【課題】アクティブマトリックス基板の製造方法及び有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１パターンでパターニングされた第１電極を形成する工程と、第１電極を覆うように、基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、一面に第１層が形成された半導体ウェーハを第１絶縁膜上に配置して、第１層を第１絶縁膜に密着させる工程と、第１層を第１絶縁膜上に転写して、第１絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、半導体層の一部に不純物をドーピングし、かつパターニングして活性層を形成する工程と、活性層を覆うように、第１絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する工程と、第２絶縁膜上に、活性層の不純物でドーピングされた領域と電気的に連結された第２電極を形成する工程と、を含むアクティブマトリックス基板の製造方法及び有機発光表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体を含む半導体装置を提供すること、又は炭化珪素半導体を含む半導体装置の生産性の向上を図ることを目的とする。
【解決手段】半導体層若しくは半導体基板の少なくとも一部がエネルギーギャップの大きな半導体領域で構成する。該エネルギーギャップの大きな半導体領域は、好ましくは炭化珪素で形成され、少なくとも絶縁層を介して設けられるゲート電極と重なる位置に設けられる。該半導体領域がチャネル形成領域に含まれる構成することで絶縁破壊耐圧を向上させる。 （もっと読む）

【課題】活性層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体を用い、移動度が高く、かつ、製造が容易な電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びにそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】Ｉｎ_２−ＸＧａ_ＸＺｎＯ_４（０．６＜Ｘ＜０．８）からなる活性層１２と、前記活性層を介して導通可能なソース電極１６Ａ及びドレイン電極１６Ｂと、前記活性層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極を覆う絶縁層１８と、前記絶縁層を介して前記活性層に対向配置されたゲート電極２０と、前記活性層と前記絶縁層との間に介在する酸化インジウムを含む層１４と、有することを特徴とするトップゲート型の電界効果型トランジスタ２２。好ましくは、前記酸化インジウムは、活性層から析出されたものである。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物半導体の形成におけるプロセス温度の低温化を達成することにより、樹脂基板を用いた薄膜トランジスタの製造を可能とする。
【解決手段】金属酸化物半導体前駆体の溶液または分散液を、基板上に塗布することにより得られた金属酸化物半導体前駆体膜を変換することにより、金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、金属酸化物半導体前駆体塗布時の基板表面の２種の表面エネルギー成分γｈとγｄについて、１０≦γｈ≦８０（ｍＮ／ｍ）、２≦γｄ≦４０（ｍＮ／ｍ）であることを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高性能・高機能性でありながら、低コストで大面積化が可能な機能性フレキシブルフィルムの製造方法を提供する。また、当該方法を用いて製造された電子デバイスを提供する。
【解決手段】機能性フレキシブルフィルムの製造方法において、製造プロセス中、最も高温となる領域と、基板となる樹脂領域の間に、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２００℃以上であり、かつ熱伝導率が０．２５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である耐熱性低熱伝導層を設けることを特徴とする機能性フレキシブルフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、生長基板を提供する第一ステップと、前記生長基板の表面に触媒層を形成する第二ステップと、前記触媒層が形成された生長基板を反応炉に置き、保護ガスの雰囲気で加熱した後で、体積比が１００：１〜１００：１０のキャリヤーガス及びカーボンを含むガスを導入して、カーボンナノチューブ構造体を生長させ、該カーボンナノチューブ構造体を薄膜トランジスタの半導体層とする第三ステップと、前記半導体層にソース電極及びドレイン電極を分離して形成し、該ソース電極及びドレイン電極を前記半導体層に電気的に接続させる第四ステップと、前記半導体層に絶縁層を形成する第五ステップと、前記絶縁層の表面にゲート電極を形成し、薄膜トランジスタを形成する第六ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】優れた動作特性を有する、グラフェン膜をチャネルに用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】伝導に寄与する二層のグラフェン膜をチャネルとし、該チャネルに固定電荷を導入し、かつ該チャネルに垂直方向に電界を印加可能のように、トップゲートあるいはヅアルゲート型のゲート電極を構成し、反転型あるいはノーマリ・オン型動作の電界効果型トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】寄生トランジスタによる異常リークの発生を抑制し、正常な電気特性を得ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ボロンイオンが導入されたシリコン基板にＬＯＣＯＳ酸化膜２を形成し、この酸化膜２の内側に位置するアクティブ領域１ａにおけるチャネル形成領域を含む端部にボロンイオンを注入することにより、アクティブ領域１ａにおける前記端部にＰ型不純物拡散層３を形成し、シリコン基板のアクティブ領域１ａ上にゲート絶縁膜を形成し、Ｐ型不純物拡散層３及びアクティブ領域１ａの上にゲート絶縁膜を介してゲート電極６を形成し、ＬＯＣＯＳ酸化膜２及びゲート電極６をマスクとして不純物をイオン注入することにより、アクティブ領域にソース・ドレイン領域の拡散層７を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開口部を有するゲート絶縁膜や層間絶縁膜を形成する際に有利な形状を有する薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタアレイは、基板、ゲート電極、ゲート配線、ゲート絶縁膜、ソース電極、ソース配線、ドレイン電極、画素電極、半導体、開口部を有する層間絶縁膜、キャパシタ電極、キャパシタ配線及び上部画素電極を備えている。層間絶縁膜の開口部は、複数の画素電極にまたがるストライプ状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置、及び該表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、チャネル形成領域を含む微結晶半導体膜を有し、該微結晶半導体膜のチャネル形成領域には、ソース電極及びドレイン電極と重ならない領域に選択的に一導電型の不純物元素を含む不純物領域が設けられている。 （もっと読む）

【課題】大気中の安定性に優れ、かつ動作速度が大きい有機薄膜トランジスタが望まれている。
【解決手段】この有機薄膜トランジスタは、基板上に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子と、ソース電極及びドレイン電極とゲート電極との間を絶縁する絶縁体層と、有機半導体層とが設けられていて、ゲート電極に印加された電圧によりソース−ドレイン間電流を制御する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層の結晶性を制御する結晶性化合物から成膜される結晶性制御層を備え、該結晶性制御層上に、複素環基を有する化合物またはキノン構造を有する化合物を含んでなる有機半導体層が成膜されていることを特徴とするものである。また、前記有機薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極のうち、いずれか一方を正孔注入性電極で構成し、残りの電極を電子注入性電極で構成したことを特徴とする有機薄膜発光トランジスタを提供するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、常温動作単電子素子及びその製作方法に関し、特に、多数個のシリサイド金属点を直列に形成し、金属点を多重量子ドットとして用いて、常温で動作する単電子素子及びその製作方法に関する。
【解決手段】
ソース１３とドレイン１４との間に金属膜４２を蒸着し、熱処理で多数個の金属点シリサイドを形成して、量子ドット４１として用いることにより、非常に小さい電気容量を有する多数個の量子ドット４１の構成が可能であり、これにより、常温でも素子の動作機能性が向上され、低電力、高集積度を有する常温動作単電子素子及びその製作方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、歩留りが高く、高ドレイン電流化が可能な電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の電界効果トランジスタは、基板１と、基板１上に設けられた第１の電極２と、第１の電極２表面上に設けられた第１の絶縁層３と、第１の絶縁層３表面上に設けられた第２の絶縁層４と、第１の電極２の上方に位置し、第２の絶縁層４上に設けられた第２の電極５と、第２の電極５と分離されて、前記基板１上に、前記第１の絶縁層３又は第２の絶縁層４を介して、もしくは直接設けられた第３の電極６と、第２の電極５及び第３の電極６と接すると共に第１の電極２とは第１の絶縁層３及び第２の絶縁層４を介して絶縁されるように設けられた有機半導体層８とを備え、第３の電極６の上面は、第１の電極２の上面よりも低い位置に設けられると共に、第２の絶縁層４の膜厚が、第１の絶縁層３の膜厚よりも薄いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたゲート酸化物と、ゲート酸化物に埋め込まれ、その両端が露出された少なくとも１つのゲルマニウム・ナノロッドと、ゲルマニウム・ナノロッドの両端とそれぞれ連結されたソース電極及びドレイン電極と、ゲート酸化物上でソース電極及びドレイン電極間に形成されたゲート電極とを具備することを特徴とする電界効果トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】ゲート−ドレイン間のブレークダウン電圧を向上させることができ、パワーデバイスへの適用に適した窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この電界効果トランジスタは、ｎ型ＧａＮ層２、ｐ型ＧａＮ層３およびｎ型ＧａＮ層４が、順に積層された窒化物半導体積層構造部１を備えている。窒化物半導体積層構造部１には、壁面７および引き出し部５が形成されている。壁面７および引き出し部５にはゲート絶縁膜８が形成され、このゲート絶縁膜８上にはゲート電極９が形成されている。また、引き出し部５にはドレイン電極６が形成され、ｎ型ＧａＮ層４にはソース電極１１が形成されている。そして、ゲート絶縁膜８は、ｎ型ＧａＮ層４の上面および引き出し部５の上面に形成された第２部分１４と、壁面７に形成された第１部分１５とに区別され、第２部分１４の厚みが第１部分１５の厚みより厚くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にベンズ［５，６］インデノ[１，２，３−ｃｄ]インデノ［１，２，３−ｌｍ］ペリレン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジインデノ[１，２，３−ｃｄ：１’，２’，３’−ｊｋ]ピレン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジベンゾ[ａ，ｋ]ペリレン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にテトラベンゾ[ｄｅ，ｈｉ，ｍｎ，ｑｒ] ナフタセン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）