【課題】配線層に新たな機能を有する素子を設けた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１配線層１５０、及び半導体素子２００を備える。第１配線層１５０は、絶縁層１５６と、絶縁層１５６の表面に埋め込まれた第１配線１５４とを備える。半導体素子２００は、半導体層２２０、ゲート絶縁膜１６０、及びゲート電極２１０を備える。半導体層２２０は、第１配線層１５０上に位置する。ゲート絶縁膜１６０は、半導体層２２０の上又は下に位置する。ゲート電極２１０は、ゲート絶縁膜１６０を介して半導体層２２０の反対側に位置する。 （もっと読む）

【課題】所望の特性が得られるフィン型ＣＭＩＳＦＥＴを実現する。
【解決手段】ゲート絶縁膜１４ｂの外側に位置するｎ型のフィン型半導体領域１３ｂにおける上部コーナーの曲率半径ｒ１’は、ゲート絶縁膜１４ｂの下側に位置するｎ型のフィン型半導体領域１３ｂにおける上部コーナーの曲率半径ｒ１よりも大きく且つ２×ｒ１以下である。ゲート絶縁膜９１４ｃの外側に位置するｐ型のフィン型半導体領域９１３ｃにおける上部コーナーの曲率半径ｒ２’は、ゲート絶縁膜９１４ｃの下側に位置するｐ型のフィン型半導体領域９１３ｃにおける上部コーナーの曲率半径ｒ２よりも大きく且つ２×ｒ２以下である。 （もっと読む）

可撓性基板上に、自己整合シリコン薄膜トランジスタを製造するシステム及び方法。前記システム及び方法は、高いパフォーマンスのトランジスタを製造するために、精密さ、レゾリューション、レジストレーションが達成されるよう、レーザアニール、エッチング技術、レーザドーピングを全て低温度で行いつつ、化学気相堆積、プラズマエンハンスト気相堆積、プリント、コーティング、及び他の堆積処理といった堆積処理を組み込むとともに組み合わせている。そのようなＴＦＴはディスプレイ、パッケージング、ラベリング等に使用できる。
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【課題】駆動力向上、サブスレッショルド係数低減、オフ電流低減、駆動電圧の低減等トランジスタ特性の高性能化、低消費電力化を実現する半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１０１上に設けられた導電性電極１０３と、導電性電極１０３上に設けられた絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４を介して導電性電極１０３上部に設けられた半導体１０５と、半導体１０５の両側に、絶縁膜１０４に接して設けられた導電性領域１０９とを備える。 （もっと読む）

【課題】安定した素子特性および良好な信頼性を実現する薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにそれらを用いた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１４は、透光性基板１上において、多結晶シリコンの半導体層３上に積層するゲート絶縁膜４およびゲート電極６、及び、上記半導体層３のソース領域８、ドレイン領域９およびチャネル領域１０を有する。そして、前記ゲート絶縁膜４は酸化シリコン膜４ａからなり、ゲート電極６の底面と接する上記酸化シリコン膜４ａの少なくとも表面は酸窒化シリコン層４ｂから成っている。ここで、ゲート電極６は、例えば５００℃程度の比較的に低温で酸化シリコン膜と化学反応する高融点金属材料を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】動作性能及び信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチング用ＴＦＴ４８０２及び消去用ＴＦＴ４８０７のＬＤＤ領域は、ゲート電極に重ならないように形成されており、オフ電流値の低減に重点を置いた構造となっている。電流制御用ＴＦＴ４８０４のＬＤＤ領域は、その一部又は全部がゲート電極に重なるように形成されており、オン電流値の確保と、ホットキャリア注入の防止に重点を置いた構造となっている。各部に求められる機能に応じて、同一基板上に異なる構造のＴＦＴを、共通の工程にて形成することで、半導体装置の動作性能及び信頼性を向上する。 （もっと読む）

【課題】同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子（ＴＦＴ）の特性に悪影響を及ぼしてしまう。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配置されるガラス基板５上に、画素のスイッチング素子となる薄膜トランジスタを構成するチャネル層２５と、光センサ素子を構成する光電変換層３５とを有する表示装置の構成として、外光が入射する側と反対側で光電変換層３５に最も近接して対向配置される電極３３の表面に光反射膜３４を形成した。 （もっと読む）

【課題】ソース領域及びドレイン領域よりチャネル形成領域の膜厚が薄いＳ値の向上されたボトムゲート型薄膜トランジスタを簡単な工程で作製可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板の表面のチャネル形成領域に対応する箇所に島状導電膜を形成し該島状導電膜を絶縁膜で覆って凸部を形成する。形成された凸部を覆うアモルファス半導体膜を成膜した後、レーザ光を照射して半導体膜を溶融状態にして結晶化する。凸部上の溶融した半導体は凸部の両側に隣接する領域へと流れ、それによって凸部上に位置する半導体膜（チャネル形成領域）が薄膜化される。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でソース領域及びドレイン領域に悪影響を与えることなくチャネル形成領域の薄膜化が可能な半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の作製方法において、凸部を有する絶縁性基板の表面に凸部の高さより小さい厚さを有する半導体膜を形成し、この半導体膜をレジストをマスクにして島状にエッチングした後、レジストをエッチングして凸部上面を覆う半導体膜の部分を露出し、この露出された半導体膜の部分をエッチングにより薄膜化する際、凸部の両側に隣接する部分を覆う半導体膜がレジストに覆われたままとする。 （もっと読む）

【課題】動作速度および信号差を維持したまま、セルサイズを縮小しかつ電極間の短絡を防止することができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、第１の方向に延在する半導体層３１と、半導体層内に設けられたソース層Ｓ、ドレイン層Ｄ、および、ボディＢと、第１の方向に延在するビット線ＢＬと、ボディの第１の側面ＳＦ１に第１のゲート絶縁膜ＧＤ１を介して設けられた第１のゲート電極ＧＥ１と、第１の方向へ延在し、第１のゲート電極の底部に接続され、第１のゲート電極と同一材料で一体形成された第１のゲート線ＧＬ１と、第１の側面の反対側にあるボディの第２の側面ＳＦ２に設けられ第２のゲート絶縁膜ＧＤ２を介して設けられた第２のゲート電極ＧＥ２と、第１の方向に対して交差する第２の方向へ延在し、第２のゲート電極の上部に接続され、第２のゲート電極と同一材料で一体形成された第２のゲート線ＷＬとを備える。 （もっと読む）

【課題】素子特性のばらつきが抑制されたＭＯＳ型素子を含む半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板の半導体領域に埋め込まれた素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜によって素子分離され、上部が前記素子分離絶縁膜の表面よりも上に突出し、前記半導体領域の半導体層と、この半導体層にソース・ドレイン領域、ゲート絶縁膜およびゲート電極が形成され、かつ、前記ゲート電極がチャネル幅方向に平行な面の断面において前記素子分離絶縁膜上に形成されてなるＭＯＳ型素子とを具備してなり、前記ゲート電極下の前記半導体層の上面位置が、前記ゲート電極下の前記素子分離絶縁膜の上面位置よりも、２０ｎｍ以上高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】性能の低下を抑えつつ微細化に対応可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】共通の支持体上に設けられたトランジスタとキャパシタとを備え、トランジスタは、表層部に選択的に設けられたソース領域とドレイン領域とを有する第１の半導体フィンと、第１の半導体フィンにおけるソース領域とドレイン領域との間の部分の少なくとも側面に対向して設けられたゲート電極と、ゲート電極と第１の半導体フィンとの間に介在された絶縁膜とを有し、キャパシタは、隣り合うものどうしが互いに側面を対向させている複数の第２の半導体フィンと、第２の半導体フィン間に埋め込まれた誘電体膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域とゲート絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、ＴＦＴの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体装置およびその作製方法を提供するものである。
【解決手段】絶縁表面上にゲート配線を形成し、ゲート配線上にゲート絶縁膜と、半導体膜とを順次大気にふれることなく積層形成し、赤外光または紫外光を照射することにより半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成すると同時に保護膜として機能する酸化膜を形成し、結晶性半導体膜のチャネル形成領域となるべき領域に、光感光性有機材料でなるマスクを形成し、酸化膜を介して結晶性半導体膜のソース領域またはドレイン領域となるべき領域に不純物元素の添加を行う半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 酸化物半導体膜を用いた従来の薄膜トランジスタアレイでは、外部駆動回路と薄膜トランジスタアレイの信号線端子との良好な接続を確保できるアレイ構造は実現されていなかった。
【解決手段】 薄膜トランジスタのチャネル部１４、ソース部１５、ドレイン部１６と、画素電極１３と、ゲート信号線１１及びソース信号線１２の端部の接続用端子部１８、１７も同一の酸化物半導体で形成する。薄膜トランジスタアレイにおける全ての層構造を形成後、最上層の保護絶縁膜１９の所望の位置に開口部を設ける。そして、開口部を介して酸化物半導体膜２６を還元性プラズマあるいはドーピング元素を含むプラズマに曝すことにより、接続用端子部１８、１７、ソース・ドレイン部１５、１６、画素電極１３を同時に低抵抗化する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、同一基板上に同時に異なるＬＤＤ構造を有する生産性の高いＴＦＴの作製方法およびその構造を提供することを目的としている。即ち、本発明はＴＦＴの新規な構造と生産性の高い製造工程を提供するものである。
【解決手段】 耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する （もっと読む）

【課題】無線通信によりデータの交信が可能な半導体装置において、復調信号を基に生成したクロックを利用するために引き起こされる誤動作するまたは応答しない等の動作不良を防止することを課題とする。
【解決手段】無線信号を受信するためのアンテナ回路と、アンテナ回路で受信した前記無線信号により電源を生成する電源回路と、電源が供給されるクロック発生回路と、を有し、クロック発生回路には、自己発振するリングオシレータと、リングオシレータの出力信号を適切な範囲の周波数に調整する分周器を設け、周波数の精度が高いクロックをもってディジタル回路部を駆動することで、誤動作するまたは応答しない等の動作不良を防止する。 （もっと読む）

【課題】ステージと基板との位置ずれを抑制することにより、所望の領域のみにレーザを照射することができるようにする。
【解決手段】半導体材料の付着した基板を所定の基板載置部に収納可能とする密閉容器と、半導体材料に照射されて半導体材料を所定の熱処理温度まで加熱するための光を照射する光源と、密閉容器に設けられて光源からの光を透過して密閉容器内に導入するための光透過窓と、基板載置部に設けられて基板を基板載置部に固定保持するための保持手段と、光の照射時における密閉容器内の雰囲気圧力を、光照射によって溶融加熱された半導体材料の温度によって規定される蒸気圧を下まわらないように制御する圧力制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同一基板上に同時に異なるＬＤＤ構造を有する生産性の高いＴＦＴの作製方法およびその構造を提供することを目的としている。即ち、本発明はＴＦＴの新規な構造と生産性の高い製造工程を提供するものである。
【解決手段】 耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する （もっと読む）

【課題】金属元素を用いて結晶化させた珪素膜を活性層として用いた半導体装置において、金属元素による半導体装置の特性への悪影響を排除する。
【解決手段】 珪素の結晶性を助長する金属元素を用いて結晶化させた結晶性珪素膜を活性層とする半導体装置において、ソース領域またはドレイン領域が形成される領域１１４、１１６に燐をドーピングし、加熱処理を施す。その際、領域１１５に存在する金属元素が、１２０、１２１で示されるように、燐がドーピングされた領域にゲッタリングされる。その結果、チャネル領域または低濃度不純物領域が形成される領域１１７乃至１１９における金属元素の濃度を低くすることができる。 （もっと読む）

【課題】多数の画素のそれぞれにスイッチング用の薄膜トランジスタを配置し、各画素電極に出入りする電荷をこの薄膜トランジスタで制御する液晶表示装置、ＥＬ表示装置等の半導体装置において、良好な表示特性を有し、長期の信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上方にゲイト電極、ゲイト電極上方のゲイト絶縁膜、及びゲイト絶縁膜上方の活性層を有する薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上方の窒化珪素でなる絶縁膜と、絶縁膜上方の樹脂膜と、樹脂膜上方に薄膜トランジスタに接続する画素電極とを有することにより、良好な表示特性を有し、長期の信頼性を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）