【課題】大きなオン電流と小さなオフ電流を有する、良好な特性の薄膜トランジスタ装置をフォトリソの回数を減らし、安価に提供する。
さらに、この薄膜トランジスタ装置を使用した薄膜トランジスタアレイ及び画像の安定し軽量で薄い薄膜トランジスタディスプレイを提供する
【解決手段】絶縁基板に対して垂直方向から見て、ソース電極をほぼ孤立島パターンにし、ドレイン電極がそれを囲み、ゲート電極がそれらの間隙を包含する構造とすることにより、ゲート電位によりソース電極およびドレイン電極間のオフ電流を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 活性層としてアモルファス酸化物半導体を用いても、高いオンオフ比を安定して実現することができる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタは、ホモロガス化合物ＩｎＭＯ₃（ＺｎＯ）_m（Ｍ＝Ｉｎ、Ｆｅ、ＧａまたはＡｌ。ｍ＝１以上５０未満の整数）を含有する活性層１３と、この活性層１３に接し、仕事関数の絶対値が４．５〜４．９ｅＶの範囲であるソース電極１４およびドレイン電極１５とを備えたことを特徴とする。ソース電極１４およびドレイン電極１５は、クロム、鉄、モリブデン、タングステン、銅、ルテニウムおよびレニウムからなる群から選ばれる少なくとも１つを含有することが好ましい。 （もっと読む）

薄膜トランジスタは、各イミド窒素原子に結合された、置換型又は非置換型脂環式環系（任意選択的に、電子供与基で置換されている）を有するテトラカルボン酸ジイミドナフタレン系化合物を含む有機半導体材料から成る層を含む。そのようなトランジスタは、離隔された第一及び第二のコンタクト手段又は前記材料に接触する電極をさらに含む。また、好ましくは、基板温度が、１００℃以下である、基板上への昇華堆積による、有機薄膜トランジスタの製作方法を開示する。
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【課題】キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物を提供する。
【解決手段】導電性材料用組成物は、下記一般式(1)で表される化合物と、その架橋剤としてのビニル化合物とを含有する。


［式中、2つのＲ^１は、直鎖アルキル基、4つのＲ^２は、水素原子、メチル基またはエチル基、2つのＸは、特定の置換基を表し、Ｙは、複素環を含む基を表す。］ （もっと読む）

【課題】特定の有機化合物を半導体材料として用いることにより、実用的なキャリア移動度を有し、かつ安定性に優れる有機系電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】下記式（１）で表されるキナクリドン系化合物を半導体材料として用いた有機系電界効果トランジスタ。


（式中、環Ａは炭化水素環を、環Ｂ及び環Ｃは芳香族炭化水素環基を、Ｘ₁及びＸ₂は酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を、Ｒ₁及びＲ₂は水素原子、脂肪族炭化水素基又は芳香族基を表す。） （もっと読む）

薄膜トランジスタは、各イミド窒素原子に結合された、その芳香族部分の少なくとも一方が少なくとも１つの電子供与基で置換されている芳香族部分を有するテトラカルボン酸ジイミドナフタレン系化合物を含む有機半導体材料から成る層を含む。そのようなトランジスタは、離隔された第一及び第二のコンタクト手段又は前記材料に接触する電極をさらに含む。また、有機薄膜トランジスタデバイスの製作方法、好ましくは、基板上への昇華堆積により、基板温度は、１００℃以下である。
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【課題】プラスチック基材からの脱酸素、脱水蒸気をガスバリア層で遮断することにより、特性の安定した、移動度やＯＮ／ＯＦＦ比が高いレベルで維持されたトランジスタを提供すること。
【解決手段】プラスチック基材上に設けられた酸化物半導体層と、該酸化物半導体層に電気的に接触して配列されたソース電極と、前記酸化物半導体層に電気的に接触すると共に前記ソース電極に離隔して配列されたドレイン電極と、前記プラスチック基材を真上から見たときに前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に位置する前記酸化物半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを備えたトランジスタの、プラスチック基材と酸化物半導体層の間にガスバリア層を設けて、プラスチック基材からの脱酸素、脱水蒸気が酸化物半導体層に行かないようにした。 （もっと読む）

【課題】溶剤や樹脂に対する溶解性・相溶性に優れ高いキャリア移動度を有する電荷輸送性ポリエステルを用い動作速度が速く製造が容易な有機半導体トランジスタ素子を提供すること。
【解決手段】ソース電極と、ドレイン電極と、両電極と導通可能に設けた電荷輸送性ポリエステルを含む有機半導体と、ゲート電極とを含む有機半導体トランジスタ素子。 （もっと読む）

【課題】キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】下記一般式で表される化合物を含有する。


［Ｘ^１〜Ｘ^４は特定の置換基を表し、８つのＲは水素、メチル基またはエチル基を表し、Ｙは複素環を含む基を表す。］ （もっと読む）

【課題】キャリア輸送能の優れた導電層、信頼性の高い電子機器を提供する。
【解決手段】導電性材料用組成物は、式（１）の化合物を含有する。


［Ｒ^１は、炭素数２〜８の直鎖アルキル基を表し、Ｒ^２は、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Ｘは、式（２）の置換基を表し、Ｙは、複素環を含む基を表す。］


［ｎは、２〜８の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】特性に優れた半導体を備える半導体装置、かかる半導体装置を製造し得る半導体装置の製造方法および信頼性の高い電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１の基板２２０と、第１の基板２２０上に設けられ、シリコンを含む半導体膜３１４と、第１の基板２２０の面方向において半導体膜３１４に隣接して設けられた、層間絶縁膜（第１の絶縁膜）３１９とを有し、層間絶縁膜３１９は、ＳｉＯ_Ｘ（ただし、Ｘは、１．０〜１．５である。）を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で製造が可能であり、しかも、高い移動度、一層高いオン／オフ比を実現し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、（Ａ）導体から成る第１の微粒子１０、（Ｂ）第２の微粒子２０、並びに、（Ｃ）第１の微粒子及び第２の微粒子と結合したリンカー分子３０から形成された導電路１を有し、導電路１の導電性は、導電路１に加えられる電界によって制御される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、層間絶縁膜として有機材料と微粒子との混合物を採用することにより、有機半導体中に不要なチャネルが形成されにくく、形成工程によりトランジスタを劣化させない、トランジスタ素子を提供する。さらに、本発明の別の目的は、当該トランジスタ素子を用いて、画像表示素子と組み合わせた表示装置およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のトランジスタ素子は、基板上に有機半導体を用いたトランジスタと、有機半導体層に接する層間絶縁膜と、層間絶縁膜に設けられたスルーホールを介してトランジスタと電気的に導通する上部電極とが積層された素子において、前記層間絶縁膜が有機材料と微粒子との混合物から構成されるため、有機半導体に不要なチャネルが誘起されにくくオン／オフ比の良好なトランジスタ素子とすることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性や配向性の高い有機半導体層を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】基体上に、一種以上の高分子化合物を含有する層と、該一種以上の高分子化合物を含有する層と接する有機半導体層とを、少なくとも有し、前記高分子化合物のうち少なくとも一種が、１個以上の２級または３級の脂肪族アミノ基を有する高分子化合物であり、前記脂肪族アミノ基を有する高分子化合物のアミノ基が側鎖および／または分岐鎖上に存在し、前記高分子化合物を含有する層がポリシロキサン化合物を含有する半導体素子。 （もっと読む）

【課題】 ＴＦＴ素子のトランジスタ特性を向上することができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 ＴＦＴ３０の半導体層１ａが形成される下地絶縁膜１２を、下層下地絶縁膜１２ａと、下層下地絶縁膜１２ａの上層に成膜されるＨＴＯ膜１２ｂとの２層構造で構成する。半導体層１ａとの境界に位置するＨＴＯ膜１２ｂを、屈折率ＲＩ＝１．４６〜１．４９となる組成で成膜することにより、半導体層１ａの結晶性を向上させ、ＴＦＴ３０のトランジスタ特性を向上する。
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【課題】 この発明は、トランジスタのＯＦＦ電流が少なく、トランジスタのＯＮ電流のばらつきが少ない安価な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 この発明の薄膜トランジスタは、ゲート電極２、ソース電極５、ドレイン電極６、およびチャネル部とから構成され、チャネル部が電流を流すための半導体層４が孤立した領域に存在するとともに、半導体層４は、トランジスタのチャネル方向と直交する方向においては液滴を時間的には離散して、トランジスタのチャネル方向と平行な方向においては液滴を時間的には連続に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 工程適性を有する溶媒に高濃度に溶解し、かつ十分なキャリア移動度、ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、さらには酸化に対する高い安定性を有する有機半導体材料、該有機半導体材料を用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される部分構造を有するπ共役系化合物であって、分子内にＨｅａｄ−ｔｏ−Ｈｅａｄ構造を持たず、数平均分子量が１万以下であることを特徴とする有機半導体材料。
【化１】


（Ａｒ₁は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表す。Ｘ₁及びＸ₄はＮＲ₃、Ｓ、Ｏのいずれかを表し、Ｘ₂及びＸ₃はＣＲ₂またはＮを表し、同じでも異なっていてもよい。Ｒ₁〜Ｒ₃は水素原子または置換基を表し、Ｒ₁〜Ｒ₃が同時に水素原子であることはない。） （もっと読む）

【課題】 溶剤溶解性が向上した有機半導体材料を提供し、該有機半導体材料を塗布することによって有機半導体膜が形成可能であり、得られた有機半導体膜を用いて、キャリア移動度が高い、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び、該デバイスまたは該トランジスタを具備する有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】
（もっと読む）

【課題】キャリア移動度が高い有機半導体材料並びにそれを用いた有機半導体素子及び電界効果トランジスタを得る。
【解決手段】芳香族環を有する基Ｘ１、Ｘ２、及びＸ３が、少なくとも３箇所の結合部を有する分岐部Ｙに結合してなる有機半導体材料であり、分岐部Ｙが、好ましくは、以下に示す構造を有することを特徴としている。


（式中、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は、水素、置換されてもよいアルキル基、置換されてもよいアルコキシ基、または置換されてもよいアリール基であり、互いに同一または異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】 簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物であることを特徴とする有機半導体材料。
【化１】


（式中、Ｒ₁及びＲ₂は互いに独立して水素原子または置換基を表す。ｘは０または１以上の整数を表す。Ａｒは、置換または無置換の１つまたは２つ以上のアリーレン基またはヘテロアリーレン基を有する。） （もっと読む）