【課題】 トランジスタ特性、保存性に優れ、溶液製造プロセス適性のある有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子を提供することである。
【解決手段】 下記一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】


（式中、Ａ¹及びＡ²はベンゼン環を３個以上含む縮合多環芳香族化合物を表し、Ｂ¹及びＢ²は溶解性ユニットを表し、Ｘ¹及びＸ²は二価の連結基を表し、Ｒ₁及びＲ₂は水素または置換可能な基を表す。ｍ１及びｍ４は１〜２０の整数、ｍ２及びｍ５は０〜２０の整数、ｍ３及びｍ６は０〜１０の整数を表す。ｎ１はポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表し、ｎ２は正の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】 発光装置、特に発光装置が有する画素部の高精細化、高開口率化が進むにつれて、より幅の小さい配線を形成することが要求されている。しかしインクジェット法を用いて配線を形成する場合、配線形成表面でドットが広がってしまい、配線の幅を小さくすることが難しかった。
【解決手段】 本発明は、配線形成表面に光触媒物質を形成し、該光触媒物質の光触媒活性を利用して配線を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。インクジェット法により、光触媒物質上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出することにより、ドットの径より狭い、つまり幅の小さい配線を有する発光装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で大面積基板に微細な形状を有する配線を形成する方法、及びそれにより形成された配線基板を提供する。また、少ない工程数及び原料の削減により、コスト削減及びスループットの向上が可能であり、かつ微細構造の半導体素子を有する半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】金属粒子と有機樹脂とで形成される組成物１０２をインクジェット法で基板１０１上に描画し、それにレーザ光１０３を照射し、金属粒子の一部を焼成して、配線、電極等に代表される導電層１０５を基板上に形成することを特徴とする。また、上記焼成された導電層を配線又は電極として有する半導体装置を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 移動度の高い新規な有機半導体材料を提供し、該有機半導体材料を用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 分子中に、無置換の芳香族環が連続して５環以上連結した部分構造と、アルキル基又はアルキル基が置換した基を置換基として有する有機基と、を有することを特徴とする有機半導体材料。 （もっと読む）

【課題】 新規なチオフェン環型有機半導体材料を開発し、作製直後のキャリア移動度が高く、キャリア移動度の経時劣化が少ない、有機半導体膜、ならびに、有機薄膜トランジスタを提供し、且つ、有機半導体膜の製造方法、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】
（もっと読む）

【課題】 熱及び機械的応力に対する信頼性を向上させることができる有機薄膜トランジスタとその製造方法、及びそれを用いたアクティブマトリクス型のディスプレイと無線識別タグを提供する。
【解決手段】 有機半導体材料からなる半導体層(5)と、有機絶縁材料からなる絶縁層(3)とを含み、半導体層(5)と絶縁層(3)との間に、半導体層(5)を構成する有機半導体材料と絶縁層(3)を構成する有機絶縁材料とからなる第１混合層(4)を更に備えている有機薄膜トランジスタ(10)とする。 （もっと読む）

本発明は、新規な透明酸化物半導体薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）およびその製造方法に関する。
（もっと読む）

【課題】 チャネル長の短い薄膜トランジスタを簡便に、かつ、低廉なコストで形成することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 液滴乾燥法を用いることによってバンク３０を形成し、このバンク３０を挟んでソース電極４０ａとドレイン電極４０ｂを形成する。その後、バンク３０を剥離することによって得られる溝パターン５０に半導体材料を供給して半導体層を形成し、ゲート絶縁膜、ゲート電極等を形成することにより、薄膜トランジスタを製造する。 （もっと読む）

トランジスタ構造の少なくとも一部分が実質的に透明であるエンハンスメント・モード電界効果トランジスタである。該トランジスタの一変形形態は、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２及びＩｎ_２Ｏ_３から選択された実質的に絶縁性で実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。実質的に透明な材料から構成されるゲート絶縁体層は、チャネル層／ゲート絶縁体層境界面を形成するようにチャネル層に隣接して配置される。該トランジスタの第２の変形形態は、アニーリングにより生成される実質的に絶縁性のＺｎＯ、ＳｎＯ_２及びＩｎ_２Ｏ_３から選択される実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。該トランジスタを含む装置、及び該トランジスタを作る方法も開示されている。
（もっと読む）

【課題】本発明の目的は、特性に優れる無機物膜を形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された無機物膜、この無機物膜を備える電子部品および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基材５上に、無機物膜８の構成材料である膜材料８１’と膜材料以外の部分とで構成される化合物を膜材料前駆体８０として用いて、化学的気相成膜法により無機物膜８を形成する成膜方法であり、膜材料前駆体８０を収納した収納部７と、基材５とを空間を介して対向させた状態で、膜材料前駆体８０をガス状またはミスト状として、基材５に向かって供給し、前記空間において、ガス状またはミスト状の膜材料前駆体８１を加熱して、基材５に到達する前に、その少なくとも一部を熱分解させて、膜材料以外の部分を分解・除去することにより、膜材料８１’を前記基材に到達させて無機物膜８を形成させるものである。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜トランジスタを備えた能動駆動型の有機電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 対向電極４６１と、対向電極４６１上に備えられた少なくとも発光層を含む中間層４８７と、中間層４８７上に備えられた画素電極４６２と、画素電極４６２の上部に備えられ、画素電極４６２と絶縁される第１電極４１２と、画素電極４６２の上部に備えられ、画素電極４６２と連結される第２電極４１３と、第１電極４１２及び第２電極４１３と接触するｎ型有機半導体層４８０と、ｎ型有機半導体層４８０の上部に備えられ、第１電極４１２と第２電極４１３及びｎ型有機半導体層４８０と絶縁された第１ゲート電極４１１と、を含むことを特徴とする有機電界発光ディスプレイ装置である。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜トランジスタを備えた能動駆動型の有機電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 対向電極４６１と、対向電極４６１上に備えられた少なくとも発光層を含む中間層４８７と、中間層４８７上に備えられた画素電極４６２と、画素電極４６２の上部に備えられ、画素電極４６２と絶縁される第１電極４１２と、画素電極４６２の上部に備えられ、画素電極４６２と連結される第２電極４１３と、第１電極４１２及び第２電極４１３と接触するｐ型有機半導体層４８０と、ｐ型有機半導体層４８０の上部に備えられ、第１電極４１２と第２電極４１３及びｐ型有機半導体層４８０と絶縁された第１ゲート電極４１１と、を含むことを特徴とする有機電界発光ディスプレイ装置である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等の構成物を、密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタ又は表示装置などを構成する構成物を、それらの被形成物表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質を添加（混入）して形成することによって、構成物と被形成物との密着性を向上させる。また、構成物上に形成される絶縁層において、構成物表面に生じる凹凸形状を十分に被覆し、かつ絶縁層として信頼性に足るように緻密化できるように、絶縁層を有機材料を含む第１の絶縁層と、無機材料を含む第２の絶縁層とを積層して形成する。 （もっと読む）

【課題】
電極材料にかかるコストが低く、かつ充分なトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタを提供することを課題とする。特に、有機半導体材料を用いた薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】
少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体層を含む薄膜トランジスタにおいて、該ソース電極および該ドレイン電極が、それぞれ少なくとも半導体層と接する接触部とそれ以外の非接触部からなり、該接触部と該非接触部の電極材料が異なることを特徴とする薄膜トランジスタとするものである。 （もっと読む）

【課題】 ポリマー系有機半導体材料を用いたｐ型ＦＥＴを用いて実用的集積回路を構成できるようにすること。
【解決手段】 集積回路を構成するトランジスタとしてｐ型ＦＥＴのみを用いたものである。基本回路の例として（ａ）インバーター回路、（ｂ）ＡＮＤ回路、（ｃ）ＯＲ回路を示す。同図において、１〜１２はｐ型ＦＥＴである。ｐ型ＦＥＴだけで構成し、出力部にもｐ型ＦＥＴのみを用いたソースフォロワ回路を用いたアナログアンプも可能である。 （もっと読む）

【課題】 絶縁耐性等に優れ、低温で形成可能な高品質な酸化膜を備えた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ１の製造方法において、表面にゲート酸化膜４を形成すべき被処理基板２を、活性酸化種を含む酸化性溶液に浸漬し、被処理基板２に電圧を印加して、被処理基板２上の多結晶シリコン５１を直接酸化することによりゲート酸化膜４を形成する酸化膜形成工程を行うことによって、二酸化シリコン膜４１を被処理基板２方向に成長させながら二酸化シリコン膜４２を形成する。これにより、多結晶シリコン５１とゲート酸化膜４との界面を清浄に保つことができ、絶縁耐性等に優れた高品質なゲート酸化膜４を均一に形成できる。 （もっと読む）

【課題】ある種の有機半導体化合物を調製する新規方法に関し、より少ない反応工程でより高い全収率が得られる小分子チオフェン化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】反応媒体、カップリング剤、及び前駆体を含有する反応混合物を、カップリング温度に曝し、一工程合成で所望の小分子チオフェン化合物を優先的に形成することを含む方法であって、前駆体は：(i)任意の二価結合、及び第2の環位置及び第5の環位置のいずれか又は両方で結合されていれる複数のチオフェン単位からなる方法。 （もっと読む）

【課題】小分子チオフェン化合物を備える装置の提供。
【解決手段】多くの電極と接触している半導体層を備える電子装置であって、半導体層は複数のチオフェン単位からなる小分子チオフェン化合物を含み、各チオフェン単位は構造(A)を表す。
（もっと読む）

本発明はフィルム（１）、特に型押フィルムまたは積層フィルム、及びそのようなフィルムの作成のためのプロセスに関する。有機半導体技術を用いて作成される少なくとも１つのデバイス、特に１つまたはそれより多くの有機電界効果トランジスタがフィルム（１）に集積される。
（もっと読む）

【課題】有機ゲート絶縁膜を具備して柔軟性を有しながらもしきい電圧が低く漏れ電流が少ない薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。有機薄膜トランジスタは基板と基板上に位置するゲート電極を具備する。ゲート電極上に無機ゲート絶縁膜と有機ゲート絶縁膜の積層構造を有するゲート絶縁膜が位置する。ゲート絶縁膜上にゲート電極と重なる有機半導体層が位置する。したがって、柔軟性を有すると同時に漏れ電流が低減されて、低いしきい電圧を有する有機薄膜トランジスタを具現することができる。 （もっと読む）