【課題】 原料気体をプラズマ分解してイオン化し、そのプラズマ雰囲気に曝露することで試料にイオンをドーピングする際に、試料の温度の上昇を抑制する。
加えて、試料の帯電を防止し、イオンの加速エネルギーを制御する。
【解決手段】 処理室内に原料気体を導入し、第一電源を用いて該原料気体に高周波電力を印加することでイオン化してプラズマを生成し、該プラズマ雰囲気に試料支持体上に支持された試料を曝露することによってイオンをドーピングする装置であって、前記第一電源と前記処理室との間を接続或いは切断するための第一切替スイッチを有することを特徴とするイオンをドーピングする装置である。 （もっと読む）

【課題】キンク効果の抑制だけでなく、チャネル長変調効果を抑制可能な薄膜トランジスタを実現する。
【解決手段】ゲート電極６を構成する第１及び第２ゲート電極６ａ，６ｂにおいて、第１ゲート電極６ａのゲート長Ｗ６ａよりも、第２ゲート電極６ｂのゲート長Ｗ６ｂを短く構成し、かつ、第２ゲート電極６ｂのゲート長Ｗ６ｂを、短チャネル効果を発生させる程度に短く構成する。これにより、第１ゲート電極６ａに対応する第１トランジスタのしきい値電圧Vthaよりも、第２ゲート電極６ｂに対応する第２トランジスタのしきい値電圧Vthbを低くすることができる。第１及び第２ゲート電極６ａ，６ｂに同一電圧を印加した場合、ドレイン側のチャネル瑞における電界集中が抑制される。その結果、チャネル長変調効果を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第１の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第１の基板を通過させて、光触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第１の基板より剥離する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの特性（Ｉｄ−Ｖｇ特性）にばらつきが生じる場合があった。
【解決手段】酸化物膜を半導体層１１として有する電界効果型トランジスタであって、酸化物膜の中に、水素又は重水素が添加されたソース部位及びドレイン部位を有している。または、酸化物膜の中に、チャンネル部位１８とソース部位１６とドレイン部位１７とを有し、ソース部位とドレイン部位との水素又は重水素の濃度がチャンネル部位の水素又は重水素の濃度よりも大きい。ソース部位とドレイン部位が、ゲート絶縁層を介して配されるゲート電極と自己整合して配され、且つ、コプレーナ構造からなる構成をとることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランジスタ特性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上に絶縁膜１０を介して形成された凸型形状の半導体層２０と、半導体層のうち対向する１組の両側面に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極７０と、半導体層内において、ゲート電極間にシリコンによって形成されたチャネル領域と、半導体層内において、チャネル領域の両側にシリコンゲルマニウム又はシリコンカーボンによって形成されたソースエクステンション領域及びドレインエクステンション領域１４０と、半導体層内において、ソースエクステンション領域におけるチャネル領域と反対側に隣接するようにシリコンによって形成されたソース領域１００、及びドレインエクステンション領域におけるチャネル領域と反対側に隣接するようにシリコンによって形成されたドレイン領域１００とを備える。 （もっと読む）

【課題】金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜中の当該金属元素の影響を抑え、優れた性能を備えた半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】結晶化を助長する金属元素を利用して得た結晶性珪素膜で構成された活性層と、前記活性層上に形成されたゲイト絶縁膜と、を有し、前記ゲイト絶縁膜は、ハロゲン元素を含有する絶縁膜を有する。ハロゲン元素を含有する絶縁膜によって、結晶化を助長する金属元素を固定化し、ゲイト絶縁膜の機能低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】性能の優れた液晶表示装置の作成方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ガラス基板上にゲイト電極を形成し、ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、ゲイト絶縁膜上に微結晶の半導体膜を形成し、半導体膜上にマスクを形成し、マスクを用いて、半導体膜の選択された部分に不純物を導入し、マスクを残したまま光を照射する液晶表示装置の作製方法であって、光はガラス基板の少なくとも上方から照射されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を効果的に抑制するための技術を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にＰチャネル型ＴＦＴを有し、前記Ｐチャネル型ＴＦＴの活性層のゲイト電極と重なる領域に、Ｐ型を付与する不純物元素が添加された第１の領域を有し、前記Ｐチャネル型ＴＦＴの活性層は、前記第１の領域を囲むように設けられたＮ型の導電型の第２の領域を有する半導体装置を提供する。こうして、電流パスとなり易い箇所にエネルギー的に障壁の高い領域を形成してリーク電流の発生（ショートチャネルリーク）を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 大面積化が容易なプラズマ放電によりイオン化が行え、且つ酸化物半導体薄膜層に浅い不純物準位を形成する元素を選択する。該元素からなるガスをプラズマ分解等により質量分離を行わず、大面積にわたりイオンを形成し、イオン化した元素を該酸化物半導体薄膜層に導入することでソース・ドレイン領域を形成する。
【解決手段】 ゲート絶縁膜とゲート電極が自己整合的に同一形状に形成されており、酸化物半導体薄膜層であって、該ゲート電極の下側以外の範囲が、該ゲート電極の下側の範囲よりも、水素(H)、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)、フッ素(F)、キセノン(Xe)、酸素(O)の元素群のうち少なくとも1種の濃度が高い領域を含むソース・ドレイン領域であることを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な結晶性珪素膜を提供する。
【解決手段】 非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜を４５０℃〜６５０℃
で熱処理し結晶化して、結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜にレーザー光
を照射し、前記結晶性珪素膜を８００℃〜１１００℃で熱アニールする。 （もっと読む）

【課題】回路機能に応じて適切な構造のＴＦＴを配置し、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタを有し、第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタは、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を含む半導体膜と、半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート配線と、をそれぞれ有する半導体装置において、第１の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を、第２の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜よりも厚く設計する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの応答速度が速くなり、かつ基板に加わる応力が従来と比べて小さくなる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜１０１上に、島状の第１の半導体層１０２ａ及び島状の第２の半導体層１０２ｂを形成する工程と、第１の半導体層１０２ａ上に位置する第１のゲート絶縁膜１０３ａ、及び第２の半導体層１０２ａ上に位置する第２のゲート絶縁膜１０３ｂを形成する工程と、第１のゲート絶縁膜１０３ａ及び第２のゲート絶縁膜１０３ｂ上に、圧縮応力を有する第１の導電膜１０４を形成する工程と、第１の導電膜１０４上に引っ張り応力を有する第２の導電膜１０５を形成する工程と、第１及び第２の導電膜１０４，１０５をエッチングして、第１のゲート電極１０６ａ及び第２のゲート電極１０６ｂを形成する工程と、第２のゲート電極１０６ｂを構成する第２の導電膜１０５ｂを薄くし、又は除去する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス型の表示装置の作製工程又は完成品における静電気による不良の発生を抑制する。
【解決手段】 本発明に係る、アクティブマトリクス回路と、前記アクティブマトリクス回路を駆動するための周辺駆動回路が同一基板上に配置された表示装置の作製方法は、前記基板上に、前記アクティブマトリクス回路に含まれる第１の導電膜と、前記周辺駆動回路に含まれる第２の導電膜と、前記アクティブマトリクス回路及び前記周辺駆動回路を囲んで設けられる第３の導電膜を形成し、前記第３の導電膜は、保護容量を構成するとともに、前記第１及び第２の導電膜と電気的に接続され、後に、前記第３の導電膜を、前記第１及び第２の導電膜から電気的に切り離すことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】非晶質珪素膜を加熱やレーザー光の照射によって結晶化させる際に、ガラス基板が耐えるような温度での工程ですむような工程を提供する。
【構成】本発明の半導体の作製方法は、絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜をプラズマＣＶＤ法により形成し、前記非晶質珪素膜の表面に珪素の結晶化を助長する金属元素を接して保持させ、加熱処理を行いながら、磁場及びマイクロ波を用いて生成されたヘリウムを主成分とするガスのプラズマによって前記非晶質珪素膜を処理し、前記非晶質珪素膜に３００℃〜基板の歪点以下の温度で加熱しながらレーザー光または強光を照射して結晶化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】非晶質珪素膜を加熱やレーザー光の照射によって結晶化させる際に、ガラス基板が耐えるような温度での工程ですむような工程を提供する。
【構成】本発明の半導体の作製方法は、絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜をプラズマＣＶＤ法により形成し、加熱処理を行いながら、磁場及びマイクロ波を用いて生成されたヘリウムを主成分とするガスのプラズマによって前記非晶質珪素膜を処理し、前記非晶質珪素膜に３００℃〜基板の歪点以下の温度で加熱しながらレーザー光または強光を照射して結晶化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線の電気抵抗を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記基板上に形成された第１の配線と、前記薄膜トランジスタの結晶性珪素膜からなる活性層、ゲイト絶縁膜及びゲイト電極、並びに前記第１の配線上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に隣合って平行に形成された複数の第２の配線とを有し、前記第１の配線と前記第２の配線とは、前記第１の絶縁膜に設けられた複数のコンタクトホールを介して電気的に接続し、前記第１の配線は分断された構造であり、前記分断された第１の配線の間に、前記第２の配線と交差する配線が配置され、前記第２の配線は、周辺回路のクロック信号線又はビデオ信号線である。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス型の表示装置の作製工程又は完成品における静電気による不良の発生を抑制する。
【解決手段】 本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の角の部分に隣接して、前記アクティブマトリクス回路に接続されていない格子状の放電パターンが形成されていることを特徴とする。また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピッチよりも長いことを特徴とする。これらにより、各種静電破壊によるアクティブマトリクス型表示装置の不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタで構成された回路と受動素子とを集積化した複合化回路を提供する。
【解決手段】活性層と、活性層上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられ、且つ活性層を覆うように設けられた絶縁膜と、活性層の不純物領域と電気的に接続する配線と、を有するトランジスタを備えた回路と、回路と重なるように接着層を用いて積層された受動素子とを有し、受動素子は、絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して、活性層の下側から配線と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】フィン構造を有する半導体装置において、ゲート電極となる高い第２の突部の側面に側壁部を形成するが、ソース／ドレイン領域となる低い第１の突部の側面には側壁部を形成しないようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】凸状の第１の突部３０と前記第１の突部よりも高い凸状の第２の突部４２とを形成する。前記第１および第２の突部の側面に、第１の側壁部４４を形成した後、前記第２の突部より低い位置に表面が位置するように第１の膜５２を形成する。前記第１の膜５２の表面から突出している前記第２の突部の側面にある前記第１の側壁部の側面に第２の側壁部５４を形成した後、前記第１の膜５２をエッチングすることにより、前記第２の突部４２の側面には第２の側壁部５４を形成するが、前記第１の突部３０の側面には前記第２の側壁部５４を形成しない。 （もっと読む）

【課題】積層形成を行う半導体装置の製造において、界面の汚染のうち特に従来の方法では除去できない炭素の一重結合を含む汚染物を除去し、清浄な界面を得る。
【解決手段】水素ラジカルや水素イオンなどの活性化した水素を、プラズマ法または触媒法によって形成し、その活性化した水素によってゲート絶縁膜中の炭素の一重結合を含む汚染物をガス化して除去する。また、酸素ラジカルや酸素イオン、オゾンなどの活性化した酸素をプラズマ法または紫外線照射法によって形成し、その活性化した酸素によってゲート絶縁膜中の炭素を含む汚染物をガス化して除去する。 （もっと読む）