【課題】高移動度かつ高オンオフ比を示す有機トランジスタに用いられる有機半導体素材を提供する。
【解決手段】サイズ排除クロマトグラフィーで測定した重量平均分子量が３００００以上かつ分子量分布が２．４以下の共役系重合体と、カーボンナノチューブを有する重合体コンポジット。
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【課題】 電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満の酸化物を安定して製造できる製造方法を提供することにある。
【解決手段】 Ｉｎ、Ｚｎ及びＯを含み、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である透明アモルファス酸化物膜からなる活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを含む薄膜トランジスタの製造方法において、活性層をスパッタ法により形成する工程を含み、スパッタ法により活性層を形成する際の雰囲気ガス中に水を含む。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層を用いた半導体装置の電気的特性を向上させる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】撥水性を有するスタンプ版３０の撥水面３０ａに有機半導体材料の含有液を塗布することで、有機半導体層２０を形成する第１工程と、有機半導体層２０を乾燥させることで、撥水面３０ａに接した状態で、有機半導体層２０を構成する有機半導体材料を結晶化する第２工程と、スタンプ版３０における有機半導体層２０の形成面側を被転写基板１０の表面１３ａに押圧することで、被転写基板１０の表面１３ａに有機半導体層２０を転写する第３工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタとしてのｏｎ／ｏｆｆ比を大きくとることができるとともに、ゲート電圧あるいはソース−ドレイン電圧掃引に対して電流値にヒステリシスを生じることがないようにする。
【解決手段】基板と、上記基板の一方の面上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された炭素６員環を含有するグラファイト系材料からなるフィルムと、上記フィルム上に真空蒸着により形成された炭素６員環を含有する有機材料よりなる有機材料層と、上記基板の他方の面上に形成された第１の電極と、上記有機材料層に形成された第２の電極と、上記有機材料層に形成された第３の電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】 簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】 ホルミル基を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を発現し且つ溶媒に対する溶解性及び耐酸化性に優れる有機半導体材料を提供する。
【解決手段】分子の長軸方向端部のアセン環に合計で１個以上４個以下の縮合環が備えられたポリアセン化合物であって、下記の化学式（Ｉ）で表されるような構造を有する。前記縮合環は、化学式（Ｉ）中のＲ_１，Ｒ_２，Ｒ_３，Ｒ_４，Ｒ_５，Ｒ_６，Ｒ_７，Ｒ_８が結合したアセン環の炭素原子のうち隣接する２つが、化学式（II）のような連結基で連結されて形成されたものである。また、化学式（II）中のＡは脂肪族炭化水素基であり、ＥはＯであり、ｎは１以上５以下の整数である。
【化１】


【化２】
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【課題】 トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表されるチオチオフテン構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】
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【課題】ゲート絶縁膜のコストを低減、製造工程の簡略化を図り、移動度及びオンオフ電流比の高い性能に優れた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に、ゲート電極及びゲート絶縁膜が形成されている薄膜トランジスタであって、上記ゲート絶縁膜が、下記の一般式（１）で表わされる構造を有し、Ｒ₁₁〜Ｒ_1nの内少なくとも１つがＨである少なくとも１種のシリコン含有ポリマー（Ａ１）と、活性光線もしくは放射線の照射により、酸または塩基を発生する化合物とを含むシリコン含有感光性組成物を用いて形成される。
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【課題】高い移動度を有し、印刷法で製膜できるｐ型有機半導体材料を提供する。
【解決手段】化合物は、下記一般式（１）で表わされる。


（Ｘ^１及びＸ^２は硫黄原子又はセレン原子。ａ及びｂは０〜２の整数。ｃ及びｄは０又は１。Ｒ^１〜Ｒ^８は水素、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基又はアリール基。） （もっと読む）

【課題】オン電流の低下を防ぎつつ電気特性を向上させることが可能な薄膜半導体装置を提供する。
【解決手段】端部領域１３１は、横長の矩形として示される半導体薄膜の外周に沿った環状の領域であり、チャネル領域１３２は、半導体薄膜の中央付近を通る縦長の矩形である。また、不純物領域１３３は、半導体薄膜１３全体から端部領域１３１を除いた領域からさらにチャネル領域１３２を除いた２個の矩形である。端部領域１３１のうちゲート電極１５直下に位置せずチャネル領域１３２と重ならない領域は高抵抗化されているが、端部領域１３１のうちゲート電極１５直下に位置しチャネル領域１３２と重なる領域は高抵抗化されていない。 （もっと読む）

【課題】 簡便な方法で金属的カーボンナノチューブを半導体的カーボンナノチューブから効率的に分離することができる方法およびこの方法を用いた半導体的カーボンナノチューブ薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体的カーボンナノチューブと金属的カーボンナノチューブとの混合物を液体中に分散させ、金属的カーボンナノチューブを粒子と選択的に結合させ、粒子と結合した金属的カーボンナノチューブを除去することにより、金属的カーボンナノチューブを半導体的カーボンナノチューブから分離する。得られる半導体的カーボンナノチューブを用いて基板上に半導体的カーボンナノチューブ薄膜を形成する。この半導体的カーボンナノチューブ薄膜をチャネル材料に用いてカーボンナノチューブＴＦＴを作製する。 （もっと読む）

【課題】 簡便な方法で金属的カーボンナノチューブあるいは半導体的カーボンナノチューブを確実に破壊することができる方法を提供する。
【解決手段】 半導体的カーボンナノチューブ２と金属的カーボンナノチューブ３との混合物にレーザ光などのエネルギービーム５を照射することにより、金属的カーボンナノチューブ３あるいは半導体的カーボンナノチューブ２を選択的に破壊する。照射するエネルギービームとしては、破壊しようとする金属的カーボンナノチューブ３あるいは半導体的カーボンナノチューブ２により共鳴吸収されるエネルギー成分を有するものが用いられる。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が大きいとともにオン・オフ比が大きく、簡便な方法で作製できる電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体活性層６、ゲート電極２、ソース電極４及びドレイン電極５を含む電界効果型トランジスタであって、前記半導体活性層６が、重合性基を有する液晶性化合物の少なくとも一種と、光感応性異性化基を有する化合物の少なくとも一種とを含有する層、又は光感応性異性化基及び液晶性官能基の双方を有する化合物の少なくとも一種を含有する層から形成される電界効果型トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のゲート絶縁膜として好適に用いることが可能な有機絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ＰＶＰのようなＯＨ基を有するポリマー材料と、このポリマー材料に対して１００ｗｔ％〜３００ｗｔ％の質量比の架橋剤との溶液を調整し、基板上に塗布、加熱して硬化させる。架橋剤としては、下記式（１）で示される材料を用いる。


ただし、Ｒは、水素またはメチル基を示す。 （もっと読む）

【課題】 簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】 シクロファン化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。 （もっと読む）

【課題】熱や酸化に対して安定した特性を有し、高いキャリア移動度を有するｎ型の有機半導体材料を実現する。
【解決手段】下記一般式（１）等で示されるグラフェン骨格を有し、少なくとも１つの、１つ以上のフッ素原子を有する置換基を持つ有機半導体材料である。
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【課題】トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。 一般式（１） Ａ₁−Ｌ₁−（Ａ₂）ｎ［式中、Ａ₁、Ａ₂は、各々３環以上が縮合した、芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される基を表し、Ｌ₁は、アルキレン基、シクロアルキレン基、オキシアルキレン基、チオアルキレン基、アルキルイミノ基及びシロキサン結合を有する基からなる連結基群から選択される少なくとも一つを有する、（ｎ＋１）価の連結基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】可とう性、耐熱性、低消費電力性、高動作速度性のそれぞれの性能を有効に発揮することができ、移動度、オン・オフ比、ドリフト特性のいずれも優れた有機半導体装置を提供する。
【解決手段】基材２の表面に、ゲート電極３、ゲート絶縁層４、有機半導体層５、ソース電極６及びドレイン電極７を有する有機半導体装置であって、ゲート絶縁層４は、３００℃未満の温度で硬化させたポリイミドからなることを特徴とする有機半導体装置１である。 （もっと読む）

薄膜トランジスタは、亜鉛酸化物含有半導体材料を含んでいる。このトランジスタはさらに、この材料と接触していて互いに離れた第1の接点手段または電極と第2の接点手段または電極を備えている。さらに、製造中に基板の温度が300℃を超えない薄膜トランジスタ・デバイスの製造方法も開示されている。
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薄膜トランジスタは、亜鉛酸化物含有半導体材料を含んでいる。このトランジスタはさらに、この材料と接触していて互いに離れた第1の接点手段または電極と第2の接点手段または電極を備えている。さらに、製造中に基板の温度が300℃を超えない薄膜トランジスタ・デバイスの製造方法も開示されている。
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