【課題】オン特性、オフ特性及び信頼性に優れた半導体装置、その製造方法及び表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層及び半導体層がこの順に積層された構造と、ソース／ドレイン電極がコンタクト層を介して半導体層に電気的に接続された構造とを有する半導体装置であって、上記半導体層は、コンタクト層側から順に、非晶質相及び結晶質相が混在する低結晶性半導体層と、低結晶性半導体層よりも大きな結晶化率を有する高結晶性半導体層とが積層された構造を有する半導体装置である。 （もっと読む）

応力強化ＭＯＳトランジスタ［３０］ならびにその製造方法が提供される。一実施形態では、方法は、単結晶半導体基板［３８］内に、チャネル領域［６８］を覆い、これを画定するゲート電極［６２］を形成するステップを有する。チャネル領域の近くの単結晶半導体基板内に、チャネル領域に対向する側面［７８，８０］を有するトレンチ［７２，７４］がエッチングにより形成される。トレンチに、第１の濃度の置換型原子を含む第２の単結晶半導体材料［８２，９０］と、第２の濃度の置換型原子を含む第３の単結晶半導体材料［８８，１００］とが埋め込まれる。第３の単結晶材料がトレンチに単独で埋め込まれたと仮定した場合に、第２の濃度の単結晶半導体材料が印加する応力よりも高い応力をチャネル領域［６８］に印加するのに十分な壁厚に、第２の単結晶半導体材料［８２，９０］が側面にエピタキシャル成長される。
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【課題】良好な電気的特性を備える薄膜半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜半導体装置１０は、基板１１と、第１絶縁層（アンダーコート層）１２と、第１導電層１３と、第２絶縁層１４と、半導体層１５と、チャネル領域１６と、ソース領域１７と、ドレイン領域１８と、ゲート絶縁膜１９と、層間絶縁膜２０と、ゲート電極２１と、ソース電極２２と、ドレイン電極２３と、バイアス電極２４と、を備える。バイアス電極２４と第１導電層１３によって半導体層１５の基板側の界面にバイアス電圧を印加することによりオフ電流の低減や閾値電圧などの不安定性を抑止することができ、薄膜半導体装置１０は良好な電気的特性を備える。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にトリベンゾ［ｄｅ，ｈ，ｋｌ］ナフト[１，２，３，４−ｒｓｔ]ペンタフェン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン配線を構成するアルミニウム合金膜と透明電極が直接接続され、該ソース・ドレイン配線とゲート配線の特性が共に良好なものであって、大幅に簡略化されたプロセスで製造することのできる薄膜トランジスタ基板と、該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】ゲート配線とこれに直交配置されたソース配線及びドレイン配線を有する薄膜トランジスタ基板であって、上記ゲート配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成と、上記ソース配線及びドレイン配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成が、同一であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板とこれを備えた表示デバイス。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリックス基板について、液晶配向膜のラビング工程等によって発生する静電気によって基板上に形成されたＴＦＴ等が破壊される事態を有効に回避することのできる構成を提供することを課題とする。
【解決手段】基板（絶縁性基板（１））上に画素電極がマトリックス状に配列形成され、各画素電極に対応して各々画素トランジスタが形成されるとともに、前記画素電極が形成された画素部（１２）の周囲には前記画素トランジスタを制御する周辺回路および端子部が形成されてなる複数のパネル領域（１１）が連続して配置されてなるアクティブマトリックス基板であって、前記パネル領域内の画素部を除く部位の少なくとも一部に絶縁層（第２層間絶縁膜（７））を介して帯電防止用の導電層（共通配線８）が設けられるように構成した。 （もっと読む）

【課題】低い基板温度であっても成膜速度を維持して結晶性のシリコン薄膜を基板上に成膜可能で、これにより基板上への結晶性のシリコン薄膜の直接成膜を産業上において実用化すると共に、このシリコン薄膜を用いることで高性能化が図られた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝１，２，３,…)で表されるシラン系ガスと、ハロゲン化ゲルマニウムガスとを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により、結晶構造を含むシリコン薄膜を基板上に成膜する工程を行う。ハロゲン化ゲルマニウムガスとしては、ＧｅＦ₂、ＧｅＦ₄、およびＧｅＣｌ₄のうちの少なくとも１つを用いる。原料ガスとしてさらにドーパントガスを用いることにより、活性化されたドーパントを含有するシリコン薄膜が成膜される。 （もっと読む）

【課題】高歩留りで信頼性の高い表示装置及びその製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、基板１と、基板１上に形成された多結晶シリコン膜４と多結晶シリコン膜４上に設けられたコンタクトメタル膜５とを有するキャパシタ下部電極２０と、キャパシタ下部電極２０上に形成されたゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６上にキャパシタ下部電極２０と対向する位置に形成されたゲートメタル電極７とを備え、ゲートメタル電極７は、上面視でキャパシタ下部電極２０の内側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ層３上に形成された第１の半導体層４上の一部の領域に無機膜５を形成すると共に、無機膜５を介して相互に対向する領域に電極６及び７を形成する。第１の半導体層４はＡｌＧａＮ層とする。次に、第１の半導体層４上における無機膜５と電極６とに挟まれた領域、及び無機膜５と電極７とに挟まれた領域の各々に、第２の半導体層８を形成する。第２の半導体層８としては、ＭＯＣＶＤ法によりＡｌＧａＮ層を形成する。その後、無機膜５を除去し、凹み９を形成する。次に、絶縁膜１０を形成し、凹み９内に電極１１を形成する。これにより、半導体装置１９が作製される。 （もっと読む）

【課題】 デュアル応力半導体デバイス、及びデュアル引張及び圧縮応力をかけることによってこれを製造する方法を提供すること。
【解決手段】 半導体デバイス（８０、８５）は、曲げ部と、曲げ部に形成されたトレンチ構造部とを有する半導体材料（３５、４０）、及び、トレンチ構造部内に少なくとも部分的に配置されたゲート構造体（４５、５０）を含む。半導体構造体を製造する方法は、層の上にトレンチ構造部を有する半導体材料を形成するステップと、トレンチ構造部内にゲート構造体を少なくとも部分的に形成するステップと、応力がゲート構造体の反転チャネル領域の半導体材料内に誘起されるように、半導体材料を曲げるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ウエットプロセスで成膜する場合に、駆動時よりも基板温度を低温で成膜することにより、よりパッキング密度の高い半導体膜が得られる有機半導体薄膜の製造方法を提供することができた。また、前記製造方法を用いて有機半導体薄膜、有機半導体素子を提供する。
【解決手段】有機半導体材料を含有する溶液を、基板上へ供給して薄膜形成を行う有機半導体薄膜の製造方法において、該有機半導体薄膜の駆動時の温度以下の温度条件下で成膜する工程を有することを特徴とする有機半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】画素電極と直接接続でき、しかも、約２５０℃といった比較的低い熱処理温度を適用した場合でも充分に低い電気抵抗率と優れた耐熱性とを兼ね備えた配線材料を有する薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと透明画素電極を有し、Ａｌ合金膜と酸化物導電膜が、高融点金属を介さずに直接接続しており、その接触界面にＡｌ合金成分の一部または全部が析出もしくは濃化して存在する薄膜トランジスタ基板であって、Ａｌ合金膜は、合金成分として、グループαに属する元素を０．１〜６原子％、およびグループＸに属する元素を０．１〜２．０原子％の範囲で含有するＡｌ−α−Ｘ合金からなり、グループαは、Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇｅの少なくとも一種、グループＸは、Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｔｂ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｄｙの少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジベンゾ［ｆｇ，ｏｐ］ナフタセン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造プロセスにより、量産対象である大型のガラス基板に、信
頼性が高く、集積度の高い高性能半導体装置を得る。
【解決手段】結晶化を促進する微量の触媒元素であるニッケル１０５が導入さ
れたａ−Ｓｉ膜１０３を加熱処理して結晶化された結晶性のケイ素膜１０８の一
部の領域（高濃度不純物領域）１０８ｂに選択的に５族Ｂから選択された不純物
であるリン１１７を導入し、第２の加熱処理を行って、結晶性のケイ素膜１０８
のリン１１７が導入されていない領域（能動領域）１０８ａに含まれるニッケル
１０５を高濃度不純物領域に移動させる。この第２の加熱処理は、能動領域１０
８ａに含まれるニッケル１０５の濃度と高濃度不純物領域１０８ｂに含まれるニ
ッケル１０５の濃度とが少なくとも熱平衡状態の偏析状態に達しないように行う
。 （もっと読む）

【課題】工程数を増加させることなく、オン電流の増加、オフ電流の減少、及び、サブスレッショルド特性の急峻化を図ることができる半導体素子及び表示装置を提供する。
【解決手段】ボトムゲート電極、ボトムゲート絶縁膜、半導体層、トップゲート絶縁膜及びトップゲート電極がこの順に積層された構造を有する半導体素子であって、上記ボトムゲート電極は、遮光性を有し、平面視したときに、トップゲート電極と対向する半導体層中の領域よりも広く、かつ上記領域を覆う半導体素子。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略しても優れたＴＦＴ特性を発揮し得、ソース−ドレイン配線をＴＦＴの半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層３３と、ソース−ドレイン電極２８，２９とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極２８，２９は、窒素を含有する窒素含有層、または窒素及び酸素を含有する酸素窒素含有層２８ａ、２９ａと、純Ｃｕ又はＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂとからなっている。窒素含有層を構成する窒素の一部若しくは全部、または、酸素窒素含有層を構成する窒素または酸素の一部若しくは全部は、薄膜トランジスタの半導体層３３のＳｉと結合している。また、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂは、窒素含有層または酸素窒素含有層２８ａ、２９ａを介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 （もっと読む）

【課題】無線信号から生成できる電流値及び電圧値の範囲内で駆動できるメモリを搭載した半導体装置を提供することを課題とする。また、半導体装置製造後に書き込みをいつでも行える追記型のメモリを提供することも課題とする。
【解決手段】絶縁性を有する基板上にアンテナと、アンチヒューズ型のＲＯＭと、駆動回路とを形成する。アンチヒューズ型のＲＯＭを構成する一対の電極のうち、もう一方の電極も駆動回路を構成するトランジスタのソース電極及びドレイン電極と同じ工程、且つ、同じ材料で形成する。 （もっと読む）

【課題】小さなドレイン電圧でも良好なドレイン電流が流れるＴＦＴ構造を実現した薄膜トランジスタおよびその製造方法を得る。
【解決手段】ガラス基板１０上に形成されたゲート電極１と、ゲート電極１上にゲート絶縁膜１１を介して配置されたａ−Ｓｉ層２と、ａ−Ｓｉ層２上にオーミックコンタクト層１２Ａを介して配置されたソース電極３Ａおよびドレイン電極４Ａと、を有し、ソース電極３Ａとドレイン電極４Ａとの対向部にチャネル領域を形成する薄膜トランジスタであって、オーミックコンタクト層１２Ａは、ａ−Ｓｉ層２の周辺端部の側面を覆うように形成され、ソース電極３Ａおよびドレイン電極４Ａは、オーミックコンタクト層１２Ａを介してａ−Ｓｉ層２のチャネル層２ａが形成される部分に直接接続されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】低コストなＴＦＴ基板の製造方法、及びこれを用いた表示装置の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかるＴＦＴ基板の製造方法は、基板１上にアモルファスシリコン膜４を形成するアモルファスシリコン膜形成工程と、アモルファスシリコン膜４上に屈折率が１．５５以上１．８０以下のシリコン酸窒化膜からなる反射防止膜６を形成する反射防止膜形成工程と、反射防止膜６が形成された基板に反射防止膜６を介してレーザアニールを行ない、アモルファスシリコン膜４を結晶化してポリシリコン膜５を形成するポリシリコン膜形成工程と、ポリシリコン膜５形成後に反射防止膜６を除去する反射防止膜除去工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明による表示装置においては、生産性が高く、表示品位の優れた表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、基板と、基板上に設けられ、半導体層とキャパシタ電極６及びゲート電極１５を含む第１導電層との間に配置されるゲート絶縁膜５と、半導体層、第１導電層、及びゲート絶縁膜５の上層に形成された層間絶縁膜８と、層間絶縁膜８上に形成され、信号線９を含む第２導電層と、層間絶縁膜８及び第２導電層の上に形成された保護膜１０と、保護膜１０の上に形成された画素電極層１２と、を備え、画素電極層１２が、保護膜１０を貫通して第２導電層まで到達し、かつ保護膜１０、層間絶縁膜８、及びゲート絶縁膜５を貫通して半導体層まで到達することによって、半導体層と第２導電層とが画素電極層１２を介して接続されている。 （もっと読む）