各イミド窒素原子に直接に結合されている、1つ又は2つ以上のフッ素含有基で置換された炭素環式又は複素環式芳香環系を有する、テトラカルボン酸ジイミド3,4,9,10ペリレン系化合物を含む有機半導体材料の層を含んで成る薄膜トランジスタ。そのようなトランジスタは、前記材料に接触している、離隔された第1及び第2のコンタクト手段又は１つもしくは複数の電極をさらに含む。さらに、好ましくは、基体上への昇華又は液相堆積による薄膜トランジスタデバイスの製造法であって、基体温度が100℃以下である製造方法を開示する。
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【課題】非晶質酸化物を利用した新規な画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アクティブマトリックス型の画像表示装置において、光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタの活性層１２として、非晶質酸化物を用いる。アクティブマトリックス型の画像表示装置であって、光制御素子と、光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備え、電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満の非晶質酸化物である。 （もっと読む）

【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。
【解決手段】Ｐ型領域と、Ｎ型領域とを備え、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である非晶質酸化物、又は電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物をＮ型領域に用いている。電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である非晶質酸化物又は電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物からなる第１領域と、第１領域に対してヘテロ接合を形成する第２領域と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの活性層等に適用できる新規な非晶質酸化物を提供する。
【解決手段】非晶質酸化物が微結晶を含む、又は層厚方向に組成が変化していること、又は所定の材料を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程の単純化およびコストの節減を図るとともに、電荷移動度および電流点滅比の高い有機薄膜トランジスタを製造することが可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１、ゲート電極３、ゲート絶縁膜５、ソース／ドレイン電極７および有機半導体層９が順次形成された有機薄膜トランジスタ１０を製造する方法であって、ソース／ドレイン電極７が形成されたゲート絶縁膜５の表面を、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＮＯ_３、Ｈ_３ＰＯ_４、Ｈ_２ＳＯ_４、またはこれらの混合物である無機酸または有機酸に含浸させ、焼き鈍しする。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物を用いたセンサおよＸ線非平面イメージャ。
【解決手段】センサは透明基板上に下部電極、非晶質酸化物半導体層、上部電極で構成される。イメージャは前期センサとＴＦＴを組み合わせて構成する。Ｘ線検出にはシンチレータと組み合わせてもよい。上記膜によりＴＦＴを作製することもできる。非晶質酸化物層の作製にはパルスレーザ蒸着法を用いた。上記膜の電子キャリア濃度は１０＾１８／ｃｍ３未満であることを特徴とする。上記膜は伝導電子数の増加に伴い電子移動度が増大することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特別な製造方法を用いることなく簡易なプロセスで形成可能であり、キャリア移動度または導電性が高い有機分子層を備える電子デバイスおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】 導電性の有機分子層を備え、有機分子層は、第１の共役π電子系を構成する主鎖と、主鎖の少なくとも一方の端に結合している末端基とを備える有機分子を主成分として含む。その末端基は第２の共役π電子系を構成し、主鎖に直交する方向における第２の共役π電子系の広がりが、主鎖に直交する方向における第１の共役π電子系の広がりよりも大きい。そして、その末端基は、表面に露出するように配位結合した金属元素を含まない。 （もっと読む）

【課題】 有用な有機ＴＦＴ材料を分子設計し、キャリア移動度が高く、ＯＮ／ＯＦＦ特性が良好であり、且つ、高耐久性を併せ持つ有機ＴＦＴを提供し、また、それらを用いてスイッチング特性の良好なスイッチング素子を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）または（２）で表される化合物を含有し、且つ、該一般式（１）または（２）で表される化合物が、分子内に交差共役可能な、少なくとも３つの不飽和結合を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ材料。
【化１】


〔式中、Ａは、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、＝Ｎ（Ｒ₁）基、または、＝ＣＲ₂Ｒ₃基を表し、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃は、各々水素原子または置換基を表す。Ｚは、縮合環を形成してもよい炭化水素環を表す。〕 （もっと読む）

【課題】 トランジスタとしての特性が良好であり、更に経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
一般式（１） Ａ１−Ｌ−Ａ２
（式中、Ａ１、Ａ２は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を含有する共役構造を表し、Ｌは２価の連結基または単結合を表す。但し、Ａ１、Ａ２はＬを挟んで対称の関係にあり、Ａ１とＡ２はそれぞれが繰り返しの関係ではない。） （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒金属層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】 液相からの半導体層の形成が可能であるように溶媒への溶解性を有し、かつ、高いキャリア移動度とオンオフ比とを示すポリマーまたはオリゴマーからなる有機半導体材料およびこれを用いた電子デバイスを提供する。
る。
【解決手段】 本発明の有機半導体材料は、一般式（１）
【化１】


で表される構造を有するポリマーまたはオリゴマーからなるものであり、溶媒への溶解性を有し、かつ、比較的高いキャリア移動度とオンオフ比とを示す。 （もっと読む）

【課題】 位置合わせの問題がなく、また仕上がり寸法が設計寸法からずれても10⁶以上のオン／オフ比と高速動作の両方を満たす電界効果トランジスタの製造方法を提供することである。
【解決手段】 基板上にソースとドレイン間の距離がLとなるように前記ソースおよび前記ドレインを形成する工程と、前記ソースおよび前記ドレインに接触するように活性層を形成する工程と、前記活性層に接触するように絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を被覆するようにフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストを被覆してある面の反対側から媒質内波長λの平行光を前記面の法線に対して


を満たす入射角θで前記フォトレジストに照射する工程を少なくとも含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタとしての特性が良好であり、更に経時劣化が抑えられた有機薄膜トランジスタ材料、それを用いた有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ材料。
一般式（１） Ｒ¹−（Ｚ）_n−Ｒ²
（式中、Ｒ¹は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、Ｒ²は１価の置換基を表す。但し、Ｒ¹、Ｒ²が同一となることはない。Ｚは共役系部位を持つ部分構造を表し、ｎは１〜５の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】非晶質領域で構成されたチャネル部におけるキャリア移動度が高く、しかも結晶化領域で構成されたソース・ドレインの活性化効率が高い、非晶質−結晶質混成の薄膜トランジスタを、プラスチック基板を用いることが可能な低温プロセスで得ることが可能な薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に非晶質の半導体薄膜５を形成し、半導体薄膜５上にゲート絶縁膜７を介してゲート電極９をパターン形成する。ゲート電極９をマスクにして半導体薄膜５に不純物を導入する。ゲート電極９をマスクにして半導体薄膜５に対して所定速度で照射位置を移動させながら半導体薄膜５にレーザ光Ｌｈを連続照射することにより、半導体薄膜５を結晶化すると共に半導体薄膜５中において水素ガスを膨張させることなくレーザ光Ｌｈの照射部から余剰水素を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノワイヤを目的とする位置に配列するために、電気泳動可能な形態とすること。
【解決手段】金属（62）を触媒にして半導体ナノワイヤ（51）を成長し、前記ナノワイヤの周囲を酸化した後、前記金属（62）を触媒として金属膜（53）を無電解めっきしたナノワイヤ構造体よりなり、電気泳動により電極（55）間に固着したナノワイヤ構造体を含むことを特徴とした半導体素子。 （もっと読む）

【課題】 有機半導体材料に求められている高い電界効果移動度と、高いオン／オフ電流比の双方を満足し、かつ材料系に優れ、合成が容易である新規な有機半導体化合物、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 次の一般式（１）、
Ａｒ²−Ａｒ¹−Ａｒ³ （１）
（式中、Ａｒ¹は下記構造式、


で表され、ここで、Ｙ¹、Ｙ²、Ｙ³はそれぞれ独立にカルコゲン原子、ｎは１〜３の整数であり、Ａｒ²、Ａｒ³はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数１〜１８のアルキルオキシ基、炭素数１〜１８のアルキルチオ基およびアリール基からなる群から選択される少なくとも１種の置換基を有していてもよいアリール基である）で表されることを特徴とする有機半導体化合物である。 （もっと読む）

【課題】有機化合物を用いた半導体（有機半導体）が着目され、デバイスの研究開発とともに半導体材料の開発が行われている中で、基板との強い相互作用を有し、かつ結晶性薄膜を形成しうる材料を提供することを課題とする。
【解決手段】式 Ｒ−ＳｉＸ¹Ｘ²Ｘ³ （Ｉ）
（式中、Ｒは、５員環あるいは６員環が２〜１０縮合した縮合多環化合物の有機残基であり、少なくとも１つ以上の側鎖を有しており、Ｘ¹、Ｘ²及びＸ³は同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である）で表される側鎖含有型有機シラン化合物により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】有機溶媒と単量体との溶解性に優れ、かつ高誘電率を有する新たな有機／無機金属ハイブリッド物質及びこれを含む有機絶縁体組成物を提供する。
【解決手段】下記式で表される有機／無機金属ハイブリッド物質及びこれを含む有機絶縁体組成物。


式中、Ｒ^１〜Ｒ^６はアルキル基、アクリロイルオキシ基等を表わし、Ｍはチタン、ジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム等の金属原子を表わす。 （もっと読む）

【課題】 低コスト化が図れ、キャリア移動度および電流のＯＮ/ＯＦＦ比が改善された信頼性の高い薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の主面および第２の主面が平坦であり、かつ、均一な厚みを有する絶縁基板３と、絶縁基板３の第１の主面上に形成されたゲート電極４と、絶縁基板３の第２の主面上に形成され、有機半導体、カーボンナノチューブ、あるいは、カーボンナノチューブを少なくとも含む有機分散材料により構成されるチャネル層２と、チャネル層２上でゲート電極４の両側に位置するように形成されたソース電極１およびドレイン電極５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ用途に有用な有機ＴＦＴ材料を分子設計し、得られた有機ＴＦＴ材料を用いて、キャリア移動度が高く、且つ、高耐久性を併せ持つ、有機ＴＦＴ、電界効果トランジスタ、更に、該有機ＴＦＴまたは該電界効果トランジスタを有するスイッチング素子を提供する。
【解決手段】 重量平均分子量Ｍｗが５，０００〜１０，０００，０００の範囲に有し、且つ、前記Ｍｗと数平均分子量Ｍｎとの比率Ｍｗ／Ｍｎが３以下であるπ共役系構造を部分構造として有する高分子を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ材料。 （もっと読む）