半導体フィルムは、前記物質のＴｇより低い混合物のＴｇを与える、半導体材料（ポリマーＰＩ）および物質（可塑剤化合物１９）の混合物で基板表面を被覆し、前記物質を架橋することにより基板上に形成する。多層電子デバイスは架橋された半導体フィルムをこの方法により基板上に形成し、第２のフィルムの形成物質の溶液または懸濁液の堆積により前記フィルム上に層を形成する、架橋された半導体フィルムは実質的に第２のフィルムの形成に用いる溶媒または分散剤に不溶である、ことにより製造することができる。本発明は、例えば電界効果トランジスタ、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機太陽電池および有機レーザーを作製するのに用いることができる。 （もっと読む）

本発明の薄膜トランジスタは、半導体層（１４）と、前記半導体層に相互に対向するように分離して設けられたソース領域（１５）とドレーン領域（１６）とを有する薄膜トランジスタ（１００）であって、前記半導体層はπ共役系有機半導体分子を主成分として有し、前記π共役系有機半導体分子が、π軌道が実質的に対向するように配向され、かつ主鎖の分子軸が前記半導体層に形成されるチャネルにおける電界の方向に対して傾斜して配向されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、少なくとも一つの電気的コンポーネントを有するフィルムと、そのようなフィルムの生産プロセスと、に関するものである。
【解決手段】
放射架橋性接着剤を備えた接着剤層はベースフィルム（６１）に塗布される。接着剤層はベースフィルムへパターン形状に塗布され、及び／または、接着剤層がパターン形状に構造化して硬化するようにパターン形状に放射線照射される。キャリアフィルムと電気的機能層とを備えたトランスファーフィルム（４１）が接着剤層に塗布される。キャリアフィルム（４１）は、ベースフィルム、接着剤層、及び電気的機能層を含むフィルム体から剥がされ、そこではパターン形状に構造化された第一領域では電気的機能層はベースフィルム（６１）に残り、パターン形状に構造化された第二領域では電気的機能層は前記キャリアフィルム（４５）に残り、ベースフィルム（６１）からキャリアフィルムとともに取り除かれる。

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分離構造を有する半導体デバイス（１０）を形成するための方法が漏れ電流を低減する。チャネル分離構造（３２、３０、３４）がチャネル構造の中の漏れ電流を低減する。さらに、電流電極領域の下に電流電極誘電体分離構造（３６）が形成され、電流電極（４０）間の漏れを防ぐ。
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電界効果トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、無機半導体の結晶または多結晶の層と、誘電体層とを含む。無機半導体の層は、物理的にソース電極からドレイン電極まで延びる活性チャネル部分を有する。無機半導体は、層内の結合力が共有結合および／またはイオン結合である２次元の層の積み重ねを有する。互いに隣接する層のそれぞれが、共有結合およびイオン結合の力よりかなり弱い力によって互いに結合される。誘電体層は、ゲート電極と無機半導体材料の層の間に介在する。ゲート電極は、無機半導体の層の活性チャネル部分の導電率を制御するように構成される。

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金属ソース電極と、金属ドレイン電極と、金属ゲート電極と、堆積させた半導体材料内のチャネルとを有するトランジスタデバイスであって、金属ゲート電極、金属ソース電極の第１の金属部分、および金属ドレイン電極の第１の金属部分を含む第１の層と、金属ソース電極の第２の金属部分、金属ドレイン電極の第２の金属部分、堆積させた半導体材料、および半導体材料と金属ゲート電極との間にある誘電体材料を含む第２の層と、基板を含む第３の層とを含み、第１の層、第２の層および第３の層は、第２の層が第１の層と第３の層との間に配置されるような順序で構成されているトランジスタデバイス。
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本発明は、薄膜電子部品の製造方法およびこの方法を実施する装置に関する。また、本発明は、この方法に従って製造された薄膜電子部品に関する。まず、実質的に誘電性を有する基板上に、導電性材料から成るガルヴァニックに均一な最下段の導電層が形成され、この最下段の導電層から導電領域がガルヴァニックに相互に分離して、電極パターンが形成される。この電極パターン上には、薄膜部品に必要とされる上部の不活性層または活性層を１層または数層形成することが可能である。本発明によれば、この最下段の導電層が分離することによる電極パターンの形成は、ダイカットエンボス加工に基づく切断作業を最下段の導電層に行うことによる。すなわち、切断作業に使用する切断部材の浮彫りが、基板上に永久変形が生じさせ、同時に、導電層から、ガルヴァニックに相互に分離した導電領域に至る領域をエンボス加工する。本発明は、ロールツーロール方式における薄膜部品の製造に適している。

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有機半導体を有する電界効果トランジスタ、特に相互接続構造を有する複数の電界効果トランジスタを含むデバイスを製造する方法が提供される。ここで、４層に対して３つのフォトリソグラフィ・マスクが使用される。それに加えて、トランジスタがトップ・ゲート構造で提供され、有機半導体層（３０７）および誘電体層（３０９）が構造であり、一緒にパターン化される。電界効果トランジスタ（３００）に関連しない領域または第１および第２導電体層（３０３，３０５，５０１）の交差導電体部に関連しない領域から半導体層（３０７）および誘電体層（３０９）を取り除くことができる。
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（ｉ）ポリマーまたはオリゴマーおよび架橋部分を含む溶液を基板上に成膜して層を形成する工程、および（ｉｉ）不溶性架橋化ポリマーを形成する条件下で工程（ｉ）で形成された層を硬化する工程を備え、架橋部分が溶液中のポリマーまたはオリゴマーおよび架橋部分の繰返し単位のモル総数に対して０．０５から５モル％の範囲の量で工程（ｉ）に存在することを特徴とする、ポリマーデバイスを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】 電子特性が向上した分子層を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】 電子デバイスは、ソース領域およびドレイン領域と、ソース領域およびドレイン領域に隣接して配置され、少なくとも１つの共役分子を含む自己組織化単分子層と、自己組織化単分子層に隣接した導電性基板と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと凹部又は凸部を有する反射電極とを形成する方法であって、製造工程数及び製造コストの削減が図られた方法、及びこの方法が適用された液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 金属膜７の上に感光性膜８を形成し、この感光性膜８から残部８１、８２及び８３を形成し、この残部８１、８２及び８３をマスクとして金属膜７をエッチングし、この残部８１、８２及び８３を剥離せずに感光性膜９及び反射電極膜１０を形成する。 （もっと読む）