向上させる特定の成長方向の結晶からなるチャンネル領域を構成する有機薄膜を備えた有機ＴＦＴ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に形成されたソース電極ならびにドレイン電極と、前記ソース電極とドレイン電極が互いに対向する側の基板上に形成されたチャネル領域を構成する第一の有機薄膜と、前記第一の有機薄膜にゲート絶縁膜を介して接し、かつ前記ソース電極とドレイン電極間に位置するゲート電極とを有し、前記第一の有機薄膜が、前記ソース電極からドレイン電極に向かう方向に沿った断面において、前記ソース電極とドレイン電極との中心に向かって互いに対向する成長方向の結晶からなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】従来は、シリコンのバンド構造を十分に変調できず、十分に大きな移動度を持つチャネルが形成できない。四面体構造を有する半導体を母体材料として、構成物質の置換、格子間位置への物質導入を行い、より高移動度の半導体チャネル材料及びそれを用いた電子素子を提供することにある。
【解決手段】構成原子が四面体結合構造を成して結合する母体半導体に、格子点サイトの構成原子と置換される不純物原子Ｓと、格子間サイトに挿入される不純物原子Ｉとを含み形成される。不純物原子Ｓと不純物原子Ｉとの間の電荷移動により、不純物原子Ｓが母体半導体の構成原子と一致した電荷を持ち、不純物原子Ｉが閉殻構造の電子配置をとった状態で結合している半導体物質をチャネル材料に用いることで、高移動度且つ、高電流駆動力を有する電子素子である。 （もっと読む）

【課題】 塗布型でかつプラスチック基板の耐熱性を考慮した場合の温度である１８０℃以下のプロセスで作製可能であり、特性に優れるゲート絶縁膜の提供すること、及び安価で高性能な有機トランジスタを提供すること。
【解決手段】 ポリイミド膜からなるゲート絶縁膜であって、このポリイミド膜は有機溶媒可溶性ポリイミドの溶液を、塗布し、１８０℃以下で焼成して得られた膜であり、かつ、この有機溶媒可溶性ポリイミドは、下記式（１）で表されＡとＢが特定された繰り返し単位を有するポリアミド酸を脱水閉環して得られたポリイミドであることを特徴とするゲート絶縁膜。
【化１】
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【課題】導電パターンの角部の盛り上がりが少なく、絶縁層を介して積層配線構造とした場合でも絶縁特性の良好な配線パターンと、これを用いた電子素子等を提供する。
【解決手段】濡れ性変化層2に、エネルギーを付与して高表面エネルギー部3とし、その上に導電性液体により導電パターン5を形成して配線パターン1とする。その際、導電パターンの平面視形状は角部に面取りが施された矩形の配線形状とし、その断面視形状は該角部の盛り上がりが少なく、パターン中央部となだらかに連なり全体が略平坦な形状とする。配線パターン1を用いて積層配線パターン、積層配線基板を構成する。又は濡れ性変化層2の低表面エネルギー部に接して半導体層を設け、電子素子、有機半導体素子を構成する。 （もっと読む）