【課題】成膜時に安定で、塗布等により容易に成膜できる有機半導体材料を提供する。
【解決手段】式１の構造で、Ｂ１、Ｂ２とＸとの立体障害によりＡ１−Ｘ−Ａ２の平面性が崩れている有機半導体材料。Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２及びＸは、６π電子系環、８π電子系環、１０π電子系環、１２π電子系環、１４π電子系環、１６π電子系環、１８π電子系環、２０π電子系環、２２π電子系環、２４π電子系環、２６π電子系環を含む。
（もっと読む）

ナノワイヤのラップゲートトランジスタはＳｉより狭いバンドギャップを持つ半導体材料において実現される。ナノワイヤの歪み緩和は、トランジスタが多くの種類の基板と素子中に組み込まれるヘテロ構造との上に配置されることを可能にする。各種ヘテロ構造は、低減された衝突イオン化速度により出力コンダクタンスを低減し、電流オンオフ比を増加し、サブしきい値の傾斜を減少し、トランジスタの接触抵抗を減少し、および熱安定性を改善するためにトランジスタ中に導入される。寄生容量は半絶縁基板の使用とソースおよびドレインアクセス領域の間の横木構造の使用によって最小にされ得る。本トランジスタはデジタル高周波、低電力回路およびアナログ高周波回路に応用されるだろう。
（もっと読む）

【課題】膜厚，膜質等の均一性に優れ高い移動度を発現する有機半導体薄膜及びその製造方法、並びに該有機半導体薄膜をウェットプロセスによって製造するための材料を提供する。また、電子特性の優れた有機半導体素子を提供する。
【解決手段】ペンタセンと環状ポリオレフィンと１，２，４−トリクロロベンゼンとの混合物を加熱して、均一溶液を調整した。ソース・ドレイン電極として金電極のパターンを形成したシリコン基板を１４０℃に加熱し、その表面にペンタセン溶液を展開した。１，２，４−トリクロロベンゼンが蒸発することによってペンタセン−環状ポリオレフィン薄膜が形成され、トランジスタが形成された。 （もっと読む）

【課題】 成膜時の環境下での安定性に優れると共に、塗布等により容易に成膜できる液晶性有機半導体材料、そうした有機半導体材料からなる有機半導体層を有する有機半導体構造物及び有機半導体装置を提供する。
【解決手段】 チオフェンが３〜６個直鎖状に繋がるチオフェン骨格を有し、そのチオフェン骨格の両側にＣ１〜Ｃ２０の同一のアルキル基を有する有機半導体材料であって、前記のアセチレン骨格を、チオフェン骨格とアルキル基との間に又はチオフェン骨格内に対称的に導入する。具体的には、化学式１又は化学式２で表される有機半導体材料を用いる。
【化１】


【化２】
（もっと読む）

【課題】 ＯＮ／ＯＦＦ電流比を大きくしつつ、移動度を高めることが可能な薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＴＦＴ基板１Ａ上にチャネル領域、ソース領域、およびドレイン領域が形成されたポリシリコン層を形成する工程を有する、薄膜トランジスタ素子の製造方法であって、上記ポリシリコン層を形成する工程は、ＴＦＴ基板１Ａ上にポリシリコンの薄膜２Ａを形成する処理と、このポリシリコンの薄膜２ＡのうちＴＦＴ基板１Ａとは反対側の部分を除去することによりその厚さを薄くする処理と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高い絶縁性を有し有機半導体層への悪影響の少ない絶縁層を有する有機半導体素子を提供する。
【解決手段】有機半導体層と、絶縁層とを少なくとも有する有機半導体素子において、該絶縁層の一部もしくは全部が樹脂と架橋剤との硬化物からなり、該樹脂が水酸基を有する有機樹脂を含み、該架橋剤が２個以上の架橋基を有する化合物を含み、該架橋基の少なくとも一つがメチロール基もしくはＮＨ基であり、前記樹脂と前記架橋剤との総量１００重量部中の前記架橋剤の混合量が１５重量部以上４５重量部以下である有機半導体素子。 （もっと読む）

薄膜トランジスタは、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドをベースとした化合物を含む有機半導体材料層を備えていて、その化合物は、各イミドの窒素原子に結合した置換された、または置換されていないアリールアルキル部分を有する。このようなトランジスタは、その材料と接触していて互いに離れた第1の接点手段または電極と第2の接点手段または電極基板とをさらに備えることができる。基板の温度を100℃以下にし、好ましくは昇華によってその基板に堆積させることによる有機薄膜トランジスタ・デバイスの製造方法も開示してある。
（もっと読む）

【課題】 半導体層として有機材料が使用され、トランジスタ特性の安定性およびオンオフ比が良好であり、かつ駆動電流の大きい電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】 ゲート電極と、ゲート電極に接して配置されたゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、該ゲート絶縁層に接して配置された半導体層と、から構成される電界効果型トランジスタであって、該半導体層が、該ゲート絶縁層に化学的に結合された第１の有機分子を含む第１の層と、該第１の層に電気的に接して配置され、第２の有機分子を含む第２の層とを有する電界効果型トランジスタに関する。 （もっと読む）

【課題】誘電体用材料向けの所望の属性を有するゲート誘電体材料により得られる電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ｉ）置換されていてもよいシルセスキオキサン、置換されていてもよいシルセスキオキサン−金属酸化物混成組成物、置換されていてもよいシロキサン−金属酸化物混成組成物、およびその混合物からなる群から選択される第１の材料を含む第１の層と、（ｉｉ）第２の材料を含み、前記第１の層と接触している第２の層と、を含む多層誘電体を備える電子デバイスである。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極オフ時のドレイン電流を抑えながら、ゲート電極オン時の駆動電流を向上した電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体基体と、この半導体基体上に設けられたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜を介して当該半導体基体上に設けられたゲート電極と、この半導体基体のゲート電極両側に設けられたソース領域およびドレイン領域を有する電界効果トランジスタにおいて、ソース領域の、チャネル形成領域を挟んでドレイン領域と対面する部分の面積を、ドレイン領域の、チャネル形成領域を挟んでソース領域と対面する部分の面積より小さくする。 （もっと読む）

【課題】 無機半導体デバイスに比べて簡便なプロセスで素子を作製することが可能であり、かつ長時間安定したトランジスタ特性を示す有機トランジスタを提供すること。
【解決手段】 ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び有機半導体層を有するトランジスタにおいて、前記有機半導体層が、下記一般式［１］で表される化合物を含有することを特徴とする有機トランジスタ。


（式中ＡとＢは、それぞれ独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換の複素環基、または置換もしくは未置換のアリール基を表す。） （もっと読む）

アリール−エチレン芳香族化合物および有機半導体としてのその使用が開示されている。化合物は、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、ディスプレイデバイス、発光ダイオード、光電池、光検出器およびメモリセル等の電子デバイスに用いることができる。これらのアリール−エチレン芳香族化合物を製造する方法も開示されている。
（もっと読む）

薄膜トランジスタが、縮合した少なくとも3つのベンゼン環が直線配置になったアセン化合物を含む有機半導体材料からなる薄膜をその薄膜トランジスタの中に含んでいて、このアセン化合物は、直線配置の一端だけに、置換された縮合チオフェンまたは置換されていない縮合チオフェンである末端環を備えており、そのチオフェンのb側が、上記アセン化合物中の隣接している縮合ベンゼン環と縮合している。
（もっと読む）

【課題】 小型で、且つオン／オフ比の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタは、半導体層４２の裏面側の面を構成する第１チャネル領域１ａＡ、第１ソース領域（１ｂＡ，１ｄＡ）、第１ドレイン領域（１ｃＡ，１ｅＡ）と、半導体層４２の裏面に設けられた第１ゲート絶縁膜２Ａと、第１ゲート絶縁膜２Ａの裏面に設けられた第１ゲート電極３５Ａとを有する第１トランジスタ素子３０Ａと、半導体層４２の表面側の面を構成する第２チャネル領域１ａＢ、第２ソース領域（１ｂＢ，１ｄＢ）、第２ドレイン領域（１ｃＢ，１ｅＢ）と、半導体層４２の表面に設けられた第２ゲート絶縁膜２Ｂと、第２ゲート絶縁膜２Ｂの表面に設けられた第２ゲート電極３５Ｂとを有する第２トランジスタ素子３０Ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体層デバイスに含まれるドープされた有機半導体に対して容易に、かつ低コストで脱ドープが行える方法を提供する。
【解決手段】有機半導体の脱ドープ方法は、ドープされた有機半導体を式（１）の化合物に接触させる工程を備える。


式中、Ｒ¹〜Ｒ⁸は水素原子または炭素数１〜６の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示す。 （もっと読む）

薄膜トランジスタに、有機半導体材料からなる層と、その材料と接触していて互いに離れた第1の接点手段または電極および第2の接点手段または電極とが含まれている。多層誘電体には、ゲート電極と接触している厚さが100〜500nmの第1の誘電体層と、有機半導体材料と接触している第2の誘電体層とが含まれていて、第1の誘電体層には、誘電定数が相対的により大きくて10.0未満の連続的な第1のポリマー材料が含まれ、第2の誘電体層には、誘電定数が相対的により小さくて2.3よりも大きい連続的な第2の非フッ素化ポリマー材料が含まれている。さらに、好ましくは昇華法または溶液相堆積法によって基板上にこのような薄膜トランジスタ・デバイスを製造する方法であって、基板の温度が100℃以下である方法も開示されている。
（もっと読む）

【課題】有機半導体層の特性である移動度とオンオフ比の両方を向上させ、かつ、大気安定性に優れ、高移動度、高オンオフ比を長期間維持できる半導体素子を提供する。
【解決手段】置換および無置換の両方のチオフェン骨格を有する共役系重合体とカーボンナノチューブを有する重合体コンポジット。 （もっと読む）

【課題】容易に有機半導体層のパターニング効果を得つつ、オン／オフ比などの特性が向上した有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極１１と、ゲート電極１１上に配置されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に互いに離れて配置されるソース電極１３及びドレイン電極１４と、ソース電極１３とドレイン電極１４にそれぞれ接し、隣接した有機薄膜トランジスタと区別されるための端部を有する有機半導体層１５と、有機半導体層１５を覆うように配置され、有機半導体層１５と同じ層または当該有機半導体層１５の下部に配置されて有機半導体層１５の端部１５ａの外側に露出された部分に接するカンチレバー層１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 チオフェン骨格を有する有機半導体膜を用いた高性能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 有機薄膜トランジスタ１０は、基板１と、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、有機半導体膜４と、ソース電極５と、ドレイン電極６と、金属粒子７とを備える。ゲート電極２は、有機半導体膜４の膜厚方向に電界を生じさせる電界をゲート絶縁膜３を介して印加する。有機半導体膜４は、チオフェン骨格を有する有機半導体材料からなる。そして、有機薄膜トランジスタ１０において、金属粒子７は、ソース電極５とドレイン電極６との間の有機半導体膜４の一主面に配置される。 （もっと読む）

本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域から注入されドレーン領域へ向かうキャリアが移動する半導体層を有し、前記半導体層が有機半導体材料とナノチューブとを含む複合材料で形成されている。前記ナノチューブは、複数個のナノチューブが連結されているナノチューブであっても良い。
（もっと読む）