少なくとも１つのアルキル基と少なくとも１つのアリール基すなわち芳香族基を含む少なくとも１種のシリコン系材料、少なくとも１種の触媒、および少なくとも１種の溶媒を含む架橋可能な組成物が開示されている。ａ）デバイス内の表面；ならびにｂ）少なくとも１種のシリコン系材料、少なくとも１種の触媒、および少なくとも１種の溶媒から作製される、少なくとも１種の充分に光透過性の架橋フィルム；を含むオプトエレクトロニクスデバイスが開示されている。ａ）デバイス内の表面（１２０）；ならびにｂ）少なくとも１種のシリコン系材料、少なくとも１種の架橋剤、および少なくとも１種の溶媒を含む、少なくとも１種の光透過性の架橋可能な組成物（１４０）；を含むオプトエレクトロニクスデバイスも開示されている。ａ）表面（１２０）を供給すること；ｂ）少なくとも１種の充分に光透過性の架橋可能な組成物（１４０）を供給すること、ここで前記組成物は、少なくとも１種のシリコン系材料と少なくとも１種の触媒を含む；ｃ）前記表面に前記架橋可能な組成物を施すこと；およびｄ）充分に光透過性の架橋組成物が形成されるように前記架橋可能な組成物を硬化させること；を含む、オプトエレクトロニクスデバイス（１０５）の製造方法も開示されている。ポリフェニルシルセスキオキサン、ポリフェニルシロキサン、もしくはこれらの組み合わせ物；硝酸テトラメチルアンモニウム；少なくとも１種の溶媒、およびアミノプロピルトリエトキシシラン系の化合物；を含む架橋可能な組成物も開示されている。 （もっと読む）

【課題】電子の移動を妨げない面方位を有する結晶の生成を制御することができる結晶性半導体膜の作製方法を提供する。また、正孔の移動を妨げない面方位を有する結晶との生成を制御することができる結晶性半導体膜の作製方法を提供する。また、面方位｛００１｝の結晶で形成したｎ型の薄膜トランジスタと、面方位｛２１１｝または｛１０１｝の結晶で形成したｐ型の薄膜トランジスタとを有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】縁性基板上に形成した半導体膜上面にキャップ膜を形成し、半導体膜を膜厚方向に完全溶融することが可能なレーザビームを半導体膜に照射し、半導体膜を完全溶融させ結晶の面方位が制御された結晶性半導体膜を形成する。また、面方位｛００１｝の結晶領域を用いてｎチャネル型の薄膜トランジスタと、面方位｛２１１｝または面方位｛１０１｝の結晶領域を用いてｐチャネル型の薄膜トランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】 基板の歪を生ずることなく、不純物領域の不純物の活性化率を向上させ、優れた特性の薄膜半導体装置を製造することを可能とする薄膜半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 絶縁性基板上に非単結晶半導体層を形成する工程と、前記非単結晶半導体層にレーザー光を照射して結晶化領域を形成する工程と、前記結晶化領域上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する工程と、前記結晶化領域の所定の位置の上層部を非結晶化するプリアモルファス化工程と、前記結晶化領域の所定の位置に不純物をドーピングする工程と、熱処理により前記結晶化領域の所定の位置にソース領域及びドレイン領域を形成する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 歩留まり良く、大結晶粒アレイ半導体薄膜を作製できる結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、レーザ結晶化用基板、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。
【解決手段】 基板に非単結晶半導体膜を形成する工程と、前記非単結晶半導体膜上に結晶化用レーザ光の一部を吸収する光吸収性膜を形成する工程と、前記光吸収性膜の表面において、連続する周期的な光強度分布を形成する前記結晶化用レーザ光を照射する工程と、を有する結晶化方法であって、前記光吸収性膜の前記結晶化用レーザ光の吸収率をＡcap、前記非単結晶半導体膜の前記結晶化用レーザ光の吸収率をＡsi、前記吸収率Ａcapと前記吸収率Ａsiとで定義される光吸収比率をｒ＝Ａcap/(Ａcap＋Ａsi)としたときに、前記光吸収比率ｒを所望する結晶粒長を得る値に選択した光吸収性膜にする。 （もっと読む）

【課題】 二回照射法の２回目照射において光強度分布の最低強度と半導体膜の溶融強度との関係を高精度に制御して、２回目照射を良好に且つ安定的に行う結晶化方法。
【解決手段】 所定の光強度分布の光を非単結晶半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する本発明の結晶化方法は、第１方向に沿って強度勾配を有する光強度勾配分布の光を非単結晶半導体膜に照射する１回目照射工程と、第１方向とほぼ直交する第２方向に沿って光強度がＶ字状に一次元的に変化するＶ字型光強度分布（５１）と、このＶ字型光強度分布の底部において第２方向に沿って光強度がディップ状に一次元的に変化するディップ型光強度分布（５２）との合成分布の光を、非単結晶半導体膜に照射する２回目照射工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗の低減を図る。
【解決手段】基板上に、導電層４０２と、透明電極９ａと、前記導電層と透明電極との間に形成される層間絶縁膜４４と、前記導電層と前記透明電極とをコンタクト部において電気的に接続するために前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホール８９と、少なくとも前記コンタクト部において、前記導電層と前記透明電極との間に設けられる酸化チタン膜１７と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚を厚くすることなく、電気リークのない高品質なシリコン酸化膜をポリシリコン膜に形成することができる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】スイッチング素子としてのＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとして島状に形成されたポリシリコン膜に、抵抗加熱式のヒータを熱源とする枚葉式の半導体製造装置を用い、ポリシリコン膜の表面に酸化反応時に発生する膜応力を解放する温度条件で加熱を行ってシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２を形成する。これにより、膜厚を厚くすることなく、電気リークのない高品質なゲート絶縁膜２（シリコン酸化膜）を半導体層１ａ（ポリシリコン膜）の表面に形成することができる。すなわち、酸化反応時の膜応力の集中を熱エネルギーによって解放することにより、ポリシリコン膜のコーナ部を丸め処理することができ、ポリシリコン膜の表面に突起が発生することを防止できる。
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【課題】作製工程が簡略化され、容量素子の面積が縮小化されたメモリ素子を有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に第１の半導体膜と、第２の半導体膜を形成し、第１の半導体膜及び第２の半導体膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、第１の半導体膜及び第２の半導体膜上に、第１の絶縁膜を介してそれぞれ第１の導電膜及び第２の導電膜を形成し、第１の導電膜を覆って第２の絶縁膜を形成し、第１の半導体膜上に設けられた第１の導電膜上に第２の絶縁膜を介して第３の導電膜を選択的に形成し、第１の半導体膜に第３の導電膜をマスクとして不純物元素を導入し、第２の半導体膜に第２の導電膜を通して不純物元素を導入する。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどのアモルファス薄膜を効率的に、かつ良質に結晶化させる。
【解決手段】アモルファス薄膜（ａ−シリコン薄膜２）を結晶化させる際に、結晶化を助長する触媒が含まれる環境下（溶液塗布層３）に該アモルファス薄膜を置いて該アモルファス薄膜に、レーザ光源２０から照射されたレーザ光２１を照射して、前記環境から得られる触媒を前記アモルファス薄膜中に導入する。その後、固相結晶化することにより微細に制御された触媒により良好かつ効率よく結晶化がなされる。必要最低量で導入された触媒は、その後、除去処理を不要にすることもでき、触媒を無駄なく使用できる。レーザ光２１は、スポット状にして、面積、位置を微細に制御することで触媒の導入位置等を微細に制御できる。 （もっと読む）

【課題】大粒径の結晶粒が広域にわたって形成された半導体薄膜を提供する。
【解決手段】非晶質シリコン１０に、複数の凹パターン１１ａを含むビームパターン１１を、第１のスキャン方向１２にスキャン照射する（第１の結晶化工程）。次に、第１のスキャン方向１２と９０°異なる第２のスキャン方向１５にビームパターン１６をスキャン照射する（第２の結晶化工程）。その結果、第１の結晶化工程で形成された帯状結晶粒１３を種にして、第２のスキャン方向１５に結晶粒径が拡大する。すなわち、粒径が拡大した新たな帯状結晶粒１７が得られる。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコン膜における表面凹凸の形成を抑制し、ＭＯＳ型半導体素子の動作速度を向上する。
【解決手段】 シリコン膜（アモルファスシリコン膜）３上に光透過性の絶縁膜４を介してシリコン膜５を形成し、これらシリコン膜５及び絶縁膜４をキャップ膜としてＹＡＧレーザの高調波をシリコン膜３に照射し、多結晶化する。これをＭＯＳ型半導体素子のチャネルとして用いる。キャップ膜として用いた絶縁膜４をそのままゲート絶縁膜として用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】被照射流域全体に隙間なく照射できるとともに、重なり部の発生を最小限に抑えて剥離欠陥を防止することのできる薄膜層の剥離方法、薄膜デバイスの転写方法を提供する。
【解決手段】基板１００上に分離層１２０を介して存在する被転写層１４０を基板１００から剥離する被転写層１４０の剥離方法であって、分離層１２０にレーザー光を複数回照射して分離層１２０の内部および／または界面において剥離を生じさせ、被転写層１４０を基板１００から離脱させる際、レーザー光による単位照射領域が略正六角形である。 （もっと読む）

【課題】開口率と保持容量の両立を図る。
【解決手段】 第１の基板の内面に、第１の方向に延在し互いに並設された複数のゲート線および前記ゲート線と交差する第２の方向に延在し互いに並設された複数のドレイン線と、前記ゲート線とドレイン線の交差部に設けられた複数のスイッチング素子と、前記アクティブ素子で駆動される画素電極を少なくとも有する画像表示装置であって、前記第１の基板の画素領域に前記ゲート線、ドレイン線、スイッチング素子、および画素電極を形成する電極形成層と、前記第１の基板側との間に当該電極形成層に対して第１の絶縁層で絶縁した基準電極層を有し、前記基準電極層はほぼ画素領域全面に形成され、複数の画素で共有される。 （もっと読む）

【課題】優れたトランジスタ特性を得ると共に、リークの発生を低減する。
【解決手段】 基板上に、半導体層を形成する工程と、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクに前記チャネル領域及びゲート電極形成領域に対応した開口を形成する工程と、前記ハードマスクの開口を介してソース領域又はドレイン領域とは逆導電型の不純物を前記半導体層に導入してチャネル領域を形成する工程と、前記ハードマスクの開口領域にゲート電極を形成する工程と、前記チャネル領域の両側の前記半導体層に、不純物を導入してソース領域及びドレイン領域を形成する工程とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

渦巻き状(curled)半導体トランジスタが多数の同心状の渦巻き(curled)層を有する渦巻き状（coiled）半導体基板から構成される。ソース領域及びドレイン領域が前記渦巻き状半導体基板の一部に形成され、かつ、ゲート誘電体が前記ソース領域とドレイン領域の間に配置される。第１のセットの金属性コンタクトが前記渦巻き状半導体基板上の前記ソース領域に電気的に結合され、かつ、第２のセットの金属性コンタクトが前記渦巻き状半導体基板上の前記ドレイン領域に電気的に結合される。
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【課題】液晶装置等の電気光学装置において、ダミー画素部のトランジスタの誤動作を防止しつつ、表示画像の縁付近においても高品位の画像を表示する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０上における複数の画素が配列されてなる画像表示領域１０ａに、画素毎に設けられており、画素電極９ａをスイッチング制御するＴＦＴ３０ａを含む画素部と、画像表示領域１０ａの周囲を占めるダミー画素領域１０ｄに、画素を模擬するダミー画素毎に設けられており、ＴＦＴ３０ａを模擬するダミーＴＦＴ３０ｄ及び該ダミーＴＦＴ３０ｄが有する半導体層１ａのうち少なくともチャネル領域１ａ'を遮光する二層以上の遮光膜１１ａ、１１ｂ、７１、３００又は３００ｂを含むダミー画素部とを備えており、二層以上の遮光膜１１ａ、１１ｂ、７１、３００又は３００ｂは夫々、ダミー画素部の開口領域９９ｄのうち少なくとも一部を覆うように形成される。 （もっと読む）

【課題】品質の高い多結晶シリコン薄膜を形成でき、かつ、結晶化のためのアニール処理時間を短縮できる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファス膜を堆積させる工程と、金属を該アモルファス膜に配設する工程と、該金属とアモルファス膜をアニール処理する工程とを含み、アモルファス膜を結晶化して薄膜トランジスタのチャンネル部分を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、アニール処理は５００℃以上でガラス劣化温度以下の温度を上限温度としてパルス的に加熱する。また、パルス回数とグレインサイズの間には相関を利用して、パルス回数により、グレインサイズを制御して結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】非感光性のシロキサン樹脂を用いて、ウェットエッチング法で所望の形状に形成された絶縁膜を形成することができる、絶縁膜の作製方法を提供する。
【解決手段】有機溶媒中にシロキサン樹脂またはシロキサン系材料を有する懸濁液を用いて薄膜を形成し、薄膜に第１の加熱処理を施し、第１の加熱処理後の薄膜上にマスクを形成し、有機溶媒を用いてウェットエッチングすることで、第１の加熱処理後の薄膜の形状を加工し、加工された薄膜に第２の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】４００℃よりも低温のプロセスで薄膜を改質する。
【解決手段】ＣＶＤ工程を経た基板の薄膜をアニール処理炉２にて前記基板の薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質する。前記薄膜の欠陥サイトでの紫外光の吸収による局所加熱を利用する。前記紫外光を照射する光源６はパルスレーザーまたは連続波レーザーである。前記薄膜の改質の際には紫外波長域以外の可視光域の光を発する光源の照射光が前記薄膜に供されるようにしてもよい。前記紫外光を照射する光源６は２１０ｎｍより長波長の光を照射する。ボンベ３からは酸化性ガスが、ボンベ４からは還元性ガスが、ボンベ５からは不活性ガスが個別に供される雰囲気のもと前記薄膜を薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質する。前記酸化性ガスとしてオゾンガスが供される。前記還元性ガスとして希釈水素ガスが供される。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体膜を、歩留まり良く、レーザ光の照射で結晶化する。
【解決手段】絶縁膜、半導体膜、絶縁膜、および半導体膜の順で、基板上に膜を積層する。基板の上方からレーザ光を照射下層および上層の半導体膜を溶融させて、下層の半導体膜を結晶化させる。レーザ光の照射により、上層の半導体膜が液相状態になることで、レーザ光が反射されるため、レーザ光によって下層の半導体膜に過剰に加熱されることを防ぐことができる。また、上層の半導体膜も溶融することで、下層の半導体膜の溶融時間を延ばすことができる。 （もっと読む）