トランジスタのチャネル長を規定する長さＬによって分離される電子注入電極及び正孔注入電極と接触する有機半導体層を備え、発光元の有機半導体層の領域は、電子注入電極及び正孔注入電極の両方からＬ／１０より離れている両極性発光トランジスタ。
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有機強誘電体高分子と有機両極性半導体との組み合わせを備える不揮発性強誘電体メモリデバイスが提案されている。本発明に係るデバイスは、高分子に適合し、また、高分子の利点、即ち、溶液処理、低コスト、低温層堆積及びフレキシブル基板との適合性を十分に活用している。
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本発明は、ヘテロ構造を有した電界効果トランジスタに関する。当該ヘテロ構造では、キャリア材料上に歪み単結晶半導体層（４）が形成されている。当該キャリア材料は、最上層として、第１の半導体材料（Ｓｉ）からなる緩和単結晶半導体層（３）を備えている。上記緩和単結晶半導体層は半導体合金（Ｇｅ_ｘＳｉ_１−ｘ）を含んでいて、第２の半導体材料の比率ｘは自由に設定できる。さらに、上記歪み半導体層（４）上に、ゲート絶縁層（５）およびゲート層（６）が形成される。この場合、非ドープチャネル領域（Ｋ）を構成するために、少なくとも歪み半導体層（４）において、ドレイン／ソース領域（Ｄ、Ｓ）が上記ゲート層に対して横向きに形成される。Ｇｅ比率ｘを自由に設定できる可能性によって、閾値電圧を任意に設定でき、これによって最新の論理半導体部品を実現することができる。
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熱可塑性半導体材料を含む層及び、該層に接合する金属微粒子を含む層を形成して、押圧後加熱するか押圧と加熱を同時に行い、半導体層、ソース電極、ドレイン電極とする有機薄膜トランジスタの製造方法、および、支持体シート上に、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結された複数の有機薄膜トランジスタが形成され、該薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極が、当該電極を構成する金属相の少なくとも１部が熱可塑性半導体材料を含む半導体層に混入して、該半導体層に接合することを特徴とする有機薄膜トランジスタシート。 （もっと読む）

【課題】 増幅回路を用いなくても１Ｍｂｉｔ／ｓ以上の乱数生成レートが可能となるような物理現象中のランダムノイズを利用した乱数生成素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体表面との間で非常に薄いトンネル絶縁膜を介して電子の充放電が可能な導電性微粒子をチャネル上に設け、チャネル幅Ｗを狭く、かつ導電性微粒子の面密度Ｄdotを多く、かつチャネル〜導電性微粒子間のトンネル抵抗を小さくする。例えば、膜厚０．８ｎｍのシリコン窒化膜をトンネル絶縁膜とするバルク基盤上の素子の場合、チャネル幅Ｗ＝０．１μｍ、平均粒径ｄ＝８ｎｍ程度のＳｉ微結晶粒子群を１．７×１０^１２ｃｍ^−２程度の面密度で形成すると、１ＭＨｚのノイズ成分を０．１％にできる。 （もっと読む）

半導体フィルムは、前記物質のＴｇより低い混合物のＴｇを与える、半導体材料（ポリマーＰＩ）および物質（可塑剤化合物１９）の混合物で基板表面を被覆し、前記物質を架橋することにより基板上に形成する。多層電子デバイスは架橋された半導体フィルムをこの方法により基板上に形成し、第２のフィルムの形成物質の溶液または懸濁液の堆積により前記フィルム上に層を形成する、架橋された半導体フィルムは実質的に第２のフィルムの形成に用いる溶媒または分散剤に不溶である、ことにより製造することができる。本発明は、例えば電界効果トランジスタ、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機太陽電池および有機レーザーを作製するのに用いることができる。 （もっと読む）

マスクなし中規模材料デポジション（Maskless Mesoscale Material Deposition, M³D^TM）処理のための方法および装置が開示され、これはエアロゾルを作るのに好ましくは超音波トランスデューサまたは圧縮空気噴霧器（２２）を用い、このエアロゾルは流入口（２０）を経由してフローヘッド（１２）に入り、その際に随意的に、ガス量を低減するため事実上のインパクタ（２４）ならびに溶剤を除去するまたは粘度を調整するためヒータアセンブリ（１８）の両方を、あるいはそのいずれかを経由するようにしてもよい。機械的シャッター（２８）のついた材料シャッターアセンブリ（２６）が好ましくはフローヘッドの出口についており、鞘状のガスが流入口（１８）を通って入り、エアロゾルがフローヘッドから出る前にそれを囲む。熱に弱いターゲットの上のエアロゾルデポジット材料は好ましくはレーザモジュール（１０）からのビームで処理し、これによってそのターゲットを損傷閾値以上に加熱することなく、たとえば化学分解、焼結、重合などにより希望の状態を得るためにデポジットした材料を加熱する。１ミクロンの線幅の形状をデポジットすることができる。 （もっと読む）

ソース／ドレイン領域の少なくともその幅が最も大きい部分では半導体領域の幅よりも大きく、かつソース／ドレイン領域の最上部側から基体側に向かって連続的に幅が大きくなっている傾斜部を有し、該傾斜部表面にシリサイド膜が形成されていることを特徴とする半導体装置とする。
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【課題】 ＭＯＤＦＥＴデバイス構造体の製作における横及び垂直方向の縮小に伴う困難を克服するＭＯＤＦＥＴデバイス構造体の縮小技術を提供する。
【解決手段】 シリコン及びシリコンゲルマニウム・ベースの半導体ＭＯＤＦＥＴトランジスタ・デバイスの設計と製造方法が示される。ＭＯＤＦＥＴの設計は、ＲＦ、マイクロ波、サブミリ波及びミリ波を含むさまざまな通信用途のための、超高速、低ノイズの性能を持った、成長型エピタキシャル電界効果トランジスタ構造を有する。エピタキシャル電界効果トランジスタ構造は、大幅に改善されたＲＦ性能の達成を可能にする、極薄ＳＯＩ又はＳＧＯＩ基板上に最適な変調ドープ・ヘテロ構造を形成するシリコン及びシリコンゲルマニウム層を組込んだ高移動度ひずみｎ−チャネル及びｐ−チャネル・トランジスタのための、極限的な（垂直及び横方向の）デバイス小型化及び層構造設計を含む。 （もっと読む）

分離構造を有する半導体デバイス（１０）を形成するための方法が漏れ電流を低減する。チャネル分離構造（３２、３０、３４）がチャネル構造の中の漏れ電流を低減する。さらに、電流電極領域の下に電流電極誘電体分離構造（３６）が形成され、電流電極（４０）間の漏れを防ぐ。
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活性材料として、式(I)または(II)で表される共役オリゴマー性またはポリマー性2,7-カルバゾレンビニレン誘導体を含む、有機電界効果トランジスタ(OFET)、有機発光ダイオード(OLED)および有機太陽電池(OPC)。かかる有機電界効果トランジスタ(OFET)、有機発光ダイオード(OLED)および有機太陽電池(OPC)は改善されたデバイス特性およびデバイス効率を有する。

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基体平面に対して突出した半導体凸部と、この半導体凸部を跨ぐようにその上面から相対する両側面上に延在するゲート電極と、このゲート電極と前記半導体凸部の間に介在する絶縁膜と、ソース／ドレイン領域とを有するＭＩＳ型電界効果トランジスタを備えた半導体装置であって、１つのチップ内に、前記ＭＩＳ型電界効果トランジスタとして、ゲート電極下の前記半導体凸部における基板平面に平行かつチャネル長方向に垂直な方向の幅Ｗが互いに異なる複数種のトランジスタを有する半導体装置。 （もっと読む）

基材と、誘電体材料の転写層とを含んでなる熱的に画像形成可能なドナー素子を熱に曝す工程を含んでなる、熱転写プロセスによって充填誘電体材料のパターンを基材上に形成する方法を開示する。照射パターンは、誘電体材料層の部分が、電子デバイスが形成されている基材上に転写されるように、基材上に形成すべき所望のパターンの画像である。充填誘電体材料は、薄膜トランジスタのゲート電極上にパターン化することができる。パターン誘電体材料は、また、相互接続のための絶縁層を形成してもよい。このプロセスでの使用のためのドナー素子も開示する。熱転写プロセスでの使用のための薄膜トランジスタおよびドナー素子を形成するための方法も開示する。
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チャネル上にたい積されるゲート材料層（３２０）をプレーナ化するステップを含む、ＭＯＳＦＥＴ型の半導体デバイスを製造する方法である。このプレーナ化は、第１の”荒い”プレーナ化と、その後の”緻密な”プレーナ化を含んだ複数のステッププロセスで実行される。より緻密なプレーナ化で使用されるスラリーは、ゲート材料の低い領域に付着し易い付加材料を含んでいてもよい。
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本発明は、薄膜電子部品の製造方法およびこの方法を実施する装置に関する。また、本発明は、この方法に従って製造された薄膜電子部品に関する。まず、実質的に誘電性を有する基板上に、導電性材料から成るガルヴァニックに均一な最下段の導電層が形成され、この最下段の導電層から導電領域がガルヴァニックに相互に分離して、電極パターンが形成される。この電極パターン上には、薄膜部品に必要とされる上部の不活性層または活性層を１層または数層形成することが可能である。本発明によれば、この最下段の導電層が分離することによる電極パターンの形成は、ダイカットエンボス加工に基づく切断作業を最下段の導電層に行うことによる。すなわち、切断作業に使用する切断部材の浮彫りが、基板上に永久変形が生じさせ、同時に、導電層から、ガルヴァニックに相互に分離した導電領域に至る領域をエンボス加工する。本発明は、ロールツーロール方式における薄膜部品の製造に適している。

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（ｉ）ポリマーまたはオリゴマーおよび架橋部分を含む溶液を基板上に成膜して層を形成する工程、および（ｉｉ）不溶性架橋化ポリマーを形成する条件下で工程（ｉ）で形成された層を硬化する工程を備え、架橋部分が溶液中のポリマーまたはオリゴマーおよび架橋部分の繰返し単位のモル総数に対して０．０５から５モル％の範囲の量で工程（ｉ）に存在することを特徴とする、ポリマーデバイスを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】特殊な技術を要せず、簡単な製造方法でキャリア移動度が高い有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層に重量平均分子量２０００以上のπ共役系ポリマー及び分子量２０００以下のπ共役系オリゴマーを含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 電気特性の優れた多結晶ＴＦＴを提供する。
【解決手段】多結晶膜３を堆積させる工程、堆積した多結晶膜のうち所望の位置４のみを残すようにエッチングする工程、残された部分的な多結晶膜の中で所望の結晶方位の結晶粒５だけを、しかも所望の結晶面（ファセット）６を出した状態になるように異方性エッチングする工程、さらに、こうして得られた結晶核の上に膜を堆積し結晶化させる工程を用いる。 （もっと読む）