共通のソース電極を共有するアクティブセルとキャパシタとを備える縦型有機電界効果トランジスタ。アクティブセルは、ドレイン電極と共通のソース電極との間に挟まれた半導体層を備える。キャパシタは、ゲート電極と共通のソース電極との間に挟まれた誘電体層を備える。共通のソース電極は、ゲート電極に印加される電位を制御することによってソース電極とドレイン電極との間を流れる電流を制御することを可能にする。

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本発明は、有機半導体、特に誘電層を有する有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）を備えた集積回路に関する。この集積回路は、ａ）少なくとも１つの架橋可能なベースポリマーを１００部と、ｂ）求電子性の架橋剤としての少なくとも１つのジベンジルアルコール化合物またはトリベンジルアルコール化合物を１０〜２０部と、ｃ）少なくとも１つの光酸発生剤を０．２〜１０部と、ｄ）ａ）〜ｃ）が溶解されている少なくとも１つの溶媒とからなるポリマー組成物により製造可能である。本発明は、さらに、集積回路の製造方法、特にＯＦＥＴ用の、誘電層を有する集積回路を低温で作ることができる方法にも関する。
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有機半導体として有用であるアセン−チオフェン化合物が開示されている。有機薄膜トランジスタ中の半導体層として本化合物を用いた時、本化合物は、ペンタセンに匹敵する電荷キャリア移動度および電流オン／オフ比のようなデバイス特性を示す。本発明の少なくとも１種の化合物を含む半導体デバイスならびに薄膜トランジスタまたはトランジスタアレーおよびエレクトロルミネセントランプなどの半導体デバイスを含む物品も記載されている。
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基材と、誘電体材料の転写層とを含んでなる熱的に画像形成可能なドナー素子を熱に曝す工程を含んでなる、熱転写プロセスによって充填誘電体材料のパターンを基材上に形成する方法を開示する。照射パターンは、誘電体材料層の部分が、電子デバイスが形成されている基材上に転写されるように、基材上に形成すべき所望のパターンの画像である。充填誘電体材料は、薄膜トランジスタのゲート電極上にパターン化することができる。パターン誘電体材料は、また、相互接続のための絶縁層を形成してもよい。このプロセスでの使用のためのドナー素子も開示する。熱転写プロセスでの使用のための薄膜トランジスタおよびドナー素子を形成するための方法も開示する。
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【課題】 高いビット数のデジタル信号に対応し、線形性が良く、占有面積の小さいＤ／Ａ変換回路を提供する。
【解決手段】 複数の容量を有するＤ／Ａ変換回路であって、複数の容量は、第１電極と、第１電極に接している第１誘電体と、第１誘電体に接している第２電極と、第２電極に接している第２誘電体と、第２誘電体に接している第３電極とをそれぞれ有しており、第２電極は、第１電極及び第３電極と重なっており、第２電極は、第１電極及び第３電極と重なっている部分において開口部を有しており、第２電極が有する開口部において、第１誘電体及び第２誘電体にコンタクトホールが形成されており、コンタクトホールを介して第１電極と第３電極が接続されていることを特徴とするＤ／Ａ変換回路。 （もっと読む）