半導体フィルムは、前記物質のＴｇより低い混合物のＴｇを与える、半導体材料（ポリマーＰＩ）および物質（可塑剤化合物１９）の混合物で基板表面を被覆し、前記物質を架橋することにより基板上に形成する。多層電子デバイスは架橋された半導体フィルムをこの方法により基板上に形成し、第２のフィルムの形成物質の溶液または懸濁液の堆積により前記フィルム上に層を形成する、架橋された半導体フィルムは実質的に第２のフィルムの形成に用いる溶媒または分散剤に不溶である、ことにより製造することができる。本発明は、例えば電界効果トランジスタ、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機太陽電池および有機レーザーを作製するのに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶学的に完璧に近く、薄いフィンの固有の構造的な弱さを克服した側壁表面を有する極めて薄いフィンを有するフィン型ＦＥＴを製造する方法を提供する。
【解決手段】 フィン型ＦＥＴ構造体およびフィン型ＦＥＴデバイスを形成する方法。この方法は、（ａ）半導体基板（１００）を設けるステップと、（ｂ）基板（１００）の上面（１０５）上に誘電体層（１１０）を形成するステップと、（ｃ）誘電体層（１１０）の上面（１１５）上にシリコン・フィン（１３５）を形成するステップと、（ｄ）フィン（１３５）の少なくとも１つの側壁（１５０Ａ）上に保護層（１６０）を形成するステップと、（ｅ）フィン（１３５）のチャネル領域（１７５）において、少なくとも１つの側壁（１５０Ａ）から保護層（１６０）を除去するステップと、を含む。第２の実施形態では、保護層（１６０）は、保護スペーサ（２１０Ａ）に変換される。 （もっと読む）

金属絶縁体相転移高速スイッチングトランジスタ及びその製造方法を提供する。金属絶縁体相転移高速スイッチングトランジスタは、シリコン基板上のゲート電極（バックゲート構造）と、電場の変化により絶縁体相から金属相に又はその逆に変化するＶＯ_２の金属絶縁体相転移チャネル層とを備える。この製造方法により、高い電流利得特性を有し、熱的に安定した金属絶縁体相転移スイッチングトランジスタを作製することができる。

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【課題】ＳＯＩ技術を用いた部分空乏型ＣＭＯＳデバイスにおける浮遊ボディの不必要な影響を制御可能とする。
【解決手段】シリコン・オン・インシュレータのＣＭＯＳメモリデバイスにおいて、引き出し線を含む領域が用いられる。引き出し線を逆方向にバイアスすることで、部分空乏型メモリセルのボディ領域から少数キャリアを取り除く。これにより、ボディ領域を完全空乏化し、浮遊ボディの不必要な影響を抑制する。 （もっと読む）

活性材料として、式(I)または(II)で表される共役オリゴマー性またはポリマー性2,7-カルバゾレンビニレン誘導体を含む、有機電界効果トランジスタ(OFET)、有機発光ダイオード(OLED)および有機太陽電池(OPC)。かかる有機電界効果トランジスタ(OFET)、有機発光ダイオード(OLED)および有機太陽電池(OPC)は改善されたデバイス特性およびデバイス効率を有する。

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基材と、誘電体材料の転写層とを含んでなる熱的に画像形成可能なドナー素子を熱に曝す工程を含んでなる、熱転写プロセスによって充填誘電体材料のパターンを基材上に形成する方法を開示する。照射パターンは、誘電体材料層の部分が、電子デバイスが形成されている基材上に転写されるように、基材上に形成すべき所望のパターンの画像である。充填誘電体材料は、薄膜トランジスタのゲート電極上にパターン化することができる。パターン誘電体材料は、また、相互接続のための絶縁層を形成してもよい。このプロセスでの使用のためのドナー素子も開示する。熱転写プロセスでの使用のための薄膜トランジスタおよびドナー素子を形成するための方法も開示する。
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（ｉ）ポリマーまたはオリゴマーおよび架橋部分を含む溶液を基板上に成膜して層を形成する工程、および（ｉｉ）不溶性架橋化ポリマーを形成する条件下で工程（ｉ）で形成された層を硬化する工程を備え、架橋部分が溶液中のポリマーまたはオリゴマーおよび架橋部分の繰返し単位のモル総数に対して０．０５から５モル％の範囲の量で工程（ｉ）に存在することを特徴とする、ポリマーデバイスを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】特殊な技術を要せず、簡単な製造方法でキャリア移動度が高い有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層に重量平均分子量２０００以上のπ共役系ポリマー及び分子量２０００以下のπ共役系オリゴマーを含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）