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表示装置
【課題】TFTの閾値電圧がシフトしても、駆動回路の高い信頼性を確保することができ
る表示装置を提供する。
【解決手段】出力回路が有するトランジスタのゲートに、順方向バイアスの電圧または逆
方向バイアスの電圧を与えることができる電源制御回路と、出力回路が有するトランジス
タの閾値電圧の変化量をモニターするためのモニター用トランジスタと、出力回路が有す
るトランジスタの閾値電圧を補正するべく、該トランジスタのゲートに逆方向バイアスの
電圧を与えるように電源制御回路を制御する閾値制御回路と、を有する。
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酸化物半導体層
【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。
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半導体装置
【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に
接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一と
する。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を2層以上の積層構造とし、その積層の
うち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有
する金属又はそのような金属の合金とする。二層目以降のソース電極層またはドレイン電
極層の材料は、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素、または上述
した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。
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半導体装置の作製方法
【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸素を含む絶縁層を形成し、酸素を含む絶縁層上に水素を含む絶縁層を形成した後、熱処理を行うことにより、水素を含む絶縁層中の水素を少なくとも酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
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酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法
【課題】酸化物半導体が持っている高移動度、高特性を低下させることが無く、長時間安定して駆動でき、高精細で画像欠陥が少ない画像を表示する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、発光層413と、これを挟む一対の電極408、413と、一対の電極408、413を介して発光層413を駆動し、かつ、ソース電極及びドレイン電極410、ゲート電極406、及び活性層409を有するTFTと、マトリックス配線部を構成する走査電極線407、信号電極線403、第1の絶縁層404とを有する。活性層409は、少なくとも一部が非晶質であるInとZnとを含む酸化物からなる。活性層409と第1の絶縁層404との間に、含有水素量が3×1021(atoms/cm3)未満である第2の絶縁層408を有する。
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アクティブマトリクス基板及びそれを備えた表示パネル
【課題】フォトマスクの枚数を増やすことなく、酸化物半導体の半導体層を用いたTFTの特性の低下を抑制することにある。
【解決手段】マトリクス状の複数の画素電極Pと、各画素電極Pに接続されたTFT5と、互いに平行に延びる複数のソース線15aとを備え、TFT5が、絶縁基板10上のゲート電極11aと、ゲート電極11aを覆うゲート絶縁膜12aと、ゲート絶縁膜12a上でゲート電極11aに重なる酸化物半導体層13aと、酸化物半導体層13aに接続されたソース電極17a及びドレイン電極17bとを備え、ソース電極17a及びドレイン電極17bと酸化物半導体層13aとの間には、酸化物半導体層13aを覆う保護絶縁膜14aが設けられ、各ソース線15aは、金属材料により形成され、ソース電極17a及びドレイン電極17bは、各画素電極Pと同一材料により形成されている。
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半導体装置及び半導体装置の製造方法
【課題】配線層中の配線をゲート電極として使用し、かつ拡散防止膜と同一層にゲート絶縁膜を有している半導体素子を有する半導体装置において、拡散防止膜の機能を損なうことなく、半導体素子のオン抵抗を低くする。
【解決手段】第1配線層150を構成する絶縁層の表層には、第1配線154及びゲート電極210が埋め込まれている。第1配線層150と第2配線層170の間には、拡散防止膜160が形成されている。ゲート絶縁膜230は、拡散防止膜160のうちゲート電極210と重なる領域及びその周囲の上面に凹部を形成し、この部分を薄くすることにより、形成されている。
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半導体装置
【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを
目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かっ
て成長させた結晶領域を有する第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層上の第2
の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層
と、第2の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と
、ゲート絶縁層上の、第2の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、
第2の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置であ
る。
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半導体装置
【課題】ソース電極およびドレイン電極間におけるオフリーク電流の低減を課題とする。
【解決手段】本発明の一態様は、ゲート電極101と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜102と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極の上方に位置する半導体層104と、前記半導体層上に形成された第2の絶縁膜108aと、前記第2の絶縁膜の上面と側面、前記半導体層の側面および前記ゲート絶縁膜の上に形成された第1の絶縁膜108bと、前記第1の絶縁膜上に形成され、前記半導体層と電気的に接続されたシリコン層105,106と、前記シリコン層上に形成されたソース電極107aおよびドレイン電極107bと、を有する薄膜トランジスタを具備し、前記ソース電極と前記ドレイン電極は、前記第1の絶縁膜上で互いに電気的に分離されており、前記半導体層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極それぞれと接しない半導体装置である。
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アクティブマトリックス基板及びアクティブマトリックス基板の製造方法、液晶表示装置
【課題】画素電極の電圧が保持され、画質が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基材110上で半導体層150と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極120及びドレイン電極130と、前記チャネル領域を制御するゲート電極140と、前記ドレイン電極130と接続され液晶材料を駆動する画素電極190と、を複数有するアクティブマトリクス基板において、複数の前記画素電極190の間の空間に配された無機絶縁膜195と、前記画素電極190とは接触せずに、前記無機絶縁膜195と接触するようにして配された遮光膜200と、を有することを特徴とする。
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コンパレータ、及びそれを用いた半導体装置
【課題】新たな構成のチョッパ型のコンパレータを提供する。
【解決手段】コンパレータは、インバータと、容量素子と、第1のスイッチと、第2のスイッチと、第3のスイッチとを有し、インバータの入力端子と出力端子とは、第1のスイッチを介して電気的に接続され、インバータの入力端子は、容量素子の一対の電極のうちの一方と電気的に接続され、容量素子の一対の電極のうちの他方は、第2のスイッチを介して参照電位が与えられ、入力された信号電位は第3のスイッチを介して容量素子の一対の電極のうちの他方に与えられ、インバータの出力端子から出力される電位を出力信号とし、第1のスイッチは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタを用いて構成される。
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半導体装置
【課題】ソース配線とゲート配線とが製造工程中の静電気によるショートを防止すること
が可能な液晶表示装置の素子構造を提供することを目的とする。
【解決手段】ソース配線が第1の半導体層、第2の半導体層、及び導電層によって構成さ
れる。そして、ソース配線とゲート配線の交差部において、ソース配線の端部の導電層を
除去して、半導体層がはみ出した形状とする。なお、ゲート配線、第1の半導体層、第2
の半導体層、及び導電層の材料はTFTを形成するために用いた材料と同一の材料からな
る。
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半導体装置
【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供すること
を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物
半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第1の加熱処理を行う。次いで
、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注
入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び
、酸化物半導体膜が露出した状態で第2の加熱処理を行う。
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半導体記憶装置
【課題】不揮発性の記憶装置を有するCAMとする際に、メモリセルの低消費電力化を図ることのできる半導体記憶装置を提供することを課題の一とする。また、データの書き込みを繰り返し行う際の劣化をなくすことができる半導体記憶装置を提供することを課題の一とする。また、メモリセルの高密度化が可能な不揮発性の記憶装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を半導体層に有する第1のトランジスタ及び当該第1のトランジスタをオフ状態とすることで書き込んだデータに対応する電位を保持できる容量素子を有するメモリ回路と、書き込んだ電位を参照するための参照回路を有し、参照回路を構成する第2のトランジスタの導通状態を検出することで、整合するデータのアドレスを取得し、高速な検索機能を可能にした半導体記憶装置である。
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半導体装置
【課題】微細化による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】第1の領域と、第1の領域の側面に接した一対の第2の領域と、一対の第2
の領域の側面に接した一対の第3の領域と、を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上
に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に第1の領域と重畳した第1の電極と、を
有し、第1の領域は、CAAC酸化物半導体領域であり、一対の第2の領域及び一対の第
3の領域は、ドーパントを含む非晶質な酸化物半導体領域であり、一対の第3の領域のド
ーパント濃度は、一対の第2の領域のドーパント濃度より高い半導体装置である。
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半導体装置、表示モジュール及び電子機器
【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。
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アクティブマトリックス基板及びアクティブマトリックス基板の製造方法、液晶表示装置
【課題】電極からの反射がなく、表示画像が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基板110側と反対側に反射防止層130が形成された反射防止層130が形成された電極(図14のAに相当するソースドレイン電極層)と、基板110側と反対側に反射防止膜が形成されていない反射防止膜除去電極(図14のBに相当するソースドレイン電極層)と、基板110上に設けられた親液性領域Rと、反射防止膜除去電極とに接するように形成された半導体層150と、を有している。
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半導体装置
【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及
びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第1の絶縁膜と
、第1の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第2の絶縁膜と、第2の絶縁
膜上の画素電極とを有し、第1の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第1の
開口部を有し、第2の絶縁膜は第2の開口部を有し、第2の開口部は第1の開口部の内側
に設けられ、画素電極は、第1の開口部及び第2の開口部を介してソース電極及びドレイ
ン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイ
ン電極に接触しない。
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半導体装置及びその作製方法
【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜上に形成される酸化物半導体膜と、当該酸化物半導体膜とゲート絶縁膜を介して重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜に接し、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極とを備えるトランジスタであり、下地絶縁膜は、酸化物半導体膜と一部接する第1の酸化絶縁膜と、当該第1の酸化絶縁膜の周囲に設けられる第2の酸化絶縁膜とを有し、トランジスタのチャネル幅方向と交差する酸化物半導体膜の端部は、第2の酸化絶縁膜上に位置するものである。
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半導体装置
【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。
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