【課題】表示画素（画素駆動回路）の駆動時に生じる電圧変化に起因する書込電流（指定電流）と発光駆動電流（出力電流）の差異を抑制して、表示データに応じた適切な輝度階調で発光素子を発光動作させることができる画素駆動回路及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】画素駆動回路ＤＣは、発光駆動用のスイッチング手段としてのダブルゲート型トランジスタＴｒ１３と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが直列に接続され、当該ダブルゲート型トランジスタＴｒ１３は、ボトムゲート端子ＢＧが制御電圧が印加される接点Ｎ１１に、ドレイン端子Ｄが電源電圧ラインＶＬに、トップゲート端子ＴＧ及びソース端子Ｓが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子が接続された接点Ｎ１２に各々接続されている。 （もっと読む）

【課題】 基板上の有機材料層に対する影響を抑制または防止しつつ、当該基板上に別の材料層の微細パターンを形成することができる有機材料装置の製造方法を提供すること
【解決手段】 この有機半導体装置は、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、有機材料層４と、電極５，６とを備えている。作製にあたり、有機材料層４上に犠牲層８が形成され、その犠牲層８の上にフォトレジスト９が形成される。その後、所定のパターンで露光され、露光された部分のフォトレジスト９がアルカリ現像液によって溶解させられる。次いで、全面が露光され、電極５，６が形成された後、アルカリ現像液によって、フォトレジスト９と共に電極５，６の不要部分がリフトオフされることにより、電極５，６がパターン化される。 （もっと読む）

【課題】アモルファス酸化物膜をチャネル層に適用した薄膜トランジスタの閾値電圧を制御する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】複数種類の電界効果型トランジスタを備えた半導体装置であって、各電界効果型トランジスタのチャネル層１１ａ及び１１ｂは、複数種類の金属元素を含有したアモルファス酸化物からなり、アモルファス酸化物の元素組成比が異なることで、電界効果型トランジスタの閾値電圧が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機半導体層を高精度で簡易的にパターニングすることが可能であり、有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子を高い生産性で製造可能な有機半導体素子の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板を用い、上記基板上に有機半導体材料からなる有機半導体層を形成する、有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上に、真空紫外光に対する遮光性を有するゲート絶縁層をパターン状に形成する、ゲート絶縁層形成工程と、真空紫外光を上記ゲート絶縁層および上記有機半導体層上に照射することにより、上記ゲート絶縁層が形成されていない部位の有機半導体層をエッチングする有機半導体層パターニング工程と、を含む有機半導体トランジスタ形成工程を有することを特徴とする、有機半導体素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクやレジストを使用することなく、簡単な工程で開口部を形成する方法を提示する。また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板上に複数の光吸収層を形成し、当該複数の光吸収層上に層間絶縁層を形成し、層間絶縁層側から複数の光吸収層に線状または矩形状のレーザビームを照射して、少なくとも複数の光吸収層上の層間絶縁膜を除去して開口部を形成することにより、複数の光吸収層及び当該複数の光吸収層上に形成される絶縁層を除去して、複数の開口部を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブをチャネル部とする電界効果型トランジスタの単位ゲート幅あたりの電流量を増加し高速動作を可能とするため、一組の突起パターンの頂部にある、触媒機能金属領域の間で、効果的の多数のカーボンナノチューブを架橋形成する。
【解決手段】基板上に第１の絶縁層とその上にオーバーハング構造を有する第２の絶縁層とその上に触媒機能金属層とが積層された、所定の間隔をもって２列の突起パターンが形成され、その２列の突起パターンの触媒機能金属層のパターン領域間で、カーボンナノチューブの架橋成長を行う。オーバーハング部の存在により、一方の触媒機能金属層のパターン領域から成長を開始したカーボンナノチューブが、下層の絶縁層や基板との接触するのを大幅に防ぐことが可能となり、架橋を効果的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、移動度が向上し、コンタクト抵抗が低減された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１１上にゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、ソース・ドレイン電極１４および有機半導体１５がこの順に積層された半導体装置において、有機半導体層１５は、第１の層１５ａと第１の層１５ａよりもグレインサイズの小さい第２の層１５ｂとを備えており、第１の層１５ａがゲート絶縁膜１３側に配置されていることを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】簡便な塗布プロセスによって製造でき、トランジスタとしての特性が良好であり、更に空気中の酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されることを特徴とする有機半導体材料。
【化１】
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【課題】薄膜中に高秩序相を有し、電気的特性に優れた有機薄膜を簡便で、安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】導電性高分子を含む有機薄膜の製造方法において、該導電性高分子を含むゲル体を基板に塗布する工程を含むことを特徴とする上記方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機トランジスタが用いられた有機半導体素子であって、性能の経時安定性に優れた有機半導体素子を製造することが可能な、有機半導体素子用基板および有機トランジスタ付基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された透明電極と、上記透明電極上に形成され、開口部を有する枠状の有機トランジスタ保護用隔壁部とを有することを特徴とする有機半導体素子用基板を提供することにより上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程の回数を削減・簡略化する製造技術を提供し、スループットを向上させる。
【解決手段】導電層、半導体層等の被加工層をパターン形成するためのエッチングマスクを、フォトレジストを用いたリソグラフィー技術を用いることなく作製する。エッチングマスクは、光吸収層と絶縁層の積層構造からなり、フォトマスクを介したレーザビームの照射によるレーザアブレーションを利用して形成する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で特性の良い有機薄膜トランジスタの製造方法及びこれにより製造される有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板と第１の有機半導体層を有し、両者の間に基板より第１の有機半導体層に対する加熱、押圧後の接着力が小さい剥離層を有する第１部材、及び、基板上に絶縁膜及びソース電極とドレイン電極が設けられ、絶縁膜がある面を第１の面とする第２部材を準備し、第１の面で有機半導体層が形成される第１の領域、又は、有機半導体層となる様に提供される第１の有機半導体層の部分の表面の何れかに、剥離層と剥離層の上に接して有する層との接着力より小さい第１の面と第１の有機半導体層との接着力を加熱、押圧により大きくする自己組織化膜を形成し、第１部材と第２部材を重ね合わせ、第１部材と第２部材とを加熱、押圧し、第１部材と前記第２部材を分離する。 （もっと読む）

【課題】無機半導体デバイスに比べて簡便なプロセスで素子を作製することが可能であり、かつ長時間安定したトランジスタ特性を示す有機トランジスタを提供する。
【解決手段】下記一般式で表される化合物を含有する有機トランジスタ。
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【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上に選択的に光吸収層を形成し、絶縁表面上及び光吸収層上に絶縁層を形成し、絶縁表面、光吸収層及び絶縁層にレーザ光を照射し、絶縁層のレーザ光照射領域において光吸収層上の絶縁層のみを選択的に除去し絶縁層に光吸収層に達する開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】粘度の低いインクを用いても滲みのない良好なインクパターンを形成することができるスクリーン印刷方法を提供する。
【解決手段】被印刷体の上にスクリーンマスクを介して配置したスキージをインクと接した状態で移動させて前記被印刷体の上に前記スクリーンマスクに設けられた印刷パターンに応じたインクパターンを形成するスクリーン印刷方法において、前記スキージを移動させて前記インクパターンを形成する工程に先だって、前記スクリーンマスクを介して、前記被印刷体に親インク処理する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程の回数を削減・簡略化する製造技術を提供し、スループットを向上させる。
【解決手段】導電層、半導体層等の被加工層をパターン形成するためのエッチングマスクを、フォトレジストを用いたリソグラフィー技術を用いることなく作製する。エッチングマスクは、レーザビームを吸収する材料からなる光吸収層からなる。光吸収層に、フォトマスクを介して、レーザビームを照射し、光吸収層に吸収されたレーザビームのエネルギーによるレーザアブレーションを利用して、マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】トンネル電界効果トランジスタ（ＴＦＥＴ）は、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の後継者と考えられるが、シリコンベースのＴＦＥＴは一般に低いオン電流、トンネルバリアの大きな抵抗に関する欠点を有する。
【解決手段】より高いオン電流を達成するために、他のシリコン（Ｓｉ）チャネル中にゲルマニウム（Ｇｅ）トンネルバリアを備えたナノワイヤベースのＴＦＥＴが用いられる。ナノワイヤは、シリコンとゲルマニウムの間の格子不整合が、高い欠陥のある界面とならないように導入される。従来のＭＯＳＦＥＴ構造に比較して、静的電力の低減と共に動的電力の低減が得られる。これにより、多層ロジックは、ナノワイヤＳｉ／ＧｅＴＦＥＴを用いることで、非常に高いオンチップトランジスタ密度となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は格別の工程の増加を伴うことなく、トランジスタの性能を飛躍的に改良するとともに小型化・高集積化した薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】 基板上に形成された絶縁膜の側壁又は基板段差部の側壁を覆う絶縁膜に接して形成された半導体結晶化薄膜をチャネルの一部とすることを特徴とする薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタ中の有機薄膜の移動度を向上させる特定の成長方向の結晶からなるチャンネル領域を構成する有機薄膜を備えた有機ＴＦＴ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に形成されたソース電極ならびにドレイン電極と、前記ソース電極とドレイン電極が互いに対向する側の基板上に形成されたチャネル領域を構成する第一の有機薄膜と、前記第一の有機薄膜にゲート絶縁膜を介して接し、かつ前記ソース電極とドレイン電極間に位置するゲート電極とを有し、前記第一の有機薄膜が、前記ソース電極からドレイン電極に向かう方向に沿った断面において、前記ソース電極とドレイン電極との中心に向かって互いに対向する成長方向の結晶からなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

複数の機能層と複数の剥離層とを有する多層構造を提供し、一以上の剥離層を分離することによって機能層を多層構造から剥離して、複数の転写可能な構造を生成することによって、デバイス又はデバイスコンポーネントを作成する方法を提供する。転写可能な構造は、デバイス基板又はデバイス基板に支持されたデバイスコンポーネント上に印刷される。この方法及びシステムは、高品質及び低コストの光起電力デバイス、転写可能な半導体構造、（光）電子デバイス及びデバイスコンポーネントを作成する手段を提供する。 （もっと読む）