【課題】高温、長時間の加熱を行わなくても済む導電性パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】銀微粒子を溶媒に溶解又は分散させた液状組成物のパターンをＴＦＴアレイ基板２の表面に形成し、水素ラジカルを含む雰囲気下でこのパターンを加熱して、銀微粒子を焼結させるので、焼結の際、この水素ラジカルと銀微粒子の表面の酸化膜とを反応させることができ、酸化膜を還元することができる。酸化膜を還元させることによって、銀微粒子の表面から酸化膜を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー処理において、充分な膜厚均一性を有するレジストパターンを形成することができ、且つ、生産効率の低下を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｇが載置されると共に、基板載置面の温度を所定温度として基板温度を調整するための温調プレート１１と、チャンバ１０内にフォトレジストの溶剤雰囲気を供給する溶剤雰囲気供給手段１４〜１８と、チャンバ１０内の雰囲気温度を検出する雰囲気温度検出手段２３と、前記温調プレート１１の設定温度を制御すると共に前記雰囲気温度検出手段２３による検出温度が入力される制御手段２４とを備え、前記制御手段２４は、設定している前記温調プレート１１の温度と、前記雰囲気温度検出手段２３により検出された雰囲気温度とを比較し、該比較結果に基づいて温調プレート１１の設定温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】製造効率が良く動作特性の良い有機薄膜トランジスタの製造方法及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１上にソース電極７ｓとゲート電極３とドレイン電極７ｄと絶縁膜５と有機半導体層とを有する有機薄膜トランジスタの製造方法。ソース電極又はドレイン電極の少なくともいずれか一方の電極は外周の形状が円又は多角形であり、他方の電極は前記外周に対峙する内周の形状が一方の電極とほぼ同心であるソース電極７ｓ及びドレイン電極７ｄを形成するための電極形成工程と、有機半導体材料を滴下法により滴下することでソース電極７ｓ及びドレイン電極７ｄとを連結する有機半導体層を形成するための有機半導体層形成工程と、を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】 レジストのリフロー処理において、軟化したレジストを速やかに流動させ、しかもその流動方向および流動面積を高精度に制御し、もってパターン形成や液晶表示装置用ＴＦＴ素子の製造に利用できる技術を提供する。
【解決手段】 レジスト１０３からターゲット領域Ｓ_１までの下層膜１０１の流動促進領域１０４に界面活性剤によって表面処理を施し、レジストが流動しやすいようにその濡れ性を改善する。レジスト１０３を軟化させた場合、軟化したレジスト１０３は流動促進領域１０４の方に進行し、ターゲット領域Ｓ_１に誘導されていく。表面処理を施していない禁止領域Ｓ_２に向うレジスト１０３の進行は、ターゲット領域Ｓ_１へ向かうレジスト１０３が多くなるほど、その反作用で逆に抑制される。 （もっと読む）

電子、光電子、および光学産業用に製造された結晶ベースの構造の様々な実施形態が開示される。これらの構造の一部は各々、比較的脆弱なへき開面に沿った互いに分離可能な複数の薄板状シートを含む雲母状／ラメラ状材料の塊などの結晶ドナーからドニー層をへき開することによって作製される。へき開されると、１枚または複数枚のこれらの薄板状シートがドニー層になる。ドニー層は、特に、１つまたは複数の半導体層をその上でヘテロエピタキシャル成長させることを支持する結晶層、絶縁体層、バリア層、平坦化層および有用な構造を作製するためのプラットフォームを含む多様な目的のために使用できる。 （もっと読む）

【課題】 レジストのリフロー処理において、軟化したレジストの流動方向および流動面積を高い精度に制御可能で、もってパターン形成や液晶表示装置用ＴＦＴ素子の製造に利用できる技術を提供する。
【解決手段】 リフロー処理されるレジスト１０３の表面には高低差が設けられ、厚膜部１０３ａと、相対的に膜厚の薄い薄膜部１０３ｂを有している。厚膜部１０３ａは、ターゲット領域Ｓ_１の側に形成され、薄膜部１０３ｂは、禁止領域Ｓ_２の側に形成される。厚膜部１０３ａは、シンナー雰囲気に対する露出面積が大きいため、軟化が速く、段差Ｄを越えてターゲット領域Ｓ_１へ向けて流動が進行する。薄膜部１０３ｂは、シンナー雰囲気に対する露出面積が厚膜部１０３ａに比較して小さいので、軟化が進みにくく、厚膜部１０３ａに比べて流動性が大きくならず、禁止領域Ｓ_２へ到達することなく流動が停止する。 （もっと読む）

本発明は、液晶性のリレンテトラカルボン酸誘導体、その製造方法並びに前記誘導体を有機電界効果トランジスタ及び太陽電池の製造のためにｎ型の有機半導体として用いる使用に関する。
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【課題】 製造工程の簡略化と素子特性の安定化を両立できる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 多成分ガラス基板１の上方に遮光電極３を備え、前記遮光電極３の上方に単層または多層の汚染防止絶縁膜４１を備え、前記汚染防止絶縁膜４１の上方に多結晶シリコン膜５を備え、前記多結晶シリコン膜５の上方にゲート絶縁膜６を備え、前記ゲート絶縁膜６の上方にゲート電極７を備え、前記ゲート電極７の上方に層間分離絶縁膜８を備え、前記層間分離絶縁膜８と前記ゲート絶縁膜６とを開口して前記多結晶シリコン膜５と導電接続されたソース・ドレイン電極を少なくとも備えている。さらに、前記多成分ガラス基板１の上層、前記汚染防止絶縁膜２１の上層、前記ゲート絶縁膜６の上層、前記層間分離絶縁膜８の上層の少なくとも一つに、塩素とフッ素の双方または片方を含む不純物捕獲層２１，２２，２３，２４を有している。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、解像度の高い反転印刷法用いて基材上へインキからなる画像パターンを形成するにあたり、基材の特定の箇所へ精度良くインキパターンを形成することを目的とする。
【解決手段】
基材上にインキパターンを形成する印刷方法であって、ブランケット上にインキ層を設ける工程と、凸部パターンを有する凸版をブランケットに接触させることにより、該ブランケット上のインキ層のうち凸部パターンと接触した部分のインキを除去し、該ブランケット上にインキパターンを形成する工程と、ブランケット上のインキパターンを、非インキパターン部に撥インキパターンを備えた基材と接触させ転写し、基材上に前記インキパターンから前記撥インキパターンを差し引いたパターンを形成する工程を備えることを特徴とする印刷方法とする。 （もっと読む）

【課題】塗工や印刷等の簡便なプロセスで製造でき、再現性の良い特性が得られる有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層1を具備する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層１が下記一般式で示される繰り返し単位を有する重合体を主成分とする。
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【課題】 レジストのリフロー処理において、軟化したレジストの流動方向および流動面積を高い精度に制御可能で、もってパターン形成や液晶表示装置用ＴＦＴ素子の製造に利用できる技術を提供する。
【解決手段】 リフロー処理されるレジスト１０３は、ターゲット領域Ｓ_１に臨む側の下端部Ｊが、下層膜１０２の端部よりもターゲット領域Ｓ_１側へ向けて張出し、オーバーハング形状に形成されている。レジスト１０３の下端部Ｊを下層膜１０２よりも突出させておくことにより、レジスト１０３の停滞が起こらず、軟化したレジストを速やかにターゲット領域Ｓ_１へ向けて流動させる。また、ターゲット領域Ｓ_１へ向けてレジスト１０３の流動を促進させることの反作用として、禁止領域Ｓ_２へ向かうレジスト１０３の流動が抑制され、禁止領域Ｓ_２へ到達することなく変形が停止する。 （もっと読む）

【課題】各層の印刷工程の間に乾燥工程を設ける必要がなく、生産性の向上や寸法精度の確保を図ることが可能な電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】ブランケット１２，１２Ａ上にインキを塗布してインキ塗布面１，１Ａを形成し、該インキ塗布面１，１Ａに凸版１４，１４Ａを押圧して該凸版１４，１４Ａに接触する部分のインキ２，２Ａをブランケット１２，１２Ａ上から除去したのち、前記ブランケット１２，１２Ａ上に残ったインキ３，３Ａを被印刷体４に転写する印刷方法によって電子部品を製造する方法であって、導電性インキ、絶縁性インキ、半導体インキからなる群から選択されるインキによるパターン５，５Ａを１層又は複数層形成する。 （もっと読む）

【課題】安価なガラス基板上に積層された非結晶半導体膜を、低温で結晶化することによ
り、大面積の多結晶シリコン膜を低コストで形成する。
【解決手段】水素原子を含むガスと酸素ガスとを少なくとも含む混合ガスを燃焼させて得
られる燃焼ガス１４を、シリコンの結晶化を促進する金属元素からなる網２４に吹き付け
た後に、表面が絶縁性である基板２０上に配置されている非結晶シリコン膜２２に吹き付
けて、非結晶シリコン膜２２の少なくとも表面近傍に金属元素を添加する第１の工程を含
むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、且つ、工程数を減らし、従来よりも歩留まりよく良好な電気特性を有する薄膜トランジスタ及びこれを搭載した表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する基板上にマスクを形成し、基板及びマスク上に光触媒膜を有する第１の領域を形成し、基板に光を通過させて光触媒膜に照射し、第１の領域の一部を改質して第２の領域を形成し、第２の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出してパターンを形成する。マスクは光を通過させないものを用いる。改質後には光触媒膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】 高い配置精度を有する導電性パターンを、簡便な工程で得ることのできる手段を提供すること。
【解決手段】 基板１表面上にあらかじめ導電性パターンに応じて形成した凹部２に、機能液を注入し、機能液を導電膜６に変換することにより導電性パターンを形成させる。これにより、高精度に配置された導電性パターンを、大掛かりな設備を必要とせずに形成させることができる。しかも、材料を無駄に廃棄することがないので、材料使用率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 単純な構造で寸法ずれの影響を低減し、かつ、工程の簡単な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 ゲート電極、キャパシタ電極を有し、それらの上に形成されたゲート絶縁膜の上に、ドレイン電極と、それと接続されたドレイン配線、ソース電極と、それと接続された画素電極が配置されており、少なくともソース電極とドレイン電極の間隙を含むように半導体層が配置されている薄膜トランジスタで、ゲート電極およびキャパシタ電極が等幅のストライプ状であり、平面的に見て、チャネル部およびそれに接するドレイン電極・ソース電極がすべてゲート電極に包含され、画素電極がキャパシタ電極に包含されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な装置により短時間で絶縁層を加工し開口部を形成することにより、電気光
学装置が高解像度化し画素数が増加しても容易に製造することができる電気光学装置用基
板の製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学装置用基板の製造方法は、基板１２上に、ソース電極１４とドレイ
ン電極１６と有機半導体層１８とを形成する。ソース電極１４とドレイン電極１６と有機
半導体層１８とを被覆するゲート絶縁層２０を形成する。ゲート絶縁層２０上にゲート電
極２２を形成する。ゲート絶縁層２０とゲート電極２２とを被覆する層間絶縁層２４を形
成する。少なくとも層間絶縁層２４とゲート絶縁層２０とを貫通し、ドレイン電極１６の
一部が露出する開口部を、機械的応力により形成する。層間絶縁層２４上に、開口部を介
してドレイン電極１６と電気的に接続する画素電極２８を形成する。 （もっと読む）

【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第１の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第１の基板を通過させて、光触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第１の基板より剥離する。 （もっと読む）

【課題】ソース電極及びドレイン電極を位置精度良く、かつ簡便に形成できる有機トランジスタ及び有機トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜有機トランジスタ１の製造方法では、フォトリソグラフィ法で感光性樹脂層８を形成し、無電解メッキ法でソース電極３及びドレイン電極４を形成するので、ソース電極３及びドレイン電極４を簡便かつ位置精度良く形成できる。そして、樹脂層７の表面に残存する感光性樹脂層８を剥がさずに、その上に有機半導体層９を形成する。つまり、感光性樹脂層８をソース電極３及びドレイン電極４を設けるためのマスク層として利用するだけでなく、有機半導体層９を樹脂層７の表面上に設けるための緩衝層として利用できる。これにより、有機半導体層９の半導体結晶の分子配列の配向性を向上できるので、半導体特性の良い薄膜有機トランジスタ１を提供できる。 （もっと読む）

本出願は、基板上への金属、金属酸化物および／または半導体材料のパターンの形成方法と、上記方法により作成されるパターンと、上記パターンの用法とに関する。 （もっと読む）