【課題】簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、空気中の酸素に対して安定で経時劣化が抑制された有機半導体材料、有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式で表される有機半導体材料。
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【課題】キャリア移動度の大きいＴＦＴにより、トランジスタのスイッチング速度を高速化する。
【解決手段】有機薄膜トランジスタの製造装置１００は、半導体材料２を塗布する塗布装置５０と、塗布装置を収容する容器１５とを有する。容器内にガス導入装置１２から酸化防止のガスが導入される。塗布した半導体材料を光照射装置２０で発生しフィルター２１を経た光２２で乾燥させる。有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１は、ステージ１０上に載置される。ＴＦＴの上面に、ドレイン電極４とソース電極５の膜を形成する。ドレイン電極とソース電極に同一波長の光を照射すると、これにより、有機薄膜トランジスタ上面に温度分布を発生させる。 （もっと読む）

【課題】簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに空気中の酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする有機半導体材料。
【化１】


（式中、Ｒ₁、Ｒ₂は水素原子または置換基を表す。Ａ₁は置換または無置換の芳香族炭化水素環、あるいは置換または無置換の芳香族複素環を表す。ｎ１は２以上の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】塗布プロセスで製造でき、トランジスタ特性が良好で、酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体材料、有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式で表される化合物を含有する有機半導体材料。
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【課題】簡単な工程で高性能な薄膜トランジスタを製造する有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層と、有機半導体層内のチャネル領域に対向するように形成されたゲート電極と、チャネル領域を挟むソース電極及びドレイン電極とを具備してなる有機薄膜トランジスタの製造方法において、有機半導体層は、ソース電極及びドレイン電極を覆うように有機半導体からなる層を設ける工程と、チャネル領域に相当する有機半導体からなる層上に保護層を設ける工程と、有機半導体からなる層に、活性エネルギー線を照射することにより有機半導体を除去する工程、を経て形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムに富むチャネルを有するトランジスタおよび完全空乏型アーキテクチャを有するトランジスタであって、任意のタイプの基板上で簡単に作ることができ、チャネルの形成を簡単に制御できるトランジスタを作る新規の方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＭＯＳトランジスタを製造する方法であって、ａ）基板２の上でにシリコンおよびゲルマニウムの合金を含む半伝導性の中間層６を形成することと、ｂ）中間層６の上にトランジスタのソース領域、ドレイン領域、および絶縁ゲート領域１１、１２、９を製造することと、ｃ）トランジスタのチャネル内でゲルマニウムの濃度を高めるために中間層６の下側表面から開始される中間層６を酸化することとを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】寸法安定性に優れ、水分や酸素による劣化のない、軽量、フレキシブルで大面積に対応でき量産性のある、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基材上に、少なくともゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁層および半導体からなる活性層を含む薄膜トランジスタにおいて、該基材が極薄ガラス（５００ミクロン以下や曲率半径が、１５０ｍｍ以下等）であることを特徴とする薄膜トランジスタおよびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシス特性が小さく（略０ボルト）、ソース電極あるいはドレイン電極から電流信号が時間的に略一定となる電界効果トランジスタを実現する。
【解決手段】本発明の電界効果トランジスタの製造方法は、ソース電極５及びドレイン電極６の設置位置にそれぞれ触媒層４ａ・４ｂを形成し、触媒層４ａ・４ｂからカーボンナノチューブ７を成長させる成長工程と、触媒層４ａ・４ｂ及びカーボンナノチューブ７上に、ソース電極５及びドレイン電極６の金属材料からなる電極金属１２を堆積する第１の堆積工程と、電極金属１２上におけるソース電極５及びドレイン電極６の形成位置をマスクするように第２の層１４を堆積する第２の堆積工程と、電極金属１２に対して選択的なエッチングを行い、下に配されたカーボンナノチューブ７を露出させるエッチング工程とを含むので、カーボンナノチューブ７周辺にフォトレジスト残渣が付着するということが起こらなくなる。 （もっと読む）

【課題】マルチゲートＭＩＳトランジスタにおいて、チャネルの角部での電界集中を抑制する。
【解決手段】複数面にチャネルを有するマルチゲートＭＩＳトランジスタを有する半導体装置において、絶縁膜上１２に一方向に沿って島状に形成され、一方向に沿った複数の側面を有し、該側面のうち隣接する側面の成す角が全て９０度よりも大きく、一方向と垂直な断面が上下及び左右に対称性を有する半導体層２１と、側面のチャネルとすべき領域上に形成されたゲート絶縁膜と、側面のチャネルとすべき領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極２４と、半導体層２１に接して形成されたソース・ドレイン電極２７とを備えた。 （もっと読む）

【課題】可及的に簡略な構成で、かつ高集積度、高性能の半導体装置を得ることを可能にする。
【解決手段】半導体基板１上に板状に設けられた第１導電型の第１半導体領域３と、第１半導体領域の第１側面に設けられた第１強誘電体絶縁膜４と、第１強誘電体絶縁膜の第１半導体領域と反対側の面に設けられた第１ゲート電極６と、第１半導体領域の第２側面に設けられた第２強誘電体絶縁膜５と、第２強誘電体絶縁膜の第１半導体領域と反対側の面に設けられた第２ゲート電極７と、第１及び第２ゲート電極に挟まれるように第１半導体領域に形成されるチャネル領域と、チャネル領域の両側の第１半導体領域に設けられた第２導電型の第１ソース・ドレイン領域８と、を備え、第１半導体領域の厚さが第１半導体領域の不純物濃度で決まる空乏層の最大厚さの二倍よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】 消費電力が格段に小さく、かつ、寸法が格段に小さい能動素子およびその製造方法およびその製造装置を提供すること。
【解決手段】 基板１０１上にメタル工程により、第１電極１０２および第２電極１０３を形成する。上記第１電極１０２は、第２電極１０３に略平行かつ第２電極１０３に対向するように配置する。第１電極１０２と第２電極１０３との間を、現存する加工技術の最小加工寸法で形成する。第１,第２電極１０２,１０３に所定の電位を印加した状態で、金属イオン等を矢印ａに示す方向に注入する。このようにして、基板１０１上にナノワイヤー構造１０４を作製する。 （もっと読む）

【課題】 構成分子と電極との界面での接触抵抗を低減できる新規な構造をもつ機能性分子素子及びその製造方法、並びに機能性分子装置を提供すること。
【解決手段】 まず、リニアテトラピロールの１種で、ポルフィリン様の略円盤状構造を有する骨格部２と、アルキル鎖からなるフレキシブルな側鎖部３とをもつπ電子共役系分子１を用いて、電極５および６の表面に密着した分子層を単層で形成する。次に、このπ電子共役系分子１の上にπ-πスタッキングによって、π電子共役系分子１又は他のπ電子共役系分子を積層させ、配列構造体４を形成する。配列構造体４の第１層の分子層を形成するπ電子共役系分子１は、フレキシブルな側鎖部３が電極５（または６）の表面に吸着され、この結果、骨格部２の円盤面が電極５（または６）の表面に平行に密着するように固定される。また、配列構造体４の第２層以後の分子層の積層方向は、π-π相互作用によって制御される。 （もっと読む）

【課題】電子又はホールの移動度を向上でき、接合リーク電流の発生を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１半導体層１６と、前記第１半導体層の主表面領域中に設けられた第１導電型の第１絶縁ゲート型電界効果トランジスタＰ１と、前記第１半導体層の裏面に設けられ、前記第１絶縁ゲート型電界効果トランジスタの動作時に、前記第１絶縁ゲート型電界効果トランジスタのチャネル領域に、チャネル長方向に沿った第１の応力を加える電歪層１６Ｐとを具備する。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有し、可撓性を備えた有機半導体装置組立体、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体装置組立体は、有機材料から成る第１の基板１０；第１の基板１０上に形成された有機半導体装置２２；有機材料から成る第２の基板４０；第１の基板１０と第２の基板４０を対向させて保持するために、有機半導体装置の周囲を囲むように配置された有機材料から成る保持部材３０；並びに、第１の基板１０、第２の基板４０、及び、保持部材３０によって囲まれた空間に一端部が連通し、他端部が閉塞された有機材料から成るチューブ５２を備え、有機半導体装置２２は真空雰囲気等の空間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ波の位相が合わないことによりプラズマ波強度が低下すること。
【解決手段】半導体基板５と、複数のナノワイヤ状の半導体層４と、絶縁膜６と、ゲート長をプラズマ波の周期の１／４とした複数のゲート電極１と、複数のナノワイヤに対応した複数のドレイン電極３と、ソース電極２を含み、複数のドレイン電極間を注入同期により電磁結合することで逆位相によるキャンセリングを抑制してプラズマ波の強度をナノワイヤの本数倍する。 （もっと読む）

【課題】パターン基板上で相分離する半導体材料と絶縁材料とのブレンドから形成した複合膜を提供する。相分離により基板上の半導体領域が単離され、カプセル化され、そのような複合膜を調製および使用するためのプロセスもまた、複合膜を含む装置とともに、提供する。
【解決手段】相分離膜を調製する方法であって、基板５を形成する工程と、基板５の表面の表面エネルギーをパターニングする工程と、少なくとも１つの半導体材料３と少なくとも１つの絶縁材料４とを、少なくとも１つの溶媒中に含む溶液を、パターン表面エネルギーを有する表面上に堆積させる工程と、溶媒の蒸発速度を制御し、半導体材料３と絶縁材料４とを相分離させる工程と、を含み、半導体材料領域が絶縁材料４により単離され、カプセル化される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に於いて、高い短チャネル効果耐性並びに高い電流駆動能力を保ちつつ、ゲート絶縁膜中の電場の緩和を図る。その結果として高電流駆動能力且つ高信頼性の、高性能な微細半導体装置を提供する。
【解決手段】 チャネルの形成される領域が稜を持つ電界効果トランジスターに於いて、稜の近傍に於いてはゲート絶縁膜が他の領域よりも厚く形成されている、ないしゲート絶縁膜は積層であり、積層を形成する層の内で誘電率の低い層が稜の近傍に於いて他の領域よりも厚く形成されている。それ故、チャネル領域の電位に対するゲート電極の制御性は良好に保たれたままでゲート絶縁膜中に生ずる電場強度の緩和が図られ、その結果として高電流駆動能力且つ高信頼性の高性能微細半導体装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】フェルミ・レベル・ピンニング効果を抑制するとともに、トランジスタの微細化を図ること。
【解決手段】シリコン基板または支持基板１１上に形成された島状のチャネル層１３と、チャネル層１３上に形成されたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上に形成されたゲート電極１６と、チャネル層１３の一方向に対向する両側面上に形成されたシリコン窒化膜１４と、シリコン窒化膜１４の側面上に形成された金属材料からなるソース電極及びドレイン電極１９とを具備する。 （もっと読む）