【課題】 ウェットプロセスによる簡便な方法で素子を作製でき、キャリア移動度が高い有機半導体材料を提供する。
【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する重合体と、下記一般式（ＩＩ）で示される化合物を主成分とすることを特徴とする有機半導体材料。


〔（Ｉ）式中、Ａｒ^１は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表わし、Ａｒ^２、Ａｒ^３はそれぞれ独立に置換もしくは無置換の、単環式、非縮合多環式または縮合多環式芳香族炭化水素基の２価基を表わす。Ａｒ^４はベンゼン、チオフェン、ビフェニル、アントラセンの２価基を表わし、これらは置換基を有していてもよい。〕


〔（ＩＩ）式中ｍ、ｎは０または１の整数、Ａｒ^１１、Ａｒ^１３は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表わし、Ａｒ^１２は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基の２価基を表わし、Ｒ^１、Ｒ^２はアルキレン基を表わす。〕 （もっと読む）

【課題】 この発明は、ゲート絶縁膜としてポリパラキシリレン誘導体膜を用い、その膜厚を最適化して、トランジスタ形状に依存せずに、高いＩ_DSを得て、オンオフ比の向上を図る有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 この発明の有機薄膜トランジスタは、基板１、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、ソース電極６、ドレイン電極５及び有機半導体層４を備え、ゲート絶縁膜３が膜厚４１０ｎｍ以下５０ｎｍ以上のポリパラキシリレン誘導体膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 成膜性を有し、フレキシビリティーに富んだ、低消費電力でドレイン電流を発生し得る、電界効果型有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層とからなり、
前記ゲート絶縁層は、前記有機半導体層と接する第１絶縁層と、前記ゲート電極と接する第２絶縁層とからなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 製造の容易な有機系の材料からなるｎ型半導体部を備え、移動度及びオン／オフ比に優れたＦＥＴを提供する。
【解決手段】 少なくともソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及びｎ型有機半導体部を備えるＦＥＴにおいて、該ｎ型有機半導体部が、下記式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有する。
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【課題】製造工程で有機半導体に与えられる悪影響を最小限に抑えることで、有機薄膜トランジスタの所望の電気的特性を確保できる有機薄膜トランジスタ表示パネル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極（124）がゲート絶縁膜（140）で覆われ、その上にソース電極（193）とドレイン電極（195）とが形成されている。ゲート電極（124）の上方ではソース電極（193）とドレイン電極（195）とが所定距離を隔てて対向し、その境界部には有機半導体（154）が形成されている。ゲート電極（124）、ゲート絶縁膜（140）、ソース電極（193）、ドレイン電極（195）、及び有機半導体（154）が有機薄膜トランジスタを構成する。本発明による有機薄膜トランジスタでは更に、有機半導体（154）を下部絶縁体（186p）が覆い、その上を上部導電体（186q）が覆っている。有機薄膜トランジスタの全体は保護部材（180）で覆われている。 （もっと読む）

ペルフルオロエーテルアシルオリゴチオフェン化合物、好ましくはα，ω−ビス−ペルフルオロエーテルアシルオリゴチオフェン化合物を含む半導体層を備える半導体デバイスが記載される。さらに、ペルフルオロエーテルアシルオリゴチオフェン化合物、好ましくはα，ω−ビス（２−ペルフルオロエーテルアシルオリゴチオフェン化合物を含有する半導体層を堆積する工程を有する、半導体デバイスを製造する方法が記載される。
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【課題】 ＯＮ／ＯＦＦ比の大きな有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）を提供する。
【解決手段】 有機化合物含有層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、
該有機化合物含有層の少なくとも１層が０．０１ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍのカルシウムを含有する層であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】キャリア輸送能の優れた導電層を形成し得る導電性材料用組成物の提供。
【解決手段】下記一般式(1)の化合物と、架橋剤。


［式中Ｘは４−ビニル（またはα−メチルもしくはα−エチルビニル）フェニルアルキルオキシアルキルを表わし、Ｙは複素環を含む基を表わす］ （もっと読む）

【課題】キャリア輸送能の優れた導電性材料用組成物の提供。
【解決手段】式（１）の化合物とエポキシ架橋剤とを含有する組成物。但し、Ｘはグリシジルオキシアルキル基、Ｙは複素環を含有基を表わす。
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【課題】キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物、かかる導電性材料用組成物を用いて得られたキャリア輸送能の優れた導電性材料、かかる導電性材料を主材料とする導電層、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】式（１）の化合物とエポキシ（メタ）アクリレート系架橋剤とを含む組成物。光重合開始剤を用いて重合させる。


［式中、Ｘは（メタ）アクリロイルオキシアルキル基、Ｙは複素環を含む基を表わす］ （もっと読む）

【課題】キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物、それを用いた導電性材料導電層、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】式（１）で表される化合物と、メタクリル系エポキシ架橋剤とを含有する導電性材料用組成物。


［式中Ｘ^１〜Ｘ^４はグリシジルオキシアルキル基、Ｙは複素環基を含む基を表す］ （もっと読む）

【課題】キャリア輸送能の優れた導電層を形成し得る導電性材料用組成物、の提供。
【解決手段】下記一般式（１）の化合物と、架橋剤。［式中、Ｘ^１〜Ｘ^４は特定の不飽和基含有置換基を表し、Ｒは水素原子、メチル基等、Ｙは複素環を含む基を表す。］
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【課題】本発明は、ゲート長がチャネル材料の電流キャリアのド・ブロイ波長の２倍よりも小さいＭＯＳトランジスタを提供する。
【解決手段】チャネル領域の断面（３）は、ドレイン領域（８）の近傍で、少なくとも１つの寸法に沿った方向で前記波長の半分よりも小さい値（ｅ２）にまで減少する。 （もっと読む）

【課題】 支持基板上に、アザアヌレン構造を有する化合物からなる有機半導体を含有す
る有機半導体層を少なくとも有する電界効果トランジスタにおいて、閾値電圧、及び、Ｏｎ／Ｏｆｆ比の優れた電界効果トランジスタ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基板上に、アザアヌレン構造を有する化合物からなる有機半導体を含
有する有機半導体層を少なくとも有する電界効果トランジスタであって、該有機半導体層の両面いずれかの少なくとも一部表面に隣接して、メルカプト基を含有する層を有する電界効果トランジスタ、及び、支持基板上に、アザアヌレン構造を有する化合物からなる有機半導体を含有する有機半導体層を少なくとも有する電界効果トランジスタを製造するにおいて、該有機半導体層の両面いずれかの少なくとも一部表面に隣接する層の表面を、メルカプト基を有する表面処理剤で処理する電界効果トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】発光特性及び耐久性に優れた有機薄膜ＥＬ素子用の高分子材料として、また有機トランジスタの活性層用高分子材料として有用な新規な導電性高分子材料の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される導電性高分子材料を有機薄膜ＥＬ素子用の高分子材料及び有機トランジスタの活性層用高分子材料として用いる。下記一般式（１）中、Ｒは炭素数４個以上のアルキル基を表し、ｎはチエノチオフェン環の繰り返し数を表す。
Ｒは直鎖状アルキル基又はｎ−ヘキシル基であることが好ましくこのましく、ｎは８以上であることが好ましい。
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【課題】キャリア輸送能の優れた導電性材料を主材料とする導電層、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の導電性材料用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物と、アクリル系架橋剤とを含有する。
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【課題】 経時劣化を含めてトランジスタとしての特性が良好であり、更に塗布による薄膜形成が容易な有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体素子、有機薄膜トランジスタ及び電界効果型トランジスタ、並びに該トランジスタ用いたスイッチング素子を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。


（式中、Ａｒ₁〜Ａｒ₄はそれぞれ芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表す。但し、Ａｒ₁〜Ａｒ₄の少なくとも１つは芳香族複素環である。Ｒ₁〜Ｒ₈はそれぞれ水素原子または置換基を表す。） （もっと読む）

【課題】キャリア輸送能の優れた導電性材料、かかる導電性材料を主材料とする導電層、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の導電性材料用組成物は下記一般式(1)で表される化合物と、アクリル系架橋剤とを含有する。
（もっと読む）

【課題】 ＯＮ／ＯＦＦ電流比を大きくするとともに、ソース電極およびドレイン電極とポリシリコン層とのオーミックコンタクトを適切に形成することが可能な薄膜トランジスタ素子、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１と、チャネル領域２１、ソース領域２２Ａおよびドレイン領域２２Ｂとを有する第１のポリシリコン層２と、ゲート絶縁膜６と、ゲート電極４と、ソース電極５Ａおよびドレイン電極５Ｂと、層間絶縁膜７と、を備える薄膜トランジスタ素子Ａであって、ソース領域２２Ａおよびドレイン領域２２Ｂにそれぞれ繋がる２つの第２のポリシリコン層３Ａ，３Ｂをさらに備えており、かつ、ソース電極５Ａおよびドレイン電極５Ｂの基板１側の先端は、それぞれ第２のポリシリコン層３Ａ，３Ｂまたはソース領域２２Ａおよびドレイン領域２２Ｂの少なくとも一方に接触している。 （もっと読む）

【課題】 有用な有機半導体材料が得られ、前記有機半導体材料を用いて、優れたトランジスタ特性を示し、高い耐久性を併せ持つ有機ＴＦＴ素子を提供する。
【解決手段】 置換基を有する芳香族環Ａの少なくとも一つと、無置換の芳香族環Ｂの少なくとも一つとが連結している部分構造を有する繰返し単位を有し、且つ、該繰り返し単位の中に、Ｈｅａｄ−Ｔｏ−Ｔａｉｌ型の立体規則性を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。 （もっと読む）