【課題】簡便な方法によりスイッチング特性が良好で安定した有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、少なくともソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結する有機半導体、ゲート電極及び前記有機半導体と該ゲート電極との間にある複数の膜でなる絶縁膜、を有し、前記有機半導体と接する前記絶縁膜は、導入するガスに水素ガスを含む大気圧プラズマ法で設けた無機酸化膜である。 （もっと読む）

【課題】キャリアー移動度が高く、空気中の酸素に対して安定で経時劣化が抑制された、溶解性の高い、有機半導体材料を提供し、それを用い、簡単なプロセスで調製可能で、生産効率の高い、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物を含有する有機半導体材料。


〔Ｘ₁は、ＧｅまたはＳｉを表す。Ｒ₁〜Ｒ₅は、水素原子あるいは置換基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴ特性に優れたケイ素架橋チオフェンオリゴマー及び電子デバイスの提供。
【解決手段】一般式（Ｉ）、（ＩＩ）等で表わされるケイ素架橋チオフェンオリゴマー。


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【課題】本発明は、量産に適し、低コストで製造可能な薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびにこれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１上に有機半導体層１４、ゲート絶縁膜１５、ゲート電極１６をこの順に積層してなる薄膜トランジスタ１０の製造方法において、印刷法により、ゲート絶縁膜１５上にゲート電極材料をパターン塗布する工程と、熱処理を行うことで、パターン塗布されたゲート電極材料を乾燥固化してなるゲート電極１６を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびにこの薄膜トランジスタを用いた表示装置である。 （もっと読む）

本発明は、インデノフルオレン単位若しくはその誘導体を含むポリマー、それらを含む有機半導体（ＯＳＣ）材料、電子若しくは電気光学素子でのそれらの使用及び前記ポリマー若しくは材料を含む素子に関する。 （もっと読む）

【課題】移動度およびオンオフ比が高く、閾値、駆動電圧、オフ電流を低くすることのできる有機トランジスタの形成に好適な絶縁塗料、これから形成された有機絶縁膜、その形成方法および有機トランジスタを提供する。
【解決手段】（１）シランカップリング剤と、（２）１種類以上のエポキシ系高分子前駆体と、（３）前記（１）および前記（２）成分を溶解させる溶媒とを含む絶縁塗料。
絶縁塗料を基材上に薄膜形成した後に硬化させる工程を含む有機絶縁膜の形成方法。
該方法により形成されたことを特徴とする有機絶縁膜。
ゲート電極１１１、ゲート絶縁層１１２、ソース電極１１３、ドレイン電極１１４および半導体層１１５を含み、ゲート絶縁層１１２が該有機絶縁膜からなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

本教示内容は、ｐ型半導体として使用することができるシロールベースのポリマーを提供する。より具体的には、本教示内容は、以下の式Ｉの反復単位を含むポリマーであって：式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｚ、ｘおよびｘ’が本明細書に定義する通りである、ポリマーを提供する。また、本教示内容は、これらのポリマーを調製する方法も提供し、これらのポリマーを組み込む種々の組成物、複合材料およびデバイスにも関連する。

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【課題】薄膜トランジスタ特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明による表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されておりチャンネル領域を介して離隔配置されているソース電極およびドレイン電極と；前記ソース電極および前記ドレイン電極を少なくとも一部分露出させながら、前記チャンネル領域を囲んでいる開口領域を定義する隔壁と、前記チャンネル領域を覆っており、結晶粒の大きさが互いに異なる第１サブ層と第２サブ層を有する有機半導体層と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ用途に有用な有機半導体材料を分子設計し、得られた有機半導体材料を用いて、高いキャリア移動度を示し、ＯＮ／ＯＦＦ比が高く、且つ、高耐久性（酸化安定性及び経時安定性向上）を併せ持つ、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】２環以上の芳香環が共役をもって直接または間接的に連結した部分構造または２環以上の芳香環が縮合した部分構造を有する化合物を含有する有機半導体材料において、該化合物が、下記一般式（ａ）で表される置換基を少なくとも１つ有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】
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【課題】薄膜トランジスタ用途に有用な有機半導体材料を分子設計し、得られた有機半導体材料を用いて、高いキャリア移動度を示し、ＯＮ／ＯＦＦ比が高く、且つ、高耐久性（酸化安定性及び経時安定性向上）を併せ持つ、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】３環以上の環が縮合した芳香族縮合多環を部分構造として有する化合物を含有する有機半導体材料において、
該芳香族縮合多環が下記一般式（１）で表される置換基を３つ以上有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】
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【課題】簡便なウェットプロセスで製造でき、トランジスタ特性に優れ、大気中あるいは高湿度下においても経時安定性に優れた有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極、ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層を形成する有機半導体材料が、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のうちのいずれか一方又は両方が少なくとも２環以上縮合した縮合環を構造の一部に有する化合物とハロゲン元素を０．０５〜１０００ｐｐｍ含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明はオフ電流が低く、オンオフ比の大きい有機半導体トランジスタを比較的に低いコストで提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板上に配置された複数の電極(105)と、上記電極の相互間に配置された有機半導体層(108)と、上記有機半導体層の両側にそれぞれ配置された第１及び第２のゲート電極(102,110)と、上記有機半導体層と上記第１及び第２のゲート電極との相互間に配置されるゲート絶縁層(103,109)とを含み、上記第１及び第２のゲート電極は互いに接続され、両ゲート電極のうち少なくとも一方の電極が印刷法によって形成されている。 （もっと読む）

式（Ｉ）〔式中、Ｘは、Ｏ、Ｓ又はＮＲを意味し、Ｒ、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８は、それぞれ独立して、水素及び有機残基から選択されるか、又はその２つ以上が一緒になって、置換若しくは非置換、炭素環式若しくは複素環式、芳香族、キノイド若しくは脂肪族であってもよい１つ以上の縮合環を形成する〕の非ポリマーキノイドヘテロアセン化合物を含む半導体層を、たとえば、ダイオード、有機電界効果トランジスター、有機薄膜トランジスター、又はダイオード及び／若しくは有機電界効果トランジスター及び／若しくは機薄膜トランジスターを含むデバイスの製造のために使用することができる。
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【課題】ターンオン電流を増加させ、ターンオフ電流を最小化して、電気的な特性が向上した複数のスイッチング素子を含む信号駆動素子を含む表示装置を提供する。
【解決手段】第１ゲート電極、ソース及びドレイン電極、ソース電極とドレイン電極との間に形成されるチャンネル領域、及びチャンネル領域を挟んで第１ゲート電極と電気的に絶縁されるように形成され、第１ゲート電極の制御周期によって大きさの異なる２つの制御電圧が印加される第２ゲート電極を含むスイッチング素子を含む表示装置が提供する。 （もっと読む）

【課題】簡便なプロセスで製造でき、キャリア移動度が高く、オンオフ比の大きい良好な特性を示し、経時変化しにくい安定な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層が一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する重合体を主成分とする有機薄膜トランジスタ。


（Ａｒ_１およびＡｒ_２は芳香族炭化水素もしくは芳香族複素環の二価基を、Ａｒ_３は芳香族炭化水素もしくは芳香族複素環の二価基を、Ｒ_１は直鎖あるいは分岐鎖状のアルキル基を、Ｒ_２はアルキル基もしくは芳香族炭化水素基を、Ｒ_３は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基もしくはアルキルチオ基を表わす） （もっと読む）

【課題】簡便なプロセスで製造でき、キャリア移動度が高く、オンオフ比の大きい良好なトランジスタ特性を示し、かつ経時変化しにくい安定な有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層を具備する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層が下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する重合体を主成分とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。


（式中ＹおよびＡｒは置換または無置換の芳香族炭化水素あるいは芳香族複素環の２価基を、Ｙ_１は置換または無置換の芳香族炭化水素もしくは置換または無置換の芳香族複素環の二価基を、Ｒは水素原子、置換または無置換のアルキル基あるいは芳香族炭化水素基を表わす） （もっと読む）

【課題】オン時の電流が高い一方、オフ時の電流の発生が抑止され、しかも高い絶縁膜容量が得られるゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜を備え、オン／オフ比が大きく、低ゲート電圧で動作可能な有機薄膜トランジスタ、該有機薄膜トランジスタの製造方法、及び、該有機薄膜トランジスタを備えてなる表示装置を提供する。
【解決手段】有機高分子重合体を含んでなり、表面の算術平均粗さＲaが１０ｎｍ以下であり、表面の非共有電子対を有する元素の濃度が１原子％未満であるゲート絶縁膜、基板上に、(ａ)有機半導体膜、(ｂ)ゲート電極、(ｃ)ソース電極、(ｄ)ドレイン電極及び(ｅ)該ゲート絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタ、有機重合体を溶媒に溶かして溶液を調製する工程、及び、該溶液を基板上に流延させた後、溶媒を除去してゲート絶縁膜を形成する工程を有する有機薄膜トランジスタの製造方法、並びに、該有機薄膜トランジスタを備えてなる表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて酸化物半導体と絶縁層との良好な界面を有し、安定した高い薄膜トランジスタ特性を実現する。
【解決手段】基板１上に少なくとも、ソース電極３と、ドレイン電極４と、チャネル領域を含む半導体層２と、ゲート絶縁膜５と、ゲート電極６とを有する薄膜トランジスタであって、半導体層が、酸化物半導体層であり、ゲート絶縁膜が、少なくともＯとＮとを含むアモルファスシリコンであり、且つ酸化物半導体層の界面側で酸素濃度が高く、ゲート電極側に向かって酸素濃度が減少するように、ゲート絶縁膜が膜厚方向で酸素濃度の分布を持つ。 （もっと読む）

【課題】簡便なプロセスで製造でき、キャリア移動度が高く、オンオフ比の大きい良好なトランジスタ特性を示し、かつ経時変化しにくい安定な有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層を具備する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層が下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する重合体を主成分とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。


（式中、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_４およびＡｒ_５は芳香族炭化水素もしくは芳香族複素環の二価基を、Ａｒ_６は芳香族炭化水素もしくは芳香族複素環の二価基を、Ａｒ_３は芳香族炭化水素もしくは芳香族複素環の一価基を、Ｒ_１およびＲ_２はアルキル基もしくは芳香族炭化水素基を表わす） （もっと読む）

【課題】 溶液プロセスにより作成でき、かつ、移動度やオン／オフ比の値が十分であり、しかも大気中で動作する有機電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】 次式（但し、式中、Ｒ_１〜Ｒ_３のうちの少なくとも1つは、炭素数１から２０のパーフルオロアルキル基又は一部がフッ素化したセミフルオロアルキル基である。）で表されるフッ素化アルキル基を有するフラーレン誘導体をn型有機半導体として用いた有機電界効果型トランジスタ、及び該フラーレン誘導体を用いて溶液プロセスにより有機半導体層を形成し、さらにこれを、窒素、アルゴンまたは真空中で加熱処理する。
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